基板处理装置以及基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置以及基板处理方法，一边使处理液喷出口在预喷出位置向存放器喷出药液，一边检测供给到存放器的药液的温度。药液的温度随着时间的经过而上升。当供给至存放器的药液的温度到达第二目标温度时，使处理液喷出口停止喷出药液。然后，变更处理液喷出口以及存放器的位置关系，使处理液喷出口在处理位置向基板喷出药液。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对基板进行处理的基板处理装置以及基板处理方法。作为成为处理对象的基板，例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、FED(Field Emission Display：场发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。
技术介绍
在日本特开2006-344907号公报中公开了一种对半导体晶片等基板一张一张进行处理的单张式的基板处理装置。所述基板处理装置具有将基板保持为水平并使基板旋转的旋转卡盘、容纳旋转卡盘的腔室、向由旋转卡盘保持的基板的上表面喷出温度比室温高的药液的喷嘴。当打开药液阀时，药液从药液供给路向喷嘴供给，并从喷嘴的喷出口喷出。在所述基板处理装置中，当关闭药液阀时，停止向从药液阀至喷嘴的喷出口的流路供给药液。因此，构成所述流路的配管等的温度下降。然后，当为了喷出高温的药液而打开药液阀时，配管等由药液升温。从喷嘴喷出的药液的温度上升直到配管等的温度稳定为止。在利用同一腔室处理多张基板的情况下，第一张基板的处理品质与之后的基板的处理品质可能不同。当在向要处理的基板供给药液之前进行使喷嘴喷出药液的预喷出(Pre-dispense)工序时，能够使向基板供给的药液的温度稳定，能够降低处理品质的偏差。但是，在以往的基板处理装置中，在预喷出工序中从喷嘴喷出的药液的实际的温度不清楚，所以需要将药液的喷出时间设定为比药液的温度稳定的时间长。在该情况下，由于进行本来不需要的药液的喷出，所以导致吞吐量(每单位时间的基板的处理张数)恶化，药液的消耗量增加。不仅在处理液的温度比室温高的情况下产生上述问题，而且在处理液的温度比室温低的情况下也产生上述问题。而且，不仅在利用高温或低温的处理液对基板进行处理的情况下产生上述问题，而且在利用高温或低温的处理气体对基板进行处理的情况下也产生上述问题。
技术实现思路
本专利技术的一实施方式提供一种基板处理装置，该基板处理装置包括：喷出口，喷出对基板进行处理的处理流体，供给路，向所述喷出口引导处理流体，喷出阀，安装在所述供给路上，基板保持单元，一边将由从所述喷出口喷出的处理流体处理的基板保持为水平一边使该基板旋转，存放器，接受从所述喷出口喷出的处理流体，位置变更单元，在处理位置和预喷出位置之间变更所述喷出口以及存放器的位置关系，所述处理位置是从所述喷出口喷出的处理流体向由所述基板保持单元保持的基板供给的位置，所述预喷出位置是从所述喷出口喷出的处理流体向所述存放器供给的位置，下游温度检测单元，对从所述喷出口供给到所述存放器的处理流体的温度进行检测，控制装置，对所述喷出阀以及位置变更单元进行控制。所述控制装置执行：第一步骤，通过打开安装在向喷出对基板进行处理的处理流体的所述喷出口引导处理流体的所述供给路上的所述喷出阀，使所述喷出口在从所述喷出口喷出的处理流体向所述存放器供给的所述预喷出位置喷出处理流体，第二步骤，与所述第一步骤并行，通过所述下游温度检测单元对从所述喷出口喷出的处理流体的温度进行检测，第三步骤，基于在所述第二步骤检测出的处理流体的温度，停止从所述喷出口向所述存放器供给处理流体，第四步骤，在所述第三步骤之后，使所述喷出口在从所述喷出口喷出的处理流体向由所述基板保持单元保持的基板供给的所述处理位置喷出处理流体。