半导体封装件及其制造方法技术

一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括芯片、封装体、导电件及屏蔽膜。芯片设置于该导电件上且具有一散热件贯穿芯片。封装体包覆芯片及导电件，且具有一外侧面及相对的一上表面及一下表面且包括一第一散热孔及一第二散热孔。第一散热孔从散热件延伸至该封装体的该上表面，第二散热孔从封装体的上表面延伸至芯片上散热件以外的一区域。屏蔽膜形成于封装体的上表面及外侧面并电性连接导电件。

【技术实现步骤摘要】
本申请是2012年12月28日申请的，申请号为“201210583616.7”，专利技术名称为“半导体封装件及其制造方法”的中国专利技术专利申请的分案申请
本专利技术是有关于一种半导体封装件及其制造方法，且特别是有关于一种具有散热孔的半导体封装件及其制造方法。
技术介绍
传统半导体封装件包含封装体及芯片，其中封装体包覆芯片，而芯片提供半导体封装件的功能。然而，芯片会产生高热，且封装体的热传导性通常不佳，导致芯片周围温度过高而影响其工作效率。因此，如何驱散芯片的热量成为业界努力重点之一。
技术实现思路
本专利技术有关于一种半导体封装件及其制造方法，一实施例中，半导体封装件具有散热孔可驱散其芯片的热量。根据本专利技术，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一芯片、一封装体、一导电件及一屏蔽膜。芯片设置于该导电件上且具有一散热件贯穿芯片。封装体包覆芯片及导电件，且具有一外侧面及相对的一上表面及一下表面且包括一第一散热孔及一第二散热孔。第一散热孔从散热件延伸至该封装体的该上表面，第二散热孔从封装体的上表面延伸至芯片上散热件以外的一区域。屏蔽膜形成于封装体的上表面及外侧面并电性连接导电件。根据本专利技术，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一基板、一芯片、一封装体及一屏蔽膜。基板包括一接地件。芯片形成于基板上且电性连接基板，芯片具有一散热件贯穿该芯片。封装体包覆芯片且具有一外侧面及相对的一上表面及一下表面且包括一第一散热孔及一第二散热孔。第一散热孔从散热件延伸至封装体的上表面，第二散热孔从封装体的上表面延伸至芯片上散热件以外的一区域。屏蔽膜形成于封装体的上表面及外侧面并电性连接基板的接地件。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下：附图说明图1A绘示依照本专利技术一实施例的半导体封装件的剖视图。图1B绘示图1A的俯视图。图2绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。图3绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。图4A绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。图4B绘示图4A的俯视图。图5A绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。图5B绘示图5A的俯视图。图6绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。图7，其绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。图8绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。图9A至9G绘示图1A的半导体封装件的制造过程图。图10A至10C绘示图2的半导体封装件的制造过程图。图11A至11G绘示图3的半导体封装件的制造过程图。图12A至12F绘示图4A的半导体封装件的制造过程图。图13A至13C绘示图5A的半导体封装件的制造过程图。图14A至14B绘示图8的半导体封装件的制造过程图。主要元件符号说明：100、200、300、400、500、600、700、800：半导体封装件110：芯片110a：主动面110b：背面111、471：散热件120：封装体120s、120s1、120s2、130s、140s、360s、470s、472s：外侧面120u、130u、470u：上表面120b、140b、470b：下表面121：散热孔1211：贯孔1212：热导材料130：导电件140：屏蔽膜150：焊球151：信号焊球152：接地焊球153：散热焊球360：导电架470：基板472：接地件480：焊线170：暂时基板P、P1、P2：切割道具体实施方式请参照图1A，其绘示依照本专利技术一实施例的半导体封装件的剖视图。半导体封装件100包括芯片110、封装体120、导电件130、屏蔽膜140及焊球150。芯片110具有相对的主动面110a与背面110b，芯片110以其主动面110a朝下方位设于导电件130上，且直接或间接接触于导电件130，藉以通过导电件130电性连接于焊球150。芯片110可以单层或多层结构。芯片110更包括至少一散热件111，其中散热件111从芯片110的主动面110a延伸至芯片110的背面110b，即散热件111贯穿芯片110。