一种低噪声无线音频发射系统技术方案

本发明专利技术公开了一种低噪声无线音频发射系统，其特征在于：主要由处理芯片U，负极经电阻R7后与处理芯片U的GND管脚相连接、正极经电阻R4后作为音频信号输入端的电容C8，与电容C8相并联的电阻R5等组成。本发明专利技术可以对音频信号进行处理，有效的提高了音频信号的幅度，从而可以弥补音频信号在远距离传输过程中所产生的衰弱，提高接收端的听觉效果。同时，本发明专利技术可以消除电流噪声，避免电流噪声对音频信号造成干扰，提高音频信号的清晰度，有效改善信号传输的质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及无线传输领域，具体是指一种低噪声无线音频发射系统。
技术介绍
无线音频信号传输系统由无线发射系统和无线接收系统组成，用于远距离无线传输音频信号，其已被广泛应用于人们的生活当中，给人们的生活带来了很大的便利。随着现代科技的快速发展，人们对音频信号传输的质量要求也越来越高，音频信号在传输的过程中会出现衰弱，因此，通常会在发射端对音频信号进行处理，通过弥补信号在传输过程中出现的衰弱来提高接收端的听觉效果。然而，现有的无线音频发射系统对音频信号处理的效果不好，导致信号衰弱影响接收端的听觉效果。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决目前的无线音频发射系统无法有效的对音频信号进行处理，导致信号衰弱影响接收端听觉效果的缺陷，提供一种低噪声无线音频发射系统。本专利技术的目的通过下述技术方案现实：一种低噪声无线音频发射系统，主要由处理芯片U，负极经电阻R7后与处理芯片U的GND管脚相连接、正极经电阻R4后作为音频信号输入端的电容C8，与电容C8相并联的电阻R5，正极与处理芯片U的IN管脚相连接、负极经电阻R6后与电容C8的正极相连接的电容C7，与处理芯片U的VCC管脚相连接的降噪电路，与降噪电路相连接的混频电路，与混频电路相连接的振荡电路，以及与处理芯片U的OUT管脚相连接的信号发射电路组成；所述混频电路还与处理芯片U的IN管脚相连接。进一步的，所述降噪电路由三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，放大器P1，负极与三极管VT5的基极相连接、正极与混频电路相连接的电容C11，正极与三极管VT5的基极相连接、负极接地的电容C12，负极与三极管VT7的发射极相连接、正极经电阻R19后与三极管VT5的基极相连接的电容C13，N极与三极管VT7的基极相连接、P极接地的二极管D10，串接在二极管D10的P极和三极管VT5的发射极之间的电阻R20，P极与三极管VT5的集电极相连接、N极与三极管VT6的基极相连接的二极管D9，P极与三极管VT7的集电极相连接、N极经电阻R24后与放大器P1的正极相连接的稳压二极管D11，正极与稳压二极管D11的N极相连接、负极与二极管D10的P极相连接的电容C15，串接在放大器P1的负极和输出端之间的电阻R25，N极与放大器P1的输出端相连接、P极经电阻R23后与稳压二极管D11的N极相连接的二极管D13，P极经电阻R22后与稳压二极管D11的N极相连接、N极则与三极管VT5的基极相连接的二极管D12，负极与三极管VT6的集电极相连接、正极与二极管D12的N极相连接的电容C14，串接在三极管VT6的基极和二极管D12的N极之间的电阻R21组成；所述三极管VT6的发射极与三极管VT7的发射极相连接；所述放大器P1的输出端与处理芯片U的VCC管脚相连接。