一种DC/DC电源电路制造技术

本发明专利技术公开了一种DC/DC电源电路，包括电压转换芯片及外围电路，通过使用DC/DC电源转换芯片使电压转换为用于射频功率计的特定电压，以满足功率反射计所需要的电压指标。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电源转换领域，特别涉及一种DC/DC电源电路。
技术介绍
功率反射计通常用于测量射频（RF）或微波频率（MW）信号的功率。典型的功率反射计使用功率检测器或换能器，以便将RF或MW功率转换为可容易测量的电参量。功率反射计在许多类型的RF和MW系统中也具有应用。而射频功率反射计在使用时通常需要特定的供电电源为其进行供电。在供电时，需要不同的供电电压对不同的模块进行供电，然而现有的电源不能满足功率反射计所需要的电压指标。
技术实现思路
本专利技术在于克服现有技术的上述不足，提供一种能够满足功率反射计所需要的电压指标的DC/DC电源电路。为了实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案是：一种DC/DC电源电路，包括电压转换芯片LTC1876EG，所述芯片引脚1连接第一电阻R90、第一电容C37、所述第一电阻R90另一端连接第二电容C54、第一二极管V36正极、第三电容C34、第二电阻R89、第三电阻R31、第二二极管V35正极、所述芯片引脚29，所述第一电容C37、第二电容C54另一端均接地，所述第一二极管V36负极连接所述芯片引脚33、第四电容C38，所述第四电容C38另一端连接第一MOS管V33S级、第二MOS管V34D级、所述芯片引脚34、第一电感L4，所述第一MOS管V33G级连接所述芯片引脚35、所述第一MOS管V33D级连接第五电容C39、第六电容C55、第二电感L7、所述芯片引脚32、所述芯片引脚21、所述第三电阻R31另一端、第三MOS管V31D级、第七电容C15、第八电容C66、第九电容C65、电压输出端口VIO，所述第五电容C39另一端、第六电容C55另一端、第七电容C15另一端、第八电容C66另一端、第九电容C65另一端均接地，所述第二电感L7另一端连接第三二极管V38正极、所述芯片引脚17、所述芯片引脚18，所述第二MOS管V34G级连接所述芯片引脚31，S级接地；所述第三二极管V38负极连接第十电容C16、第十一电容C67、第四电阻R70.第五电阻R7、+12.5V电压输出端口，所述第十电容C16、第十一电容C67均接地，所述第四电阻R70另一端、第五电阻R7另一端均连接第六电阻R51、第七电阻R98、所述芯片引脚16，所述第六电阻R51另一端、第七电阻R98另一端均接地；所述第一电感L4另一端连接第八电阻R92、第十二电容C63、所述芯片引脚2，所述第八电阻R92另一端连接所述第十二电容C63另一端、所述芯片引脚3、所述芯片引脚22、第九电阻R80、第十电阻R97、第十三电容C20、第十四电容C70、第十五电容C71、+5.2V电压输出端口，第十三电容C20另一端、第十四电容C70另一端、第十五电容C71另一端均接地，所述第九电阻R80另一端连接所述芯片引脚4、所述第十电阻R97另一端、第十一电阻R96、第十二电阻R101，所述第十一电阻R96另一端、第十二电阻R101另一端均接地；所述芯片引脚8连接第十六电容C75、第十七电容C73，所述第十七电容C73另一端连接第十三电阻R69，所述第十六电容C75另一端、所述第十三电阻R69另一端均接地；所述芯片引脚10连接第十八电容C40，所述第十八电容C40另一端接地；所述芯片引脚9、引脚19、引脚28均接地，所述芯片引脚6连接第十九电容C77，所述第十九电容C77另一端接地，所述芯片引脚11连接第二十电容C74、第二十一电容C72，所述第二十一电容C72另一端连接第十四电阻R68，所述第二十电容C74另一端、所述第十四电阻R68另一端均接地，所述芯片引脚12连接第十五电阻R93、第十六电阻R94、第十七电阻R95、第十八电阻R100，所述第十七电阻R95另一端、第十八电阻R100另一端均接地，所述第十五