指纹辨识装置及其制造方法制造方法及图纸

一种指纹辨识装置及其制造方法，该指纹辨识装置，包括：一基板、一感应电极层、一指纹辨识感测芯片；该基板具有一第一侧及一第二侧及多个穿孔，这些穿孔连接该第一、二侧；该感应电极层设于该基板的第一侧，该感应电极层具有多个第一电极及多个第二电极及一绝缘层，该第一、二电极及该绝缘层叠层设置，并且，该绝缘层部分设置于该第一、二电极之间，并且，部分绝缘层包附该第一、二电极；该指纹辨识感测芯片设于前述基板的第二侧；通过本发明专利技术的结构及其制造方法可改善现有指纹辨识装置的复杂结构以及工艺上的不便利。

【技术实现步骤摘要】

一种指纹辨识装置及其制造方法，尤指一种可改善现有复杂指纹辨识结构的指纹辨识装置及其制造方法。
技术介绍
现行指纹辨识功能为搭载于移动装置上的一种基本安全机制，现有指纹辨识装置分为独立式与整合式两大类，其中独立式又分为接触式及非接触式两种，接触式通过感应电极直接对所接触的指纹进行辨识，通常设置于触控区域或独立设置于非触控区域，另外，非接触式的指纹辨识装置则通过超音波的方式进行指纹辨识，非接触式的指纹辨识则不限于所设置之处是否为触控区域或非触控区域。虽然，现行指纹辨识技术已发展成熟，但对于指纹辨识装置的整体结构设计上仍在不断改进求新求变，并且，因为移动装置日渐轻薄化，故如何设计符合狭窄空间使用的指纹辨识装置也成为一首要目标。并且，现行指纹辨识装置工艺以及结构如何使用户使用时更便利，辨识率更高，则为现阶段最为首重的目标。
技术实现思路
因此，为解决上述现有技术的缺点，本专利技术的主要目的在于提供一种具有较为简化结构的指纹辨识装置。本专利技术另一目的是提供一种具有较为简化结构的指纹辨识装置的制造方法。为达上述目的，本专利技术提供一种指纹辨识装置，包括：一基板、一感应电极层、一指纹辨识感测芯片、多个导电层；所述基板具有一第一侧及一第二侧及多个穿孔，这些穿孔连接该第一、二侧；所述感应电极层设置于该基板的第一侧，该感应电极层具有多个第一电极及多个第二电极及一绝缘层，该第一、二电极及该绝缘层叠层设置，并且，该绝缘层部分设置于该第一、二电极之间，并且，部分绝缘层包附该第一、二电极；所述指纹辨识感测芯片设于前述基板的第二侧；所述多个导电层部分穿设于前述基板的这些穿孔内部，部分设置于该基板的第二侧，并且，通过这些导电体使该第一、二电极与该指纹辨识感测芯片电性连接。其中，该指纹辨识装置还具有一软性电路板，该软性电路板选择性的与感应电极层或该指纹辨识感测芯片电性连接。其中，所述第一电极为X方向电极，所述第二电极为Y方向电极，并且，两者间由绝缘层隔绝绝缘，所述第一、二电极通过该导电层选择性的与该指纹辨识感测芯片进行电性连接。其中，所述绝缘层为SiO2或OverCoated其中的任一种。其中，所述该穿孔直径为1um~25um。为达上述目的本专利技术提供一种指纹辨识装置制造方法，包括下列步骤：提供一基板，并于该基板一侧面披覆一第一金属镀膜；通过黄光微影蚀刻对该第一金属镀膜蚀刻并形成多个第一电极；于这些第一电极及该基板表面披覆一绝缘层；于该绝缘层一侧披覆一第二金属镀膜；通过黄光微影蚀刻对该第二金属镀膜蚀刻并形成多个第二电极；于该基板另一侧向具有多个第一电极的一侧进行穿孔工艺，成型多个穿孔；并于该基板具有多个穿孔的一侧披覆一第三金属镀膜，并将该第三金属镀膜同时灌入这些穿孔内；通过黄光微影蚀刻对该第三金属镀膜蚀刻并形成具有多个导电体的一导电层；将一指纹辨识感测芯片设置于该导电层上与该基板结合，并且，该指纹辨识感测芯片与该导电层电性连接。其中，该第一、二电极为透明或不透明的特性其中的任一种。其中，穿孔工艺可通过蚀刻或钻孔或雷射穿孔等方式进行。其中，指纹辨识感测芯片通过COG(chip on glass)工艺方式结合在该基板的导电层上。并且，通过本专利技术的指纹辨识装置及其制造方法可改善现有指纹辨识装置过于复杂的结构。附图说明图1：为本专利技术指纹辨识装置第一实施例的立体分解图。图2：为本专利技术指纹辨识装置第一实施例的组合剖面图。图3：为本专利技术指纹辨识装置第二实施例的组合剖面图。图4：为本专利技术指纹辨识装置制造方法的步骤流程图。图5：为本专利技术指纹辨识装置制造方法的工艺示意图。图6：为本专利技术指纹辨识装置制造方法的工艺示意图。图7：为本专利技术指纹辨识装置制造方法的工艺示意图。图8：为本专利技术指纹辨识装置制造方法的工艺示意图。附图标记说明指纹辨识装置1基板11第一侧111第二侧112穿孔113第一金属镀膜11a第二金属镀膜11b第三金属镀膜11c感应电极层12第一电极121第二电极122绝缘层123指纹辨识感测芯片13脚位131导电层14导电体141软性电路板2。具体实施方式本专利技术的上述目的及其结构与功能上的特性，将依据所附附图的较佳实施例予以说明。请参阅图1、2，为本专利技术指纹辨识装置第一实施例的立体分解及组合剖面图，所述指纹辨识装置1，包括：一基板11、一感应电极层12、一指纹辨识感测芯片13、一导电层14；所述基板11具有一第一侧111、一第二侧112及多个穿孔113，所述第一、二侧111、112分别设置于该基板11的上、下两侧，这些穿孔113贯穿该基板11的第一、二侧111、112并连接该第一、二侧111、112，这些穿孔113直径为1um~25um。