所述混频电路由变压器T，三极管VT3，一端与变压器T的原边电感线圈的同名端相连接、另一端与振荡电路相连接的同时接电源的电阻R9，正极与变压器T的原边电感线圈的同名端相连接、负极接地的电容C5，与电容C5相并联的电阻R10，串接在三极管VT3的集电极和基极之间的电阻R12，P极与三极管VT3的发射极相连接、N极经电阻R13后与电容C11的正极相连接的二极管D6，正极经电阻R11后与三极管VT3的基极相连接、负极与变压器T的副边电感线圈的抽头相连接的电容C6，P极与变压器T的副边电感线圈的同名端相连接、N极顺次经电阻R8和电感L1后与处理芯片U的IN管脚相连接的二极管D4，以及N极与变压器T的副边电感线圈的非同名端相连接、P极与二极管D4的N极相连接的二极管D5组成；所述变压器T的原边电感线圈的同名端与三极管VT3的基极相连接、其非同名端与振荡电路相连接。所述振荡电路由三极管VT1，三极管VT2，放大器P，负极与三极管VT1的基极相连接、正极经电阻R1后与放大器P的正极相连接的电容C3，N极与放大器的正极相连接、P极与电容C3的正极相连接的二极管D2，N极与三极管VT2的发射极相连接、P极接地的二极管D3，N极与二极管D2的P极相连接、P极经电阻R2后与二极管D3的P极相连接的二极管D1，正极与放大器P的负极相连接、负极与放大器P的输出端相连接的电容C1，负极与放大器P的输出端相连接、正极与三极管VT1的基极相连接的电容C2，负极与三极管VT1的基极相连接、正极经电阻R9后与变压器T的原边电感线圈的同名端相连接的电容C4，以及串接在三极管VT1的发射极和三极管VT2的集电极之间的电阻R3组成；所述三极管VT2的基极与放大器P的输出端相连接；所述三极管VT1的集电极与变压器T的原边电感线圈的非同名端相连接。所述信号发射电路由与非门A1，与非门A2，与非门A3，与非门A4，三极管VT4，天线E，负极与与非门A3的负极相连接、正极接地的电容C9，串接在与非门A1的负极和电容C9的正极之间的电阻R14，P极与与非门A1的输出端相连接、N极与与非门A2的正极相连接的二极管D7，串接在与非门A3的正极和与非门A4的输出端之间的电阻R16，串接在三极管VT4的发射极和与非门A4的输出端之间的电阻R18，串接在与非门A2的输出端和三极管VT4的基极之间的电阻R17，P极与三极管VT4的基极相连接、N极经电阻R15后与与非门A2的负极相连接的二极管D8，串接在三极管VT4的集电极和基极之间的电感L2，以及正极与三极管VT4的集电极相连接、负极与天线E相连接的电容C10组成；所述与非门A1的正极与处理芯片U的OUT管脚相连接；所述与非门A3的正极与与非门A2的负极相连接、其输出端与与非门A4的负极相连接；所述与非门A4的正极与二极管D8的N极相连接；所述三极管VT4的基极接电源。所述处理芯片U为UPC1651集成芯片。本专利技术与现有技术相比具有以下优点及有益效果：(1)本专利技术可以对音频信号进行处理，有效的提高了音频信号的幅度，从而可以弥补音频信号在远距离传输过程中所产生的衰弱，提高接收端的听觉效果。(2)本专利技术可以消除电流噪声，避免电流噪声对音频信号造成干扰，提高音频信号的清晰度，有效改善信号传输的质量。(3)本专利技术结构简单、能耗低，适合广泛推广。附图说明图1为本专利技术的整体结构示意图。图2为本专利技术的降噪电路的结构图。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式并不限于此。实施例如图1所示，本专利技术主要由处理芯片U，负极经电阻R7后与处理芯片U的GND管脚相连接、正极经电阻R4后作为音频信号输入端的电容C8，与电容C8相并联的电阻R5，正极与处理芯片U的IN管脚相连接、负极经电阻R6后与电容C8的正极相连接的电容C7，与处理芯片U的VCC管脚相连接的降噪电路，与降噪电路相连接的混频电路，与混频电路相连接的振荡电路，以及与处理芯片U的OUT管脚相连接的信号发射电路组成。所述混频电路还与处理芯片U的IN管脚相连接。为了更好的实施本专利技术，该处理芯片U优先采用UPC1651集成芯片来实现。