一种发光装置,其包含有一基板、一发光模块以及一透镜结构,所述基板上形成有一凹杯结构,所述凹杯结构具有一基底平台及环绕所述基底平台的一弧形侧壁,所述发光模块设置于所述基底平台上,且部分由所述发光模块所发出的光线通过所述弧形侧壁反射至所述透镜结构内,且所述透镜结构用以将射入所述透镜结构的光线导引出所述透镜结构外。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种发光装置,特别涉及一种具有高聚旋光性及薄型化的发光装置。
技术介绍
近来,发光二极管已广泛地应用于人们日常的照明系统中,例如居家照明、路灯照明或交通标志照明等。现有的发光二极管模块包含有一发光二极管芯片及一透镜,发光二极管芯片用以发出光线,而透镜用以收敛发光二极管芯片所发出的光线。然而,为将发光二极管芯片所发出的光线收敛至特定角度内,需搭配具有长高形外形结构的透镜,因而限制发光二极管模块的高度,不利发光二极管模块朝薄型化的发展方向。
技术实现思路
因此,本技术提供一种具有高聚旋光性及薄型化的发光装置,以解决上述问题。为了达成上述目的,本技术公开一种发光装置,其包含有一基板、一发光模块以及一透镜结构,所述基板上形成有一凹杯结构,所述凹杯结构具有一基底平台及环绕所述基底平台的一弧形侧壁,所述发光模块设置于所述基底平台上。所述透镜结构包含有一结合部以及一导光部,所述结合部结合于所述基板且覆盖所述凹杯结构,所述导光部设置于所述结合部上。所述导光部包含有一第一截顶圆锥导光结构以及一第二截顶圆锥导光结构,所述第一截顶圆锥导光结构具有一第一底面及一第一顶面,所述第一底面结合于所述结合部,所述第二截顶圆锥导光结构与所述第一截顶圆锥导光结构同轴设置,所述第二截顶圆锥导光结构具有一第二底面,所述第二底面结合于所述第一顶面。其中部分由所述发光模块所发出的光线通过所述弧形侧壁反射至所述透镜结构内,且所述导光部用以将射入所述透镜结构的光线导引出所述透镜结构外。根据本技术其中之一实施例,本技术进一步公开所述第二截顶圆锥导光结构进一步具有一第二顶面,所述第一顶面的面积小于所述第一底面的面积,所述第二底面的面积小于所述第一顶面的面积,且所述第二顶面的面积小于所述第二底面的面积。根据本技术其中之一实施例,本技术进一步公开所述第一底面的边缘由所述第二底面的边缘沿所述第二底面的径向方向延伸出一第一底面径向距离,所述第一顶面的边缘由所述第二底面的边缘沿所述第二底面的径向方向延伸出一第一顶面径向距离,且所述第一底面径向距离大于所述第一顶面径向距离。根据本技术其中之一实施例,本技术进一步公开所述第一底面径向距离等于0.2毫米,且所述第一顶面径向距离等于0.11毫米。根据本技术其中之一实施例,本技术进一步公开所述第二截顶圆锥导光结构进一步具有一第二顶面,所述第一顶面的面积小于所述第一底面的面积,所述第二底面的面积小于所述第一顶面的面积,所述第二顶面的面积小于所述第二底面的面积,且所述导光部进一步包含有一第三截顶圆锥导光结构,其与所述第二截顶圆锥导光结构同轴设置,所述第三截顶圆锥导光结构具有一第三底面及一第三顶面,所述第三底面结合于所述第二顶面,所述第三底面的面积小于所述第二顶面的面积,且所述第三顶面的面积小于所述第三底面的面积。根据本技术其中之一实施例,本技术进一步公开所述第二底面的边缘由所述第三底面的边缘沿所述第三底面的径向方向延伸出一第二底面径向距离,所述第二顶面的边缘由所述第三底面的边缘沿所述第三底面的径向方向延伸出一第二顶面径向距离,且所述第二底面径向距离大于所述第二顶面径向距离。根据本技术其中之一实施例,本技术进一步公开所述第二底面径向距离等于0.2毫米,且所述第二顶面径向距离等于0.11毫米。根据本技术其中之一实施例,本技术进一步公开所述第一底面的边缘、所述第二底面的边缘及所述第三底面的边缘共同位于一虚拟球面上。根据本技术其中之一实施例,本技术进一步公开所述虚拟球面的半径等于1.9毫米。根据本技术其中之一实施例,本技术进一步公开所述发光模块的几何中心通过所述虚拟球面的球心。根据本技术其中之一实施例,本技术进一步公开所述虚拟球面的球心共点于所述弧形侧壁的几何中心。根据本技术其中之一实施例,本技术进一步公开所述第一底面的边缘、所述第二底面的边缘及所述第三底面的边缘彼此共轴球面设置。综上所述,本技术发光装置的透镜结构的导光部是由多个截顶圆锥导光结构,且本技术透镜结构的导光部的出光面是由各截顶圆锥导光结构的底面、顶面及侧面所构成,因此本技术透镜结构的导光部的出光面非为一光滑连续的曲面,其可有效降低透镜结构的整体高度,不仅有利于透镜结构朝薄型化的方向发展并可将发光模块所发出的光线收敛至特定角度内。除此之外,本技术发光装置基板上的凹杯结构进一步可将部分由发光模块所发出的光线反射至透镜结构内,以使透镜结构的导光部将射入透镜结构的光线导引出透镜结构外,以达到更佳的出光效果。有关本技术前述及其他
技术实现思路
