劣化补偿器制造技术

公开了一种劣化补偿器。该劣化补偿器包括：压缩器，通过被包括在帧中的块的R、G和B输入信号来生成代表该块的劣化水平的块级压缩应力矩阵(“BCSM”)；更新器，通过增加BCSM来更新帧级累积压缩应力矩阵(“FACSM”)；误差校正器，当电源被停止时，对被包括在FACSM中的块级累积压缩应力矩阵(“BACSM”)的元素执行误差校正编码，将编码后的元素写为非易失性存储器设备的存储数据，当电源被启动时，对存储数据执行误差校正解码，并将解码后的存储数据写入易失性存储器的FACSM；恢复器，生成块级累积应力矩阵(“BASM”)；以及内部补偿器，生成补偿后的R、G和B输出信号。

【技术实现步骤摘要】

示例性实施例大体上涉及显示设备。更具体地，专利技术的实施例涉及有机发光二极管显示设备的劣化补偿器。
技术介绍
由于有机发光二极管(“OLED”)显示设备使用产生光的OLED来显示图像，因此与液晶显示设备(“LCD”)不同的是，OLED显示设备不需要光源(例如背光单元)。因此，OLED显示设备可以相对薄和轻。另外，与LCD相比，OLED显示设备可具有低功耗、提高的亮度、提高的响应速度等优点。因此，OLED显示设备被广泛用作被包括于电子设备中的显示设备。在被包括于OLED显示设备中的显示面板中始终以高亮度显示相同图案的像素电路(例如显示诸如“NBC”或“CBS”的公司标志的部分)的情况下，驱动晶体管的迁移率因为被应用到其上的强且持续的电流而劣化。在像素电路劣化后，在像素电路上出现图像残留，使得观众可能在不打算显示标志的另一图像上看到标志。当劣化水平或被应用到OLED显示设备的显示面板的应力被精确地计算时，可以除去图像残留。为了精确地计算应力，与显示面板的各部分已发射的光的亮度的总和成比例的应力累积值可被存储为应力矩阵形式。因为应力矩阵需要非常大尺寸的贮存器，所以应力矩阵被线性变换、压缩和累积。
技术实现思路
当在累积应力矩阵的低频分量上出现误差并且有机发光二极管(“OLED”)显示设备根据具有误差的累积应力矩阵来补偿输入信号时，被包括在帧中的预定块的亮度可能会失真。示例性实施例提供了一种劣化补偿器，该劣化补偿器降低OLED显示设备的显示面板的应力矩阵上的误差，并且当在应力矩阵上检测到误差时防止误差的累积。根据示例性实施例，一种劣化补偿器包括压缩器、非易失性存储器设备、更新器、误差校正器、恢复器和内部补偿器。压缩器通过被包括在帧中的块的红(R)、绿(G)和蓝(B)输入信号来生成代表该块的劣化水平的块级压缩应力矩阵(“BCSM”)。更新器包括易失性存储器。更新器通过将BCSM增加到FACSM来更新FACSM。FACSM被存储在易失性存储器中。FACSM代表帧的累积劣化水平。当电源被停止时，误差校正器用不同强度对被包括在FACSM中的块级累积压缩应力矩阵(“BACSM”)的元素执行误差校正编码，并将编码后的元素写为非易失性存储器设备的存储数据。当电源被启动时，误差校正器对存储数据执行误差校正解码，并将解码后的存储数据写为易失性存储器的FACSM。恢复器通过恢复FACSM中与该块对应的BACSM来生成块级累积应力矩阵(“BASM”)。内部补偿器通过将R、G和B输入信号与基于BASM生成的数据补偿值相加来生成与该块对应的补偿后的R、G和B输出信号。在示例性实施例中，元素可以包括至少一个低频元素和至少一个高频元素。在示例性实施例中，被应用于至少一个低频元素的误差校正编码的强度可以大于等于被应用于至少一个高频元素的误差校正编码的强度。在示例性实施例中，在对至少一个低频元素的误差校正编码期间生成的奇偶校验位的数量可以大于等于在对至少一个高频元素的误差校正编码期间生成的奇偶校验位的数量。在示例性实施例中，被应用于至少一个低频元素的高位的误差校正编码的强度可以大于等于被应用于至少一个低频元素的低位的误差校正编码的强度。被应用于至少一个高频元素的高位的误差校正编码的强度可以大于等于被应用于至少一个高频元素的低位的误差校正编码的强度。在示例性实施例中，在对至少一个低频元素的高位的误差校正编码期间生成的奇偶校验位的数量可以大于等于在对至少一个低频元素的低位的误差校正编码期间生成的奇偶校验位的数量。在对至少一个高频元素的高位的误差校正编码期间生成的奇偶校验位的数量可以大于等于在对至少一个高频元素的低位的误差校正编码期间生成的奇偶校验位的数量。在示例性实施例中，压缩器可以包括应力矩阵生成器、变换器和选择器。应力矩阵生成器可以基于R、G和B输入信号来生成与该块对应的块级应力矩阵(“BSM”)。