【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请要求于2014年4月11日向美国专利商标局提交的美国非临时专利申请No.14/251,486的优先权和权益,其全部内容通过援引纳入于此。背景领域各种特征涉及包括表面互连和沟槽的封装基板,该沟槽包括无电镀填充物。
技术介绍
图1解说了常规集成封装100,其包括基板102、一组互连104、第一管芯106、第二管芯108、第一组管芯到封装互连116、第二组管芯到封装互连118、以及第三组焊球120。第三组焊球120用于基板到主板互连。第一组管芯到封装互连116和/或第二组焊球118可以是焊球。该组互连104包括位于基板102内部的迹线。第一管芯106通过第一组互连116耦合至基板102。第二管芯108通过第二组互连118耦合至基板102。第三组焊球120耦合至基板102。第一管芯106和第二管芯108通过基板102中的该组互连104耦合至第三组焊球120。典型情况下,第三组焊球120耦合至印刷电路板(PCB)(未示出)。常规的集成封装(诸如图1中描述的那个集成封装)具有某些限制和不利方面。例如,常规的集成封装受限于布线密度并且可能制造成本较高。存在提供生产成本较低以及具有较佳(例如,较高)布线密度特性的集成器件的需要。因此,需要具有低剖型但还占据尽可能小的台面的成本高效的集成封装。理想地,此类集成封装还将提供与管芯的较高密度连接。概述本文描述的各种特征、装置和方法提供一种封装基板。第一示例提供了一种基板,其包括第一介电层、第一互连、第一空腔、以及第一无电镀金属层。第一介电层包括第一表面和第二表面。第一互连在第一介电层的第一表面上。第一空腔穿过第 ...
【技术保护点】
一种基板,包括:包括第一表面和第二表面的第一介电层;在所述第一介电层的所述第一表面上的第一互连;穿过所述第一介电层的所述第一表面的第一空腔;以及至少部分地形成在所述第一空腔中的第一无电镀金属层,其中所述第一无电镀金属层定义嵌入在所述第一介电层中的第二互连。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.04.11 US 14/251,4861.一种基板,包括:包括第一表面和第二表面的第一介电层;在所述第一介电层的所述第一表面上的第一互连;穿过所述第一介电层的所述第一表面的第一空腔;以及至少部分地形成在所述第一空腔中的第一无电镀金属层,其中所述第一无电镀金属层定义嵌入在所述第一介电层中的第二互连。2.如权利要求1所述的基板,其特征在于,进一步包括:穿过所述第一介电层的所述第一表面的第二空腔;以及至少部分地形成在所述第二空腔中的第二无电镀金属层,其中所述第二无电镀金属层定义嵌入在所述第一介电层中的第三互连。3.如权利要求1所述的基板,其特征在于,进一步包括:在所述第一介电层的所述第一表面上的第一焊盘;穿过所述第一介电层的第一通孔,所述第一通孔耦合至所述第一焊盘;以及嵌入在所述第一介电层中的第二焊盘,所述第二通过所述第一介电层的所述第二表面来嵌入,其中所述第二焊盘耦合至所述第一通孔。4.如权利要求1所述的基板,其特征在于,进一步包括核心层,所述核心层包括第一表面和第二表面,其中所述核心层的所述第一表面耦合至所述第一介电层的所述第二表面。5.如权利要求4所述的基板,其特征在于,所述核心层包括第一通孔。6.如权利要求4所述的基板,其特征在于,进一步包括第二介电层,所述第二介电层包括第一表面和第二表面,其中所述第二介电层的所述第一表面耦合至所述核心层的所述第二表面。7.如权利要求1所述的基板,其特征在于,进一步包括:嵌入在所述第一介电层的所述第一表面中的第三互连,所述第三互连包括无电镀金属层;以及在所述第一介电层的所述第一表面上的第一焊盘,所述第一焊盘耦合至所述第三互连。8.如权利要求1所述的基板,其特征在于,进一步包括在所述第一介电层上的抗蚀层。9.如权利要求1所述的基板,其特征在于,所述基板是至少封装基板和/或中介体中的一者。10.如权利要求1所述的基板,其特征在于,所述基板被纳入到以下一者中:音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、和/或膝上型计算机。11.一种装备,包括:包括第一表面和第二表面的第一介电层;在所述第一介电层的所述第一表面上的第一互连装置;穿过所述第一介电层的所述第一表面的第一空腔;以及至少部分地形成在所述第一空腔中的第一无电镀互连装置。12.如权利要求11所述的装备,其特征在于,进一步包括:穿过所述第一介电层的所述第一表面的第二空腔;以及至少部分地形成在所述第二空腔中的第二无电镀互连装置。13.如权利要求11所述的装备,其特征在于,进一步包括:在所述第一介电层的所述第一表面上的第一焊盘;穿过所述第一介电层的第一垂直互连装置,所述第一垂直互连装置耦合至所述第一焊盘;以及嵌入在所述第一介电层中的第二焊盘,所述第二焊盘通过所述第一介电层的所述第二表面来嵌入,其中所述第二焊盘耦合至所述第一垂直互连装置。14.如权利要求11所述的装备,其特征在于,进一步包括核心层,所述核心层包括第一表面和第二表面,其中所述核心层的所述第一表面耦合至所述第一介电层的...
【专利技术属性】
技术研发人员:H·W·乔玛,O·J·比奇厄,CK·金,
申请(专利权)人:高通股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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