、特点与功效,在以下配合参考附图实施例的详细说明中,将可清楚的呈现。附图说明图1为本技术实施例发光装置的外观示意图。图2为本技术实施例发光装置的爆炸示意图。图3为本技术实施例发光装置的剖面示意图。其中,附图标记说明如下:1000 发光装置3000 透镜结构1 发光模块10 出光轴11 出光面2 基板3 凹杯结构30 基底平台31 弧形侧壁310 几何中心4 结合部5 导光部50 第一截顶圆锥导光结构501 第一底面502 第一顶面503 第一侧面51 第二截顶圆锥导光结构511 第二底面512 第二顶面513 第二侧面52 第三截顶圆锥导光结构521 第三底面522 第三顶面53 第四截顶圆锥导光结构54 第五截顶圆锥导光结构55 第六截顶圆锥导光结构56 第七截顶圆锥导光结构57 第八截顶圆锥导光结构6 虚拟球面60 半径61 球心B1、B2、B3、T1、T2 点D 距离X1 径向方向C1 第一底面径向距离D1 第一顶面径向距离C2 第二底面径向距离D2 第二顶面径向距离L1、L2 光线具体实施方式以下实施例中所提到的方向用语,例如:上、下、左、右、前或后等,仅是参考附加附图的方向。因此,使用的方向用语是用来说明并非用来限制本技术。请参阅图1至图3,图1为本技术实施例发光装置1000的外观示意图,图2为本技术实施例发光装置1000的爆炸示意图,图3为本技术实施例发光装置1000的剖面示意图。如图1至图3所示,发光装置1000包含有一发光模块1、一基板2及一透镜结构3000。基板2上形成有一凹杯结构3,凹杯结构3具有一基底平台30及环绕基底平台30的一弧形侧壁31,发光模块1设置于凹杯结构3内且位于基底平台30上。在此实施例中,发光模块1可为一发光二极管(Light Emitting Diode,LED)芯片,基板2可为一发光二极管基板。进一步地,透镜结构3000包含有一结合部4以及一导光部5,结合部4结合于基板2且覆盖凹杯结构3的开口及发光模块1,以使发光模块1密封于凹杯结构3内,借此发光模块1所发出的光线L1便会通过结合部4与导光部5透射出发光装置1000外。在一个实施例中,结合部4沿凹杯结构3的开口外缘延伸一距离D,以将发光模块1的一线缆(未绘示于图中)封装。导光部5设置在结合部4上,在此实施例中导光部5可与结合部4为一体成型。另外,导光部5包含有一第一截顶圆锥导光结构50、一第二截顶圆锥导光结构51以及一第三截顶圆锥导光结构52。第一截顶圆锥导光结构50具有一第一底面50本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光装置,其特征在于,所述发光装置包含有:一基板,其上形成有一凹杯结构,所述凹杯结构具有一基底平台及环绕所述基底平台的一弧形侧壁;一发光模块,其设置于所述基底平台上;以及一透镜结构,其包含有:一结合部,其结合于所述基板且覆盖所述凹杯结构;以及一导光部,其设置于所述结合部上,所述导光部包含有:一第一截顶圆锥导光结构,其具有一第一底面及一第一顶面,所述第一底面结合于所述结合部;以及一第二截顶圆锥导光结构,其与所述第一截顶圆锥导光结构同轴设置,所述第二截顶圆锥导光结构具有一第二底面,所述第二底面结合于所述第一顶面;其中部分由所述发光模块所发出的光线通过所述弧形侧壁反射至所述透镜结构内,且所述导光部用以将射入所述透镜结构的光线导引出所述透镜结构外。
【技术特征摘要】
2015.07.28 TW 1041243191.一种发光装置,其特征在于,所述发光装置包含有:一基板,其上形成有一凹杯结构,所述凹杯结构具有一基底平台及环绕所述基底平台的一弧形侧壁;一发光模块,其设置于所述基底平台上;以及一透镜结构,其包含有:一结合部,其结合于所述基板且覆盖所述凹杯结构;以及一导光部,其设置于所述结合部上,所述导光部包含有:一第一截顶圆锥导光结构,其具有一第一底面及一第一顶面,所述第一底面结合于所述结合部;以及一第二截顶圆锥导光结构,其与所述第一截顶圆锥导光结构同轴设置,所述第二截顶圆锥导光结构具有一第二底面,所述第二底面结合于所述第一顶面;其中部分由所述发光模块所发出的光线通过所述弧形侧壁反射至所述透镜结构内,且所述导光部用以将射入所述透镜结构的光线导引出所述透镜结构外。2.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述第二截顶圆锥导光结构进一步具有一第二顶面,所述第一顶面的面积小于所述第一底面的面积,所述第二底面的面积小于所述第一顶面的面积,且所述第二顶面的面积小于所述第二底面的面积。3.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述第一底面的边缘由所述第二底面的边缘沿所述第二底面的径向方向延伸出一第一底面径向距离,所述第一顶面的边缘由所述第二底面的边缘沿所述第二底面的径向方向延伸出一第一顶面径向距离,且所述第一底面径向距离大于所述第一顶面径向距离。4.如权利要求3所述的发光装置,其特征在于,所述第一底面径向距离等于0.2毫米,且所述第一顶面径向距离等于0.11毫米。5.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员:潘宇翔,
申请(专利权)人:潘宇翔,
类型:新型
国别省市:中国台湾;71
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