偏压电路制造技术

本发明专利技术公开了一种偏压电路，包含有一偏压模块，电性连接于一放大电路；以及一控制串行，其一端电性连接于一正电压，另一端电性连接于该偏压模块，该控制串行包含有一开关组件，受控于一控制电压而导通或关闭；以及一压降组件，串接于该开关组件，该压降组件用来调整该放大电路的该偏压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种偏压电路，尤指一种可弹性调整功率放大器的偏压点的偏压电路。
技术介绍
随着科技的发展，无线通信已成为人们生活中相当重要的一环，各种不同电子装置如智能型手机、智能型穿戴装置、平板计算机中通过无线射频系统来传送或接收无线讯号。在无线射频系统中，低噪声放大器(Low Noise Amplifier，LNA)与功率放大器(Power Amplifier，PA)为必要的放大电路。为了使放大电路具有最佳的效能(如线性度)，放大电路需要施加一适当偏压，常见的作法是将放大电路电性连接于一偏压模块，利用偏压模块来提供放大电路一适当偏压。在现有技术中，偏压模块通常通过半导体制程而形成于一晶粒(Die)中。然而，因半导体制程或其他因素，偏压模块内部电路的组件特性(如内部组件的等效电阻值、内部组件的跨压等)有可能产生误差，而导致施加于放大电路的偏压不正确，进而影响放大电路的效能，更进一步地，在偏压模块形成为晶粒后，即无法调整偏压模块内部电路的组件特性，以致于电路设计上相当不便。因此，现有技术实有改进的必要。
技术实现思路
因此，本专利技术的主要目的之一在于提供一种偏压电路，其可弹性地调整功率放大器的偏压点。本专利技术揭露一种偏压电路，用来提供一放大电路的一偏压，该偏压电路包含有一偏压模块，经一半导体制程而形成于一晶粒(Die)中，该偏压模块电性连接于该放大电路；以及一控制串行，其一端电性连接于一正电压，另一端电性连接于该偏压模块，该控制串行包含有一开关组件，受控于一控制电压而导通或关闭；以及一压降组件，串接于该开关组件，该压降组件用来调整该放大电路的该偏压【附图说明】图1为本专利技术实施例一偏压电路的示意图。图2为本专利技术实施例一偏压电路的示意图。图3为本专利技术实施例一偏压电路的示意图。图4为本专利技术实施例一偏压模块的内部电路的示意图。其中的附图标记说明如下：10、20、30 偏压电路100 放大电路102、402 偏压模块104 开关组件106、206、306 压降组件108 控制串行Vref、Vb、Vc 电压【具体实施方式】请参考图1，图1为本专利技术实施例一偏压电路10的示意图。偏压电路10用来提供一放大电路100的一特定偏压，如图1所示，放大电路100可为一晶体管，其可为一功率放大器(Power Amplifier，PA)或一低噪声放大器(Low Noise Amplifier，LNA)，偏压电路10包含有一偏压模块102、一开关组件104及一压降组件106。偏压模块102形成于一第一晶粒(Die)中，偏压模块102的一端电性连接于一正电压Vc，偏压模块102的另一端电性连接于放大电路100的一输入端，用来提供放大电路100的偏压。开关组件104可由一场效晶体管(Field Effect Transistor，FET)组成，通过开关组件104的一闸极接收一控制电压Vref，换句话说，控制电压Vref可控制开关组件104使其导通或关闭，进而控制放大电路100而使其导通或关闭。压降组件106串接于开关组件104，压降组件106与开关组件104形成一控制串行108，控制串行108的一端电性连接于一正电压Vb，控制串行108的另一端电性连接于偏压模块102，压降组件106可为一电阻，可通过调整压降组件106的电阻值以调整放大电路100的偏压。其中，压降组件106或控制串行108设置于第一晶粒以外，即设置于第一晶粒以外的印刷电路板或另一晶粒中。需注意的是，通常偏压模块102可通过半导体制程而形成于第一晶粒中，当偏压模块102内部电路的组件特性(如偏压模块102内部组件的等效电阻值、偏压模块102内部组件的跨压等)因半导体制程或其他因素产生误差，而导致施加于放大电路100的偏压不正确时，即无法调整偏压模块102提供给放大电路100的偏压。通过偏压电路10将压降组件106或控制串行108设置于第一晶粒以外，即使偏压模块102已形成为晶粒而无法调整偏压模块102内部电路的组件特性，仍可在偏压模块102外部通过调整压降组件106的组件特性，而正确地提供放大电路100适当的偏压，使放大电路100具有最佳的效能(如线性度)。