电阻R93另一端、第十六电阻R94另一端均连接第二十二电容C17、第二十三电容C69、第二十四电容C68、+3.4V电压输出端、第十九电阻R91、第二十五电容C62、所述芯片引脚13，所述第二十二电容C17另一端、第二十三电容C69另一端、第二十四电容C68另一端均接地，所述第十九电阻R91另一端、第二十五电容C62另一端均连接所述芯片引脚14、第三电感L5,所述第三电感L5另一端连接第四MOS管V32D级、所述第三MOS管V31S级、所述芯片引脚25、第二十六电容C35，所述第四MOS管V32G级连接所述芯片引脚27、所述第四MOS管V32S级接地；所述第二十六电容C35连接所述芯片引脚26、所述第二二极管V35负极，所述第三MOS管G级连接所述芯片引脚24，所述芯片引脚23连接所述第二电阻R89另一端、第二十七电容C36，所述第三电容C34另一端、所述第二十七电容另一端均接地；所述芯片引脚20、引脚15、引脚7均接地。与现有技术相比，本专利技术的有益效果本专利技术的DC/DC电源电路通过使用DC/DC电源转换芯片使电压转换为用于射频功率计的特定电压，以满足功率反射计所需要的电压指标。附图说明图1所示为本专利技术的DC/DC电源电路图。具体实施方式下面结合具体实施方式对本专利技术作进一步的详细描述。但不应将此理解为本专利技术上述主题的范围仅限于以下的实施例，凡基于本
技术实现思路
所实现的技术均属于本专利技术的范围。实施例1：图1所示为本专利技术的DC/DC电源电路图，包括电压转换芯片LTC1876EG，所述芯片引脚1连接第一电阻R90、第一电容C37、所述第一电阻R90另一端连接第二电容C54、第一二极管V36正极、第三电容C34、第二电阻R89、第三电阻R31、第二二极管V35正极、所述芯片引脚29，所述第一电容C37、第二电容C54另一端均接地，所述第一二极管V36负极连接所述芯片引脚33、第四电容C38，所述第四电容C38另一端连接第一MOS管V33S级、第二MOS管V34D级、所述芯片引脚34、第一电感L4，所述第一MOS管V33G级连接所述芯片引脚35、所述第一MOS管V33D级连接第五电容C39、第六电容C55、第二电感L7、所述芯片引脚32、所述芯片引脚21、所述第三电阻R31另一端、第三MOS管V31D级、第七电容C15、第八电容C66、第九电容C65、电压输出端口VIO，所述第五电容C39另一端、第六电容C55另一端、第七电容C15另一端、第八电容C66另一端、第九电容C65另一端均接地，所述第二电感L7另一端连接第三二极管V38正极、所述芯片引脚17、所述芯片引脚18，所述第二MOS管V34G级连接所述芯片引脚31，S级接地；所述第三二极管V38负极连接第十电容C16、第十一电容C67、第四电阻R70.第五电阻R7、+12.5V电压输出端口，所述第十电容C16、第十一电容C67均接地，所述第四电阻R70另一端、第五电阻R7另一端均连接第六电阻R51、第七电阻R98、所述芯片引脚16，所述第六电阻R51另一端、第七电阻R98另一端均接地；所述第一电感L4另一端连接第八电阻R92、第十二电容C63、所述芯片引脚2，所述第八电阻R92另一端连接所述第十二电容C63另一端、所述芯片引脚3、所述芯片引脚22、第九电阻R80、第十电阻R97、第十三电容C20、第十四电容C70、第十五电容C71、+5.2V电压输出端口，第十三电容C20本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种充电控制电路，其特征在于，包括BQ2954芯片，所述芯片引脚1连接第一电容（C46）,第一电阻（R116）,所述第一电容（C46）另一端接地，所述第一电阻（R116）另一端连接第二电容（C22）、+5V电压接口，所述第二电容（C22）另一端接地；所述芯片引脚13通过所述第二电容（C22）接地；所述芯片引脚2通过第一发光二极管（V43）连接第二电阻（R45），所述第二电阻（R45）另一端连接+5V电压接口，所述芯片引脚11连接第三电阻（R44），所述第三电阻（R44）另一端连接第二发光二极管（V