抗电位诱发衰减效应的太阳能电池组件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种抗电位诱发衰减效应的太阳能电池组件，从正面至背面依次包括：玻璃、正面封装层、太阳能电池片、背面封装层以及背板；其中，所述背面封装层为高截止型POE封装层，所述正面封装层为高透型EVA封装层。通过将背面封装层为高截止型POE封装层，由于POE主要成分是乙烯和烃烯的共聚物，因结构均由C‑C键和C‑H键组成，不含有C＝O或其他的不饱和双键，无酸性物质释放，且体积电阻率比EVA高约一个至两个数量级，水汽透过率比EVA低约一个数量级，因而具有良好的抗PID性能。并且，本实用新型专利技术的正面封装层采用高透型EVA封装层，相对于正面封装层采用高透型POE封装层而言，本实用新型专利技术的成品功率较高，且成本低。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能电池制造
，尤其涉及一种抗电位诱发衰减效应的太阳能电池组件。
技术介绍
光伏发电是当前利用太阳能的主要方式之一，太阳能光伏发电因其清洁、安全、便利、高效等特点，已成为世界各国普遍关注和重点发展的新兴产业。因此，深入研究和利用太阳能资源，对缓解资源危机、改善生态环境具有十分重要的意义。然而，电位诱发衰减效应(PID,Potential Induced Degradation)却严重地影响了太阳能电池的寿命和性能。PID效应最早在2005年发现，指的是太阳能电池组件在野外环境和高电压作用下，由于高温、潮湿和逆变器阵列接地方式，引起的太阳能电池组件严重的腐蚀和功率的衰减。一般认为电池经过封装材料和组件边框所形成的路径所导致的漏电流是引起电势诱导衰减现象的主要原因，这就决定了封装材料和电池片在电势诱导衰减中起着关键性的作用。目前传统的晶体硅光伏组件大都用EVA封装，一般不具有抗PID性能，即使有部分抗PID作用，但是效果也都不明显；对于电池片的制备一直以来也只关注效率的提高，很少考虑电池片的抗PID性能。现有技术中为了解决PID的问题，目前有如下做法：在电池的PECVD工序对设备进行改造，引入O3或N2O及相关的工艺，对PECVD膜层进行改善，达到太阳能电池组件的抗PID效应。但是该做法存在的缺点为：1)设备改造费用昂贵；2)引入O3或N2O及相关的工艺，对电池光电转换效率存在影响；3)O3或N2O气体存在一定安全隐患。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种抗电位诱发衰减效应的太阳能电池组件，以降低太阳能电池组件的PID效应。为实现上述目的，本技术采用的技术方案如下：一种抗电位诱发衰减效应的太阳能电池组件，从正面至背面依次包括：玻璃、正面封装层、太阳能电池片、背面封装层以及背板；其中，所述背面封装层为高截止型POE封装层，所述正面封装层为高透型EVA封装层。在本技术的一个实施例中，所述高截止型POE封装层的厚度为0.5±0.04mm。在本技术的一个实施例中，所述玻璃接触空气的一面设置有增透膜。本技术由于采用以上技术方案，使之与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果：1)本技术提供的抗电位诱发衰减效应的太阳能电池组件，通过将背面封装层为高截止型POE封装层，POE又称聚烯烃，其主要成分是乙烯和烃烯的共聚物，因结构均由C-C键和C-H键组成，不含有C＝O或其他的不饱和双键，无酸性物质释放，且体积电阻率比EVA高约一个至两个数量级，水汽透过率比EVA低约一个数量级，因而具有良好的抗PID性能。2)相对于将正面封装层设置为高透型POE封装层而言，本技术的正面封装层采用高透型EVA封装层，这是由于高透型POE的透光率低于高透型EVA，因此若正面封装层采用高透型POE会导致组件封装损失升高，成品功率降低。并且高透型POE封装层的成本远高于高透型EVA封装层。附图说明图1为本技术实施例提供的抗电位诱发衰减效应的太阳能电池组件的结构爆炸示意图。标号说明：1-玻璃，2-正面封装层，3-太阳能电池片，4-背面封装层，5-背板具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本技术提出的抗电位诱发衰减效应的太阳能电池组件作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。