处理流体可以是处理液，可以是处理气体，也可是包含液体以及气体的混合流体。具体地说，处理流体可以是处理液的雾滴，也可以是处理液的蒸气。根据该结构，一边使喷出口在预喷出位置向存放器喷出处理流体，一边对供给至存放器的处理流体的温度进行检测。并且，当供给至存放器的处理流体的温度达到目标温度时，使喷出口停止喷出处理流体。然后，变更喷出口以及存放器的位置关系，使喷出口在处理位置向基板喷出处理流体。由此，处理流体供给至基板，基板由处理流体处理。这样，由于在向要处理的基板供给处理流体之前使喷出口喷出处理流体，所以能够使向基板供给的处理流体的温度稳定，能够降低处理品质的偏差。进而，由于基于供给至存放器的处理流体的实际的温度停止处理流体的喷出，所以能够减少无用的处理流体的喷出。由此，能够降低处理品质的偏差，并能够缩短预喷出工序的时间。在本实施方式中，以下的至少一个特征可以加入所述基板处理装置。所述下游温度检测单元包括下游接触面，该下游接触面配置在从所述喷出口喷出的处理流体直接碰触的位置。根据该结构，从喷出口喷出的处理流体与下游温度检测单元的下游接触面直接碰触。因此，能够抑制其他构件对处理流体造成的温度的变化，能够高精度地检测出供给至存放器的处理流体的温度。所述下游温度检测单元包括相对于水平面倾斜的下游接触面，对与所述下游接触面接触的处理流体的温度进行检测。根据该结构，下游温度检测单元的下游接触面倾斜，所以供给至下游接触面的处理流体(特别是处理液)沿着下游接触面向斜下方流动。因此，能够抑制或防止处理流体在下游接触面的滞留。进而，由于处理流体沿着下游接触面流动，所以能够扩大处理流体与下游接触面接触的面积。由此，能够高精度地检测处理流体的温度。所述存放器包括从所述存放器内排出处理流体的排出口，所述下游接触面朝向所述排出口向斜下方倾斜。根据该结构，从喷出口供给至存放器的处理流体由排出口从存放器排出。供给至下游接触面的处理流体由向斜下方倾斜的下游接触面向排出口引导。由此，能够促进从存放器内排出处理流体，能够抑制或防止在下游接触面的处理流体的滞留。所述下游温度检测单元包括由包含碳化硅的材料作成的下游接触面，对与所述下游接触面接触的处理流体的温度进行检测。碳化硅不仅具有耐药品性，而且具有高的热传导率。因此，通过由包含碳化硅的材料作成下游温度检测单元的下游接触面，能够缩短检测处理流体的温度所需的时间。进而，虽然碳化硅有时在处理流体中产生污染基板的污染物，但是供给至存放器的处理流体不会向基板供给而从存放器排出。因此，能够防止从碳化硅析出的污染物污染基板，并能够在短时间内检测处理流体的温度。所述基板处理装置还包括在所述喷出阀的上游对位于所述供给路的处理流体的温度进行检测的上游温度检测单元，所述上游温度检测单元包括与位于所述供给路的处理流体接触的上游接触面，对与所述上游接触面接触的处理流体的温度进行检测，所述下游温度检测单元包括由热传导率比所述上游温度检测单元的所述上游接触面高的材料作成的下游接触面，对与所述下游接触面接触的处理流体的温度进行检测。根据该结构，由于上游温度检测单元配置在喷出阀的上游，所以即使在喷出阀关闭时，上游温度检测单元的上游接触面也能够与位于供给路的处理流体接触。因此，即使上游温度检测单元对温度的检测时间比较长，在吞吐量和处理流体的消耗量方面也不会产生问题。而另一方面，当下游温度检测单元对温度的检测时间长时，尽管从喷出口喷出的处理流体的温度稳定，还继续喷出处理流体的喷出。下游温度检测单元的下游接触面由热传导率比上游温度检测单元的上游接触面高的材料作成。因此，能够缩短下游温度检测单元对温度的检测时间，能够减少无用的处理流体的喷出。