42）负极、第三发光二极管（V44）负极，所述第二发光二极管（V42）正极连接第四电阻（R36），所述第四电阻（R36）另一端连接所述芯片引脚12、第三电容（C64），所述第三电容（C64）连接所述芯片引脚9，所述第三发光二极管（V44）正极连接第五电阻（R81），所述第五电阻（R81）另一端连接所述芯片引脚12，所述芯片引脚12还接地；所述芯片引脚15连接第六电阻（R111），所述第六电阻（R111）另一端连接第一MOS管G级，所述第一MOS管S级接地，所述第一MOS管D级连接第七电阻（R37），所述第七电阻（R37）另一端连接第一三极管（V9）基极、第八电阻（R82），所述第一三极管（V9）发射级与所述第八电阻（R82）另一端均连接+5V电压接口，所述第一三极管（V9）集电极通过第九电阻R54连接第一LED充电指示灯；所述芯片引脚16连接第十电阻（R110），所述第十电阻（R110）另一端连接第二MOS管G级，所述第二MOS管S级接地，所述第二MOS管D级连接第十一电阻（R38），所述第十一电阻（R38）另一端连接第二三极管（V10）基极、第十二电阻（R83），所述第二三极管（V10）发射级与所述第十二电阻（R83）另一端均连接+5V电压接口，所述第二三极管（V10）集电极通过第十三电阻（R53）连接第二LED充电指示灯；所述芯片引脚14连接第三三极管（V20）基极、第四三极管（V8）基极，所述第三三极管（V20）集电极连接稳压二极管（V40）负极、第四电容C43）、+5V电压接口，所述第三三极管V20发射机连接第四三极管（V8）发射机、第十四电阻（R52）、第三MOS管（V41）G级，所述第十四电阻（R52）另一端、所述第四三极管（V8）集电极、所述稳压二极管（V40）正极、所述第四电容（C43）另一端均接地，所述第三MOS管（V41）S级接地，D级连接电感（L6）、第一二极管（V13）正极、第二二极管（V14）正极，所述电感（L6）另一端连接电压输入端口（VIN）、第五电容（C78），所述第五电容（C78）另一端接地，所述第一二极管（V13）正极、第二二极管（V14）正极均连接第三二极管（V41）负极、第十五电阻（R35）、第六电容（C76）、第七电容（C18）、第四MOS管（V24）D级，所述第三二极管（V41）正极、第十五电阻（R35）另一端、第六电容（C76）另一端、第七电容（C18）另一端均接地；所述芯片引脚10通过第十六电阻（R33）连接第五三极管（V19）基极，所述第五三极管（V19）集电极连接第十七电阻（R32）、第六三极管（V18）基极、第十八电阻（R34），所述第十七电阻（R32）另一端连接电压输入端口（VIN），所述第六三极管（V18）发射级、第五三极管（V19）发射级、第十八电阻（R34）另一端均接地；所述第六三极管（V18）集电极连接第十九电阻（R66），所述第十九电阻（R66）另一端连接所述第四MOS管（V24）G级、第二十电阻（R65），所述第二十电阻（R65）另一端连接所述第四MOS管（V24）S级、所述第二十一电阻（R108）、电池充电接口；所述第二十一电阻（R108）另一端连接第二十二电阻（R56）、所述第二十二电阻（R56）另一端连接第二十三电阻（R85）、第八电容（C41）、所述芯片引脚3，所述第二十三电阻（R85）另一端、第八电容（C41）另一端均连接第九电容（C42）、放大器（N9A）输入“+”端、第二十四电阻（R99）、第二十五电阻（R107）、所述电池充电接口，所述第二十四电阻（R99）另一端、第二十五电阻（R107）另一端、第九电容（C42）另一端还均连接所述芯片引脚8、第二十六电阻（R104）、所述电池充电接口，所述第二十六电阻（R104）另一端连接+5V电压输入端口，所述第二十四电阻（R99）另一端连接第二十七电阻（R105）、第二十八电阻（R106），所述第二十七电阻（R105）、第二十八电阻（R106）另一端接地；所述放大器（N9A）输出端连接所述芯片引脚7，所述放大器（N9A）输入“‑”连接第二十九电阻（R109）、第三十电阻（R112），所述第二十九电阻（R109）另...

