一种非易失性存储器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种非易失性存储器，该非易失性存储器包括存储单元阵列、字线选择单元、位线选择单元、电压泵以及控制单元，其中，所述控制单元分别与所述存储单元阵列、字线选择单元、位线选择单元以及电压泵相连接，所述电压泵与所述存储单元阵列连接，还包括：温度监测器，所述温度监测器，与所述控制单元相连，用于监测非易失性存储器所处环境的温度，并向所述控制单元传输所处环境的温度信息。利用该非易失性存储器，实现了对非易失性存储器工作所需电压的实时调整，由此在不影响非易失性存储器工作准确性的同时缩短了工作时间，进而达到了提高非易失性存储器的稳定性和可靠性的目的。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及存储设备硬件
，尤其涉及一种非易失性存储器。
技术介绍
非易失性存储器(Non-volatile Memory)，其内部采用非线性宏单元模式，具有容量大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储。广泛应用于嵌入式产品中，如数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。图1是现有非易失性存储器的一个简易结构图，由图1可知，该非易失性存储器由存储单元阵列11、字线选择单元12、位线选择单元13、电压泵14、以及控制单元15组成，其中，存储单元阵列11由多个存储单元块组成，每个存储单元块由多个存储单元页组成，每个存储单元页又基于每个存储单元字线和位线连接形成；控制单元15为整个非易失性存储器的控制核心，分别与字线选择单元12、位线选择单元13以及电压泵14连接，可控制字线选择单元12和位线选择单元13实现对存储单元阵列11的存储地址选取，还可控制电压泵14对存储单元阵列11施加电压，并控制所施加的电压大小。在非易失性存储器中，一个存储单元可看作为一个金属氧化物半导体场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)。图2是一种常见的MOSFET结构图，包括栅极20、源极21、漏极22、P型硅半导体衬底23、P-阱24以及隧穿氧化层25。其相互间的连接为：P型硅半导体衬底23扩散出两个N型区，在P型硅半导体衬底23与两个N型区之间形成P-阱24，P型硅半导体衬底23上方覆盖一层隧穿氧化层24，最后在N型区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极： 栅极20、源极21和漏极22，源极21和漏极22分别对应两个N型区且栅极20为存储单元的字线，漏极22为存储单元的位线。现有技术中，在对非易失性存储器的存储单元进行擦除或编程操作时，所采用的擦除或编程电压统一设定，然而非易失性存储器的擦除或编程能力会随着温度的变化而变化，如，当温度降低而擦除电压保持不变时，其擦除能力就相应降低，甚至一直处于擦除失败的状态；又如，当温度升高而编程电压保持不变时，其编程能力也相应降低，还会存在编程失败的情况。由此可知，外界温度的变化会影响擦除或者编程操作的工作时间，从而影响擦除或者编程效率，进而降低了非易失性存储器的可靠性和稳定性。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例提供了一种非易失性存储器，以提高非易失性存储器工作时的可靠性、高效性以及稳定性。本技术实施例提供了一种非易失性存储器，包括：包括存储单元阵列、字线选择单元、位线选择单元、电压泵以及控制单元，其中，所述控制单元分别与所述存储单元阵列、字线选择单元、位线选择单元以及电压泵相连接，所述电压泵与所述存储单元阵列连接，还包括：温度监测器，其中，所述温度监测器，与所述控制单元相连，用于监测非易失性存储器所处环境的温度，并向所述控制单元传输所处环境的温度信息。进一步的，所述温度监测器通过排线与所述控制单元上的排线接口相连。进一步的，所述温度监测器为温度传感器。本技术实施例提供了一种非易失性存储器。本技术的非易失性存储器与现有的非易失性存储器相比，增加了与控制单元相连的温度监测器，由 此可以基于该温度监测器来监测非易失性存储器所处的外界环境温度，并将监测的温度信息传递给控制单元，使得控制单元能够基于外界环境温度信息来实时调整非易失性存储器的工作电压，由此在不影响非易失性存储器工作准确性的同时缩短了工作时间，进而达到了提高非易失性存储器的稳定性和可靠性的目的。附图说明图1为现有的非易失性存储器的简易结构图；图2为非易失性存储器中作为存储单元的一种金属氧化物半导体场效晶体管的结构图；图3为本技术实施例一提供的一种非易失性存储器的简易结构图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术，而非对本技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部内容。实施例一图3为本技术实施例一提供的一种非易失性存储器的简易结构图，如图3所示，本技术实施例提供的非易失性存储器，除包括存储单元阵列31、字线选择单元32、位线选择单元33、电压泵34、以及控制单元35之外，还包括：温度监测器36。其中，温度监测器36，与控制单元35相连，用于监测非易失性存储器所处 环境的温度，并向控制单元35传输所处环境的温度信息。在本实施例中，在基于本技术的非易失性存储器进行擦除或者编程操作之前，首先可以基于温度监测器36进行外界环境温度的监测，并可通过温度监测器36将所监测的温度信息传输给控制单元35；由此使得控制单元35基于所获得的温度信息调控电压泵34的输出电压，来实时改变非易失性存储器进行擦除或者编程操作时所需的电压。进一步的，温度监测器36通过排线与控制单元35上的排线接口相连。具体的，本技术的非易失性存储器中，各单元器件之间的连接都是通过排线与排线接口的对接实现的，由此，所增加的温度监测器36也是通过排线与控制单元35上的排线接口实现连接的。进一步的，温度监测器36为温度传感器。在本实施例中，温度监测器36主要用于监测外界的温度变化，因此，可将温度监测器36优选为温度传感器。本技术实施例一提供的一种非易失性存储器，与现有的非易失性存储器相比，在其结构上增加了一个与控制单元相连的温度监测器。利用该非易失性存储器，能够首先基于温度监测器对所处的外界环境温度进行监测，并通过所监测的温度信息通过控制单元调控电压泵的输出电压，实现了对非易失性存储器工作所需电压的实时调整，由此在不影响非易失性存储器工作准确性的同时缩短了工作时间，进而达到了提高非易失性存储器的稳定性和可靠性的目的。注意，上述仅为本技术的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本技术不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本技术的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本技术进行了较为详细的说明，但是本 技术不仅仅限于以上实施例，在不脱离本技术构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本技术的范围由所附的权利要求范围决定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器，包括存储单元阵列、字线选择单元、位线选择单元、电压泵以及控制单元，其中，所述控制单元分别与所述存储单元阵列、字线选择单元、位线选择单元以及电压泵相连接，所述电压泵与所述存储单元阵列连接，其特征在于，还包括：温度监测器，所述温度监测器，与所述控制单元相连，用于监测非易失性存储器所处环境的温度，并向所述控制单元传输所处环境的温度信息。

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器，包括存储单元阵列、字线选择单元、位线选择单元、电压泵以及控制单元，其中，所述控制单元分别与所述存储单元阵列、字线选择单元、位线选择单元以及电压泵相连接，所述电压泵与所述存储单元阵列连接，其特征在于，还包括：温度监测器，所述温度监测器，与所述控制单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛子恒，潘荣华，刘奎伟，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11