在所述预喷出位置的所述喷出口至所述下游温度检测单元的距离，等于在所述处理位置的所述喷出口至所述基板的距离。“等于”不仅包括2个距离严格一致的情况，而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其中，包括：喷出口，喷出对基板进行处理的处理流体，供给路，向所述喷出口引导处理流体，喷出阀，安装在所述供给路上，基板保持单元，一边将由从所述喷出口喷出的处理流体处理的基板保持为水平一边使该基板旋转，存放器，接受从所述喷出口喷出的处理流体，位置变更单元，在处理位置和预喷出位置之间变更所述喷出口以及存放器的位置关系，所述处理位置是从所述喷出口喷出的处理流体向由所述基板保持单元保持的基板供给的位置，所述预喷出位置是从所述喷出口喷出的处理流体向所述存放器供给的位置，下游温度检测单元，对从所述喷出口供给到所述存放器的处理流体的温度进行检测，控制装置，对所述喷出阀以及位置变更单元进行控制；所述控制装置执行：第一步骤，通过打开安装在向喷出对基板进行处理的处理流体的所述喷出口引导处理流体的所述供给路上的所述喷出阀，使所述喷出口在从所述喷出口喷出的处理流体向所述存放器供给的所述预喷出位置喷出处理流体，第二步骤，与所述第一步骤并行，通过所述下游温度检测单元对从所述喷出口喷出的处理流体的温度进行检测，第三步骤，基于在所述第二步骤检测出的处理流体的温度，停止从所述喷出口向所述存放器供给处理流体，第四步骤，在所述第三步骤之后，使所述喷出口在从所述喷出口喷出的处理流体向由所述基板保持单元保持的基板供给的所述处理位置喷出处理流体。...

【技术特征摘要】
2015.06.18 JP 2015-1230591.一种基板处理装置，其中，包括：喷出口，喷出对基板进行处理的处理流体，供给路，向所述喷出口引导处理流体，喷出阀，安装在所述供给路上，基板保持单元，一边将由从所述喷出口喷出的处理流体处理的基板保持为水平一边使该基板旋转，存放器，接受从所述喷出口喷出的处理流体，位置变更单元，在处理位置和预喷出位置之间变更所述喷出口以及存放器的位置关系，所述处理位置是从所述喷出口喷出的处理流体向由所述基板保持单元保持的基板供给的位置，所述预喷出位置是从所述喷出口喷出的处理流体向所述存放器供给的位置，下游温度检测单元，对从所述喷出口供给到所述存放器的处理流体的温度进行检测，控制装置，对所述喷出阀以及位置变更单元进行控制；所述控制装置执行：第一步骤，通过打开安装在向喷出对基板进行处理的处理流体的所述喷出口引导处理流体的所述供给路上的所述喷出阀，使所述喷出口在从所述喷出口喷出的处理流体向所述存放器供给的所述预喷出位置喷出处理流体，第二步骤，与所述第一步骤并行，通过所述下游温度检测单元对从所述喷出口喷出的处理流体的温度进行检测，第三步骤，基于在所述第二步骤检测出的处理流体的温度，停止从所述喷出口向所述存放器供给处理流体，第四步骤，在所述第三步骤之后，使所述喷出口在从所述喷出口喷出的处理流体向由所述基板保持单元保持的基板供给的所述处理位置喷出处理流体。2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述下游温度检测单元包括下游接触面，该下游接触面配置在从所述喷出口喷出的处理流体直接碰触的位置。3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，所述下游温度检测单元包括相对于水平面倾斜的下游接触面，对与...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林健司，泽岛隼，中岛章宏，
申请(专利权)人：株式会社思可林集团，
类型：发明
国别省市：日本;JP