变换器可以通过对BSM应用线性变换来生成变换后的应力矩阵(“TSM”)。选择器可以通过选择TSM的一部分来生成BCSM。在示例性实施例中，当BSM是四乘四(即，4×4)矩阵并且线性变换是离散余弦变换(“DCT”)时，选择器可以通过选择TSM的作为TSM的低频元素的第(1,1)元素、第(1,2)元素、第(2,1)元素和第(2,2)元素来生成BCSM。在示例性实施例中，当BSM是4×4矩阵并且线性变换是阿达玛变换时，选择器可以通过选择TSM的第(1,1)元素、第(1,3)元素、第(3,1)元素和第(3,3)元素来生成BCSM。在示例性实施例中，线性变换可以是哈尔变换。根据示例性实施例，一种劣化补偿器包括压缩器、非易失性存储器设备、更新器、循环冗余校验器、恢复器和内部补偿器。压缩器通过被包括在帧中的块的R、G和B输入信号来生成代表该块的劣化水平的BCSM。更新器包括易失性存储器。当使能信号被激活时，更新器通过将BCSM增加到FACSM来更新FACSM。FACSM被存储在易失性存储器中。FACSM代表帧的累积劣化水平。当电源被停止时，更新器顺序输出被包括在FACSM中的BACSM的元素的一部分作为部分数据信号。当电源被停止时，循环冗余校验器通过对部分数据信号执行循环冗余校验来生成循环冗余校验(“CRC”)奇偶校验，并将CRC奇偶校验写入非易失性存储器设备。恢复器通过恢复FACSM中与该块对应的BACSM来生成BASM。内部补偿器通过将R、G和B输入信号与基于BASM生成的数据补偿值相加来生成与该块对应的补偿后的R、G和B输出信号。当电源被启动时，更新器从非易失性存储器设备读取CRC奇偶校验和FACSM，并且更新器通过比较所读取的CRC奇偶校验与从所读取的FACSM重新生成的CRC奇偶校验来激活或停用使能信号。在示例性实施例中，当所读取的CRC奇偶校验与重新生成的CRC奇偶校验相同时，更新器可以激活使能信号。当所读取的CRC奇偶校验与重新生成的CRC奇偶校验不同时，更新器可以停用使能信号。在示例性实施例中，CRC奇偶校验可以包括第一CRC奇偶校验位、第二CRC奇偶校验位和第三CRC奇偶校验位。循环冗余检验器可以包括第一异或(“XOR”)门和第二异或(“XOR”)门、以及第一D触发器、第二D触发器和第三D触发器。第一XOR门的第一输入端可以接收部分数据信号，第一XOR门的第二输入端可以接收第三CRC奇偶校验位，并且第一XOR门的输出端可以输出第一信号。第一D触发器的数据输入端可以接收第一信号，第一D触发器的时钟输入端可以接收时钟信号，并且第一D触发器的数据输出端可以输出第一CRC奇偶校验位。第二XOR门的第一输入端可以接收第一信号，第二XOR门的第二输入端可以接收第一CRC奇偶校验位，并且第二XOR门的输出端可以输出第二信号。第二D触发器的数据输入端可以接收第二信号，第二D触发器的时钟输入端可以接收时钟信号，并且第二D触发器的数据输出端可以输出第二CRC奇偶校验位。第三D触发器的数据输入端可以接收第二CRC奇偶校验位，第三D触发器的时钟输入端可以接收时钟信号，并且第三D触发器的数据输出端可以输出第三CRC奇偶校验位。根据示例性实施例，一种劣化补偿器包括压缩器、非易失性存储器设备、更新器、误差校正器、循环冗余校验器、恢复器和内部补偿器。压缩器通过被包括在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种劣化补偿器，包括：压缩器，通过被包括在帧中的块的R、G和B输入信号来生成代表所述块的劣化水平的块级压缩应力矩阵；非易失性存储器设备；更新器，包括易失性存储器并通过将所述块级压缩应力矩阵增加到帧级累积压缩应力矩阵来更新所述帧级累积压缩应力矩阵，所述帧级累积压缩应力矩阵被存储在所述易失性存储器中，所述帧级累积压缩应力矩阵代表所述帧的累积劣化水平；误差校正器，当电源被停止时，用不同强度对被包括在所述帧级累积压缩应力矩阵中的块级累积压缩应力矩阵的元素执行误差校正编码，且将编码后的元素写为所述非易失性存储器设备的存储数据，并且当所述电源被启动时，对所述存储数据执行误差校正解码，且将解码后的存储数据写为所述易失性存储器的所述帧级累积压缩应力矩阵；恢复器，通过恢复所述帧级累积压缩应力矩阵中与所述块对应的所述块级累积压缩应力矩阵来生成块级累积应力矩阵；以及内部补偿器，通过将所述R、G和B输入信号与基于所述块级累积应力矩阵生成的数据补偿值相加来生成与所述块对应的补偿后的R、G和B输出信号。

【技术特征摘要】