其中，混频电路由变压器T，三极管VT3，电阻R8，电阻R9，电阻R10，电阻R11，电阻R12，电阻R13，电容C5，电容C6，电感L1，二极管D4，二极管D5以及二极管D6组成。连接时，电阻R9的一端与变压器T的原边电感线圈的同名端相连接，另一端与振荡电路相连本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低噪声无线音频发射系统，其特征在于：主要由处理芯片U，负极经电阻R7后与处理芯片U的GND管脚相连接、正极经电阻R4后作为音频信号输入端的电容C8，与电容C8相并联的电阻R5，正极与处理芯片U的IN管脚相连接、负极经电阻R6后与电容C8的正极相连接的电容C7，与处理芯片U的VCC管脚相连接的降噪电路，与降噪电路相连接的混频电路，与混频电路相连接的振荡电路，以及与处理芯片U的OUT管脚相连接的信号发射电路组成；所述混频电路还与处理芯片U的IN管脚相连接。

【技术特征摘要】
1.一种低噪声无线音频发射系统，其特征在于：主要由处理芯片U，负极经电阻R7后与处理芯片U的GND管脚相连接、正极经电阻R4后作为音频信号输入端的电容C8，与电容C8相并联的电阻R5，正极与处理芯片U的IN管脚相连接、负极经电阻R6后与电容C8的正极相连接的电容C7，与处理芯片U的VCC管脚相连接的降噪电路，与降噪电路相连接的混频电路，与混频电路相连接的振荡电路，以及与处理芯片U的OUT管脚相连接的信号发射电路组成；所述混频电路还与处理芯片U的IN管脚相连接。2.根据权利要求1所述的一种低噪声无线音频发射系统，其特征在于：所述降噪电路由三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，放大器P1，负极与三极管VT5的基极相连接、正极与混频电路相连接的电容C11，正极与三极管VT5的基极相连接、负极接地的电容C12，负极与三极管VT7的发射极相连接、正极经电阻R19后与三极管VT5的基极相连接的电容C13，N极与三极管VT7的基极相连接、P极接地的二极管D10，串接在二极管D10的P极和三极管VT5的发射极之间的电阻R20，N极与三极管VT5的集电极相连接、N极与三极管VT6的基极相连接的二极管D9，P极与三极管VT7的集电极相连接、N极经电阻R24后与放大器P1的正极相连接的稳压二极管D11，正极与稳压二极管D11的N极相连接、负极与二极管D10的P极相连接的电容C15，串接在放大器P1的负极和输出端之间的电阻R25，N极与放大器P1的输出端相连接、P极经电阻R23后与稳压二极管D11的N极相连接的二极管D13，P极经电阻R22后与稳压二极管D11的N极相连接、N极则与三极管VT5的基极相连接的二极管D12，负极与三极管VT6的集电极相连接、正极与二极管D12的N极相连接的电容C14，串接在三极管VT6的基极和二极管D12的N极之间的电阻R21组成；所述三极管VT6的发射极与三极管VT7的发射极相连接；所述放大器P1的输出端与处理芯片U的VCC管脚相连接。3.根据权利要求2所述的一种低噪声无线音频发射系统，其特征在于：所述混频电路由变压器T，三极管VT3，一端与变压器T的原边电感线圈的同名端相连接、另一端与振荡电路相连接的同时接电源的电阻R9，正极与变压器T的原边电感线圈的同名端相连接、负极接地的电容C5，与电容C5相并联的电阻R10，串接在三极管VT3的集电极和基极之间的电阻R12，P极与三极管VT3的发射极相连接、N极经电阻R13后与电容C11的正极相连接的二极管D6，正极经电阻R11后与三极管VT3的基极相连接、负极与变压器T的副边电感线圈的抽头相...

【专利技术属性】
技术研发人员：向勇，闫宗楷，吴露，朱焱麟，
申请(专利权)人：成都云材智慧数据科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51