【技术特征摘要】
1.一种充电控制电路，其特征在于，包括BQ2954芯片，所述芯片引脚1连接第一电容（C46）,第一电阻（R116）,所述第一电容（C46）另一端接地，所述第一电阻（R116）另一端连接第二电容（C22）、+5V电压接口，所述第二电容（C22）另一端接地；所述芯片引脚13通过所述第二电容（C22）接地；所述芯片引脚2通过第一发光二极管（V43）连接第二电阻（R45），所述第二电阻（R45）另一端连接+5V电压接口，所述芯片引脚11连接第三电阻（R44），所述第三电阻（R44）另一端连接第二发光二极管（V42）负极、第三发光二极管（V44）负极，所述第二发光二极管（V42）正极连接第四电阻（R36），所述第四电阻（R36）另一端连接所述芯片引脚12、第三电容（C64），所述第三电容（C64）连接所述芯片引脚9，所述第三发光二极管（V44）正极连接第五电阻（R81），所述第五电阻（R81）另一端连接所述芯片引脚12，所述芯片引脚12还接地；所述芯片引脚15连接第六电阻（R111），所述第六电阻（R111）另一端连接第一MOS管G级，所述第一MOS管S级接地，所述第一MOS管D级连接第七电阻（R37），所述第七电阻（R37）另一端连接第一三极管（V9）基极、第八电阻（R82），所述第一三极管（V9）发射级与所述第八电阻（R82）另一端均连接+5V电压接口，所述第一三极管（V9）集电极通过第九电阻R54连接第一LED充电指示灯；所述芯片引脚16连接第十电阻（R110），所述第十电阻（R110）另一端连接第二MOS管G级，所述第二MOS管S级接地，所述第二MOS管D级连接第十一电阻（R38），所述第十一电阻（R38）另一端连接第二三极管（V10）基极、第十二电阻（R83），所述第二三极管（V10）发射级与所述第十二电阻（R83）另一端均连接+5V电压接口，所述第二三极管（V10）集电极通过第十三电阻（R53）连接第二LED充电指示灯；所述芯片引脚14连接第三三极管（V20）基极、第四三极管（V8）基极，所述第三三极管（V20）集电极连接稳压二极管（V40）负极、第四电容C43）、+5V电压接口，所述第三三极管V20发射机连接第四三极管（V8）发射机、第十四电阻（R52）、第三MOS管（V41）G级，所述第十四电阻（R52）另一端、所述第四三极管（V8）集电极、所述稳压二极管（V40）正极、所述第四电容（C43）另一端均接地，所述第三MOS管（V41）S级接地，D级连接电感（L6）、第一二极管（V13）正极、第二二极管（V14）正极，所述电感（L6）另一端连接电压输入端口（VIN）、第五电容（C...

【专利技术属性】
技术研发人员：李杰，蒋承武，
申请(专利权)人：成都前锋电子仪器有限责任公司，
类型：发明
国别省市：四川;51