所述感应电极层12设置于该基板11的第一侧111，该感应电极层12具有多个第一电极121、多个第二电极122及一绝缘层123，该第一、二电极121、122及该绝缘层123叠层设置，并且，该绝缘层123部分设置于该第一、二电极121、122之间，并且，部分绝缘层123包覆该第一、二电极121、122。所述第一电极121为X方向电极，所述第二电极122为Y方向电极，并且，两者间由绝缘层123隔绝绝缘，所述第一、二电极121、122通过该导电层14选择性的与该指纹辨识感测芯片13进行电性连接，所述绝缘层123为SiO2或OverCoated其中的任一种。所述指纹辨识感测芯片13设于前述基板11的第二侧112，并且，该指纹辨识感测芯片13具有多个脚位131，该导电层14具有多个导电体141，这些导电体141部分穿设于前述基板11的穿孔113内部，部分导电体141设置于该基板11的第二侧112，并且，通过这些导电体141使该第一、二电极121、122与该指纹辨识感测芯片13的脚位131电性连接。请参阅图3，为本专利技术指纹辨识装置第二实施例的组合剖面图，如图所示，本实施例部分结构与前述第一实施例相同故在此将不再赘述，本实施例与前述第一实施例的不同之处在于其还具有一软性电路板2，该软性电路板2选择性的与感应电极层12或该指纹辨识感测芯片13电性连接。请参阅图4、5、6、7、8，为本专利技术指纹辨识装置制造方法的步骤流程图及工艺示意图，并且，一并参阅前述图1～3，如图所示，本专利技术指纹辨识装置制造方法包括下列步骤：S1：提供一基板，并于该基板一侧面披覆一第一金属镀膜；提供一基板11作为基材使用，该基板11可为硅材质或玻璃材质其中的任一种，并且，该基板11具有上、下两侧面（第一、二侧111、112），选择于上侧面(第一侧111)以披覆镀膜的方式披覆一第一金属镀膜11a。S2：通过黄光微影蚀刻对该第一金属镀膜蚀刻并形成多个第一电极；对该第一金属镀膜11a进行黄光微影蚀刻，并通过黄光微影蚀刻将该第一金属镀膜11a蚀刻并形成多个第一电极121。S3：于这些第一电极及该基板表面披覆一绝缘层；通过披覆镀膜的方式于这些第一电极121及这些基板11上不具有第一电极121之处披覆一层绝缘层123作为绝缘使用。S4：于该绝缘层一侧披覆一第二金属镀膜；于前述绝缘层123的一侧通过披覆镀层的方式披覆一第二金属镀膜11b。S5：通过黄光微影蚀刻对该第二金属镀膜蚀刻并形成多个第二电极；通过黄光微影蚀刻将该第二金属镀膜11b蚀刻形成多个第二电极122。S6：于该基板另本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种指纹辨识装置，包括：一基板，具有一第一侧及一第二侧及多个穿孔，这些穿孔连接该第一、二侧；一感应电极层，设置于该基板的第一侧，该感应电极层具有多个第一电极及多个第二电极及一绝缘层，该第一、二电极及该绝缘层叠层设置，并且，该绝缘层部分设置于该第一、二电极之间，并且，部分绝缘层包附该第一、二电极；一指纹辨识感测芯片，设于前述基板的第二侧；一导电层，具有多个导电体，这些导电体部分穿设于前述基板的这些穿孔内部，这些该导电体部分设置于该基板的第二侧，并且，通过这些导电体使该第一、二电极与该指纹辨识感测芯片电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种指纹辨识装置，包括：一基板，具有一第一侧及一第二侧及多个穿孔，这些穿孔连接该第一、二侧；一感应电极层，设置于该基板的第一侧，该感应电极层具有多个第一电极及多个第二电极及一绝缘层，该第一、二电极及该绝缘层叠层设置，并且，该绝缘层部分设置于该第一、二电极之间，并且，部分绝缘层包附该第一、二电极；一指纹辨识感测芯片，设于前述基板的第二侧；一导电层，具有多个导电体，这些导电体部分穿设于前述基板的这些穿孔内部，这些该导电体部分设置于该基板的第二侧，并且，通过这些导电体使该第一、二电极与该指纹辨识感测芯片电性连接。2.如权利要求1所述的指纹辨识装置，其特征在于，其还具有一软性电路板，该软性电路板选择性的与感应电极层或该指纹辨识感测芯片电性连接。3.如权利要求1所述的指纹辨识装置，其特征在于，所述第一电极为X方向电极，所述第二电极为Y方向电极，并且，两者间由绝缘层隔绝绝缘，所述第一、二电极通过该导电层选择性的与该指纹辨识感测芯片进行电性连接。4.如权利要求1所述的指纹辨识装置，其特征在于，所述绝缘层为SiO2或OverCoated其中的任一种。5.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：林韦丞，萧建仁，曾士修，
申请(专利权)人：关键应用科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71