2015.06.22 KR 10-2015-00885411.一种劣化补偿器，包括：压缩器，通过被包括在帧中的块的R、G和B输入信号来生成代表所述块的劣化水平的块级压缩应力矩阵；非易失性存储器设备；更新器，包括易失性存储器并通过将所述块级压缩应力矩阵增加到帧级累积压缩应力矩阵来更新所述帧级累积压缩应力矩阵，所述帧级累积压缩应力矩阵被存储在所述易失性存储器中，所述帧级累积压缩应力矩阵代表所述帧的累积劣化水平；误差校正器，当电源被停止时，用不同强度对被包括在所述帧级累积压缩应力矩阵中的块级累积压缩应力矩阵的元素执行误差校正编码，且将编码后的元素写为所述非易失性存储器设备的存储数据，并且当所述电源被启动时，对所述存储数据执行误差校正解码，且将解码后的存储数据写为所述易失性存储器的所述帧级累积压缩应力矩阵；恢复器，通过恢复所述帧级累积压缩应力矩阵中与所述块对应的所述块级累积压缩应力矩阵来生成块级累积应力矩阵；以及内部补偿器，通过将所述R、G和B输入信号与基于所述块级累积应力矩阵生成的数据补偿值相加来生成与所述块对应的补偿后的R、G和B输出信号。2.根据权利要求1所述的劣化补偿器，其中所述元素包括至少一个低频元素和至少一个高频元素。3.根据权利要求2所述的劣化补偿器，其中被应用于所述至少一个低频元素的误差校正编码的强度大于等于被应用于所述至少一个高频元素的误差校正编码的强度。4.根据利要求2所述的劣化补偿器，其中在对所述至少一个低频元素的误差校正编码期间生成的奇偶校验位的数量大于等于在对所述至少一个高频元素的误差校正编码期间生成的奇偶校验位的数量。5.根据权利要求2所述的劣化补偿器，其中被应用于所述至少一个低频元素的高位的误差校正编码的强度大于等于被应用于所述至少一个低频元素的低位的误差校正编码的强度，其中被应用于所述至少一个高频元素的高位的误差校正编码的强度大于等于被应用于所述至少一个高频元素的低位的误差校正编码的强度。6.根据权利要求2所述的劣化补偿器，其中在对所述至少一个低频元素的高位的误差校正编码期间生成的奇偶校验位的数量大于等于在对所述至少一个低频元素的低位的误差校正编码期间生成的奇偶校验位的数量，其中在对所述至少一个高频元素的高位的误差校正编码期间生成的奇偶校验位的数量大于等于在对所述至少一个高频元素的低位的误差校正编码期间生成的奇偶校验位的数量。7.根据权利要求1所述的劣化补偿器，其中所述压缩器包括：应力矩阵生成器，基于所述R、G和B输入信号生成与所述块对应的块级应力矩阵；变换器，通过对所述块级应力矩阵应用线性变换来生成变换后的应力矩阵；以及选择器，通过选择所述变换后的应力矩阵的一部分来生成所述块级压缩应力矩阵。8.根据权利要求7所述的劣化补偿器，其中，当所述块级应力矩阵是4乘4矩阵并且所述线性变换是离散余弦变换时，所述选择器通过选择所述变换后的应力矩阵的作为所述变换后的应力矩阵的低频元素的第(1,1)元素、第(1,2)元素、第(2,1)元素和第(2,2)元素来生成所述块级压缩应力矩阵。9.根据权利要求7所述的劣化补偿器，其中，当所述块级应力矩阵是4乘4矩阵并且所述线性变换是阿达玛变换时，所述选择器通过选择所述变换后的应力矩阵的第(1,1)元素、第(1,3)元素、第(3,1)元素和第(3,3)元素来生成所述块级压缩应力矩阵。10.根据权利要求7所述的劣化补偿器，其中所述线性变换是哈尔变换。11.一种劣化补偿器，包括：压缩器，通过被包括在帧中的块的R、G和B输入信号来生成代表所述块的劣化水平的块级压缩应力矩阵；非易失性存储器设备；更新器，包括易失性存储器，当使能信号被激活时通过将所述块级压缩应力矩阵增加到帧级累积压缩应力矩阵来更新所述帧级累积压缩应力矩阵，所述帧级累积压缩应力矩阵被存储在所述易失性存储器中，所述帧级累积压缩应力矩阵代表所述帧的累积劣化水平，当电源被停止时，所述更新器顺序输出被包括在所述帧级累积压缩应力矩阵中的块级累积压缩应力矩阵的元素的一部分作为部分数据信号；循环冗余校验器，当所述电源被停止时，通过对所述部分数据信号执行循环冗余校验来生成循环冗余校验奇偶校验，并将所述循环冗余校验奇偶校验写入所述非易失性存储器设备；恢复器，通过恢复所述帧级累积压缩应力矩阵中与所述块对应的所述块级累积压缩应力矩阵来生成块级累积应力矩阵；以及内...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘炫硕，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR