【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于焊接
，具体涉及一种适用于大功率半导体分立器件的封装的陶瓷绝缘子金属外壳的焊接工艺。
技术介绍
陶瓷绝缘子金属外壳在焊接时，其焊料容易出现流淌的现象。导致产品绝缘电阻低、耐压差、气密性差等不足。阶梯焊是在陶瓷绝缘子金属外壳二步焊接的基础上进行优化和改良，主要是解决焊料的二次流淌。
技术实现思路
本专利技术的目的是提出一种陶瓷绝缘子金属外壳的焊接工艺，克服了现有技术的不足，其工艺简单，方便，绝缘电阻高、耐压好、气密性好、环境适应性强、可以采用多种材质的引线，便于推广应用。为了达到上述设计目的，本专利技术采用的技术方案如下：一种陶瓷绝缘子金属外壳的焊接工艺，包括以下步骤：步骤一、焊接件表面清理；将焊接件表面，尤其焊接位置进行打磨，清洗处理；步骤二、一次焊接，采用气体保护钎焊炉对焊接件进行第一次焊接，焊接温度为940-950度；步骤三、降温，将一次焊接后的焊接件降温到20~40度；步骤四、二次焊接，采用气体保护网带炉对焊接件进行第二次焊接，焊接温度为835-845度；步骤五、降温，将二次焊接后的焊接件降温到20~40度；步骤六、打磨处理；将二次焊接后的焊接件的焊接表面进行打磨，去除焊接表面的毛刺等；步骤七、电镀、检验，电镀后检验焊接件焊接表面，合格品打包。优选地，所述一次焊接采用Ag90cu10为焊接材料，其熔点温度是880度。优选地，所述二次焊接采用Ag72cu28为焊接材料，其熔点温度是785度。优选地，所述一次焊接、二次焊接后需对焊接件焊接表面酸洗处理，去除表面氧化层。优选地，所述酸洗液为硫酸、盐酸、磷酸、硝酸、铬酸、氢氟酸中的一种或多种...
【技术保护点】
一种陶瓷绝缘子金属外壳的焊接工艺，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、焊接件表面清理；将焊接件表面，尤其焊接位置进行打磨，清洗处理；步骤二、一次焊接，采用气体保护钎焊炉对焊接件进行第一次焊接，焊接温度为940‑950度；步骤三、降温，将一次焊接后的焊接件降温到20~40度；步骤四、二次焊接，采用气体保护网带炉对焊接件进行第二次焊接，焊接温度为835‑845度；步骤五、降温，将二次焊接后的焊接件降温到20~40度；步骤六、打磨处理；将二次焊接后的焊接件的焊接表面进行打磨，去除焊接表面的毛刺等；步骤七、电镀、检验，电镀后检验焊接件焊接表面，合格品打包。
【技术特征摘要】
1.一种陶瓷绝缘子金属外壳的焊接工艺，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、焊接件表面清理；将焊接件表面，尤其焊接位置进行打磨，清洗处理；步骤二、一次焊接，采用气体保护钎焊炉对焊接件进行第一次焊接，焊接温度为940-950度；步骤三、降温，将一次焊接后的焊接件降温到20~40度；步骤四、二次焊接，采用气体保护网带炉对焊接件进行第二次焊接，焊接温度为835-845度；步骤五、降温，将二次焊接后的焊接件降温到20~40度；步骤六、打磨处理；将二次焊接后的焊接件的焊接表面进行打磨，去除焊接表面的毛刺等；步骤七、电镀、检验，电镀后检验焊接件焊接表面，...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩金良，许杨生，樊应县，鲍侠，吴萍，
申请(专利权)人：浙江长兴电子厂有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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