需注意的是，为了调整放大电路100的偏压，压降组件不限于仅包含一电阻。压降组件可由复数个电阻串联或并联而成，举例来说，请参考图2及图3，图2及图3分别为本专利技术实施例一偏压电路20及一偏压电路30的示意图。偏压电路20及偏压电路30与偏压电路10结构类似，因此相同组件沿用相同符号。与偏压电路10不同的是，偏压电路20及偏压电路30分别包含一压降组件206及一压降组件306，压降组件206包含相互串联的复数个电阻，而压降组件306包含相互并联的复数个电阻。由图2及图3可知，当偏压模块102内部组件的等效电阻值因半导体制程或其他因素产生误差，而导致施加于放大电路100的偏压不正确时，由于压降组件206及压降组件306中串联或并联复数个电阻，可增加或减少压降组件206及压降组件306的电阻值，而正确地提供放大电路100适当的偏压，使放大电路100具有最佳的线性度。在现有技术中，偏压模块内部电路的组件特性(如内部组件的等效电阻值、内部组件的跨压等)因半导体制程或其他因素而有可能产生误差，且偏压模块形成为晶粒后无法调整偏压模块内部电路的组件特性，导致施加于放大电路的偏压不正确，进而影响放大电路的效能。相较之下，本专利技术可在偏压模块外部调整压降组件的组件特性，以补偿偏压模块因半导体制程所造成的误差，而正确地提供放大电路适当的偏压，使放大电路具有最佳效能。需注意的是，前述实施例是用以说明本专利技术的概念，本领域技术人员当可根据前述实施例做不同的修饰，而不限于此。举例来说，放大电路100及偏压模块102可由异质接面双载子晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor，HBT)或高速电子移动晶体管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)所组成，而不在此限。另外，开关组件104可为高速电子移动晶体管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)，而不在此限。偏压模块102可利用砷化镓半导体晶圆制程而形成于一晶粒中，而不在此限。另外，压降组件可串接于开关组件104与正电压之间，压降组件可与开关组件104及偏压模块102一同封装在一晶粒中，或是与晶粒分开，放置于外部电路如一印刷电路板之上。除此之外，偏压模块的内部电路并未有所限。举例来说，请参考图4，图4是本专利技术实施例以一偏压模块402实现图1的偏压模块102的示意图。偏压模块402包含有晶体管Q1、Q2、Q3，晶体管Q1、Q2、Q3可由异质接面双载子晶体管组成，偏压模块402可提供固定偏压至放大电路100，即偏压模块402也可应用于图2、3的偏压电路20、30。然而，偏压模块的内部电路不限于图4所示的电路，也可有其他实现方式，只要偏压模块电性连接于放大电路与控制串行之间，即符合本专利技术的要求。综上所述，本专利技术可在偏压模块外部调整压降组件的组件特性，以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种偏压电路，用来提供一放大电路的一偏压，该偏压电路包含有：一偏压模块，经一半导体制程而形成于一第一晶粒中，该偏压模块电性连接于该放大电路；以及一控制串行，其一端电性连接于一正电压，另一端电性连接于该偏压模块，该控制串行包含有：一开关组件，受控于一控制电压而导通或关闭；以及一压降组件，串接于该开关组件与该正电压之间，该压降组件用来调整该放大电路的该偏压。

【技术特征摘要】
2015.06.17 TW 1041196611.一种偏压电路，用来提供一放大电路的一偏压，该偏压电路包含有：一偏压模块，经一半导体制程而形成于一第一晶粒中，该偏压模块电性连接于该放大电路；以及一控制串行，其一端电性连接于一正电压，另一端电性连接于该偏压模块，该控制串行包含有：一开关组件，受控于一控制电压而导通或关闭；以及一压降组件，串接于该开关组件与该正电压之间，该压降组件用来调整该放大电路的该偏压。2.如权利要求1所述的偏压电路，其中该放大电路为一功率放大器或低噪声放大器。3.如权利要求1所述的偏压电路，其中该放大电路由异质接面双载子晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱瑞杰，黃凡修，黃智文，
申请(专利权)人：稳懋半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71