请参考图1，如图1所示，本技术提供的抗电位诱发衰减效应的太阳能电池组件从正面至背面依次包括：玻璃1、正面封装层2、太阳能电池片3、背面封装层4以及背板5；其中，所述背面封装4层为高截止型POE封装层，所述正面封装层2为高透型EVA封装层。本技术提供的抗电位诱发衰减效应的太阳能电池组件，通过将背面封装层为高截止型POE封装层，POE又称聚烯烃，其主要成分是乙烯和烃烯的共聚物，因结构均由C-C键和C-H键组成，不含有C＝O或其他的不饱和双键，无酸性物质释放，且体积电阻率比EVA高约一个至两个数量级，水汽透过率比EVA低约一个数量级，因而具有良好的抗PID性能。而传统的背面封装层为高截止型EVA封装层，EVA的主要成分是乙烯与醋酸乙烯酯的共聚物，因结构含不饱和双键C＝O，易受光、热、湿气的影响而分解或氧化产生游离醋酸，且材料体积电阻率和水汽透过率两项与PID相关的重要指标性能一般。并且，相对于将正面封装层设置为高透型POE封装层而言，本技术的正面封装层采用高透型EVA封装层，这是由于高透型POE的透光率低于高透型EVA，因此若正面封装层采用高透型POE会导致组件封装损失升高，成品功率降低。并且高透型POE封装层的成本远高于高透型EVA封装层。进一步地，所述高截止型POE封装层的厚度为0.5±0.04mm。作为优选实施方式，所述玻璃1接触空气的一面设置有增透膜。以进一步提高光能转换效率。本技术提供的抗电位诱发衰减效应的太阳能电池组件的制作过程如下：首先，将高透型EVA材料铺设于玻璃表面；接着，将太阳能电池片铺设于高透型EVA材料表面；然后，将高截止型POE材料铺设于太阳能电池片表面；接着，将背板铺设于高截止型POE材料表面；最后，将铺设完成的上述部件放置于层压机进行层压，层压工艺针对EVA和POE的材料混用情况进行对应的调整，制成层压件。其他工序与常规太阳能电池组件相同。使用此种方法制作的太阳能电池组件，在电池端不改造的前提下，可满足IEC62804标准的双85抗PID测试(测试条件为-1000V电压，85摄氏度、85％相对湿度，96小时)。综上所述，本技术提供了一种抗电位诱发衰减效应的太阳能电池组件，从正面至背面依次包括：玻璃、正面封装层、太阳能电池片、背面封装层以及背板；其中，所述背面封装层为高截止型POE封装层，所述正面封装层为高透型EVA封装层。通过将背面封装层为高截止型POE封装层，POE又称聚烯烃，其主要成分是乙烯和烃烯的共聚物，因结构均由C-C键和C-H键组成，不含有C＝O或其他的不饱和双键，无酸性物质释放，且体积电阻率比EVA高约一个至两个数量级，水汽透过率比EVA低约一个数量级，因而具有良好的抗PID性能。并且，本技术的正面封装层采用高透型EVA封装层，相对于正面封装层采用高透型POE封装层而言，本技术的成品功率较高，且成本低。显然，本领域的技术人员可以对技术进行各种改动和变型而不脱离本技术的精神和范围。这样，倘若本技术的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本技术也意图包含这些改动和变型在内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗电位诱发衰减效应的太阳能电池组件，其特征在于，从正面至背面依次包括：玻璃、正面封装层、太阳能电池片、背面封装层以及背板；其中，所述背面封装层为高截止型POE封装层，所述正面封装层为高透型EVA封装层。

【技术特征摘要】
1.一种抗电位诱发衰减效应的太阳能电池组件，其特征在于，从正面至背面依次包括：玻璃、正面封装层、太阳能电池片、背面封装层以及背板；其中，所述背面封装层为高截止型POE封装层，所述正面封装层为高透型EVA封装层。2.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：苗林，徐高敏，魏亚楠，刘建达，王琪，王锐，张星，白良衡，
申请(专利权)人：中电投西安太阳能电力有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61