本例中，散热件111散热孔，例如，芯片110硅晶圆，而散热件111硅穿孔(Through-SiliconVia,TSV)，然本专利技术实施例不限于此。另一例中，虽然图未绘示，然芯片110的散热件111包括至少一横向延伸的散热层及至少一直向延伸的散热孔，其中散热层连接于散热孔，以构成一散热路径。此外，散热件111的材料包括导热性佳的材料，如铜、铝、金、银或其组合。封装体120包覆芯片110且具有相对的上表面120u及下表面120b且包括至少一散热孔121，散热孔121从散热件111延伸至封装体120的上表面120u。本例中，散热孔121及散热件111沿一直线方向延伸，而共同构成一垂直散热路径，此垂直散热路径较短或最短散热路径，可快速地传导芯片110的热量H至半导体封装件100外部。此外，散热孔121的材料包括导热性佳的材料，如铜、铝、金、银或其组合。封装体120更具有外侧面120s，而导电件130具有外侧面130s，由于封装体120的外侧面120s与导电件130的外侧面130s于同一切割道中形成，使外侧面120s与导电件130s实质上对齐，例如是共面，如此的切割方法称为“全穿切(full-cut)”。封装体120可包括酚醛基树脂(Novolac-basedresin)、环氧基树脂(epoxy-basedresin)、硅基树脂(silicone-basedresin)或其他适当的包覆剂。封装体120亦可包括适当的填充剂，例如是粉状的二氧化硅。可利用数种封装技术形成封装体，例如是压缩成型(compressionmolding)、注射成型(injectionmolding)或转注成型(transfermolding)。导电件130例如是接垫(pad)或导电片(conductivesheet)，其形成于芯片110的主动面110a及封装体120的下表面120b。导电片另外以板金工法形成的元件。接垫可采用电镀方法或合适的方法形成，其厚度可薄于导电片。屏蔽膜140形成于导电件130的外侧面130s，以电性连接于导电件130。此外，导电件130具有下表面130b，屏蔽膜140具有下表面140b，其中导电件130的下表面130b与屏蔽膜140的下表面140b实质上对齐，例如是共面。屏蔽膜140形成于封装体120的上表面120u及外侧面120s。本例中，屏蔽膜140共形屏蔽膜(conformalshielding)，亦即其覆盖封装体120的整个上表面120u及整个外侧面120s，以完整包覆封装体120，而提供电磁干扰屏蔽作用；然本专利技术实施例不限于此，屏蔽膜140亦可覆盖封装体120的部分上表面120u及/或部分外侧面120s。屏蔽膜140除了提供电磁干扰屏蔽作用，亦提供一大散热面积。当芯片110的热量传导至屏蔽膜140后，可通过屏蔽膜140有效地对流或传导至半导体封装件100外部。屏蔽膜140的材料铝、铜、铬、锡、金、银、镍、不锈钢或上述材料的组合所制成，其可应用例如是化学蒸镀(ChemicalVaporDeposition,CVD)、无电镀(electrolessplating)、电镀、印刷(printing)、喷布(sp本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件，包括：一导电件；一芯片，设置于该导电件上，且具有一散热件贯穿该芯片；一封装体，包覆该芯片及该导电件，且具有一外侧面及相对的一上表面及一下表面且包括一第一散热孔及一第二散热孔，该第一散热孔从该散热件延伸至该封装体的该上表面，及该第二散热孔从该封装体的该上表面延伸至该芯片上该散热件以外的一区域；以及一屏蔽膜，形成于该封装体的该上表面及该外侧面并电性连接该导电件。

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，包括：一导电件；一芯片，设置于该导电件上，且具有一散热件贯穿该芯片；一封装体，包覆该芯片及该导电件，且具有一外侧面及相对的一上表面及一下表面且包括一第一散热孔及一第二散热孔，该第一散热孔从该散热件延伸至该封装体的该上表面，及该第二散热孔从该封装体的该上表面延伸至该芯片上该散热件以外的一区域；以及一屏蔽膜，形成于该封装体的该上表面及该外侧面并电性连接该导电件。2.如权利要求1所述的半导体封装件，更包括：一导电架，设于该导电件上且具有一外侧面；其中，该屏蔽膜形成该导电架的该外侧面，而通过该导电架电性连接于该导电件。3.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该导电件具有一上表面及一外侧面，该屏蔽膜具有一外侧面，该屏蔽膜更形成于该导电件的该上表面上，且该导电件的该外侧面与该屏蔽膜的该外侧面对齐。4.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该导电件具有一外侧面，该屏蔽膜形成于该导电件的该外侧面，且该导电件的该外侧面与该封装体的该外侧面对齐。5.如权利要求1所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈家贤，刘盈男，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71