一种应用于超高压自耦变压器夹件的磁屏蔽结构，涉及一种磁屏蔽结构。超高压自耦变压器其内、外绕组间的漏磁密度高，采用通常的方法不足以有效降低损耗、消除局部过热的隐患。本发明专利技术包括折弯磁屏蔽件、第一绝缘垫板、连接折弯磁屏蔽件和第一绝缘垫板至夹件的紧固件，所述的折弯磁屏蔽件横截面呈 “L”，折弯处圆弧过渡；所述的折弯磁屏蔽件设于夹件的外端部。本技术方案通过在漏磁通密度较大的夹件的外端部加装“L”型折弯折弯磁屏蔽件，减少了漏磁通进入非磁性夹件，能够有效地降低漏磁通产生的附加损耗。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种磁屏蔽结构，尤其涉及一种应用于超高压自耦变压器夹件的磁屏蔽结构。
技术介绍
磁屏蔽是由导磁性能好的硅钢片多层叠积组成。根据其屏蔽部位不同通常分为油箱磁屏蔽、夹件磁屏蔽等。磁屏蔽一般用于高电压、大容量变压器。由于此类变压器漏磁密度占主磁通密度的比例较大，而漏磁通穿过钢材质的夹件时会产生涡流损耗和磁滞损耗，进一步导致夹件发热。通常220KV及以下的产品采用低导磁或非磁性钢板制作相关夹件、肢板等, 但超高压自耦变压器其内、外绕组间的漏磁密度高达主磁通密度的30%~40%，其带来的损耗占基本铜损耗的30%~50%，采用通常的方法不足以有效降低损耗、消除局部过热的隐患。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题和提出的技术任务是对现有技术方案进行完善与改进，提供一种应用于超高压自耦变压器夹件的磁屏蔽结构，以降低漏磁通产生的附加损耗为目的。为此，本专利技术采取以下技术方案。一种应用于超高压自耦变压器夹件的磁屏蔽结构，包括折弯磁屏蔽件、第一绝缘垫板、连接折弯磁屏蔽件和第一绝缘垫板至夹件的紧固件，所述的折弯磁屏蔽件横截面呈 “L”，折弯处圆弧过渡；所述的折弯磁屏蔽件设于夹件的外端部。通过在漏磁通密度较大的夹件的外端部加装“L”型折弯折弯磁屏蔽件，减少了漏磁通进入非磁性夹件，能够有效地降低漏磁通产生的附加损耗。作为对上述技术方案的进一步完善和补充，本专利技术还包括以下附加技术特征。还包括直磁屏蔽件，所述的直磁屏蔽件与折弯磁屏蔽件的一边叠置，所述的直磁屏蔽件、折弯磁屏蔽件、第一绝缘垫板通过紧固件与夹件连接为一整体。通过增加与折弯磁屏蔽件的一边叠置的直磁屏蔽件，能够更好的减少了漏磁通进入非磁性夹件。所述的折弯磁屏蔽件的厚度为8-12mm；高度为220-240mm。该尺寸能够覆盖夹件的外端部漏磁通密度较大的部位。所述的折弯磁屏蔽件设有第一连接孔、第二连接孔，所述的第一连接孔、第二连接孔分别设于“L”型折弯磁屏蔽件的两个相互垂直的平板上，所述的第一连接孔和 /或第二连接孔为腰形孔。通过把连接孔设于“L”型的两块相互垂直的平板上，便于连接固定，腰形孔的设置便于紧固件位置的轻微调节。所述的紧固件包括第一紧固件、第二紧固件，所述的第一连接孔穿设第一紧固件，所述的第二连接孔穿设第二紧固件，第一紧固件穿设于夹件的端部侧面，第二紧固件穿设于夹件的端部端面。通过把第一紧固件、第二紧固件互相垂直的紧固于夹件上，能够稳定的牢固的固定磁屏蔽结构。所述的直磁屏蔽件设于折弯磁屏蔽件与第一绝缘垫板之间。通过把直磁屏蔽件设于折弯磁屏蔽件内侧，磁屏蔽结构的转角处无锐角，更安全。所述的第一紧固件包括把折弯磁屏蔽件、直磁屏蔽件和第一内绝缘垫板紧固在夹件上的螺栓及第一垫圈、设于折弯磁屏蔽件和第一垫圈之间的第一外绝缘垫板、嵌设于第一连接孔内的绝缘垫圈、设于绝缘垫圈和螺栓之间的绝缘护管，所述的绝缘护管的管长等于夹件与第一垫圈之间的距离。通过对第一紧固件的绝缘化结构设计，能够起到很好的绝缘效果。所述的第二紧固件包括绝缘螺杆、第二垫圈、螺母及设于折弯磁屏蔽件和轭屏之间的第二外绝缘垫板，绝缘螺杆由外向内依次穿过轭屏、第二外绝缘垫板、折弯磁屏蔽件、贴设于夹件端部端面的第二内绝缘垫板并固定于夹件的端部。通过把使用绝缘的第二紧固件，能够降低夹件与折弯磁屏蔽件之间的漏电漏磁现象。第一外绝缘垫板、第二外绝缘垫板为环氧酚醛纸板；第一内绝缘垫板及第二内绝缘垫板、绝缘垫圈为为层压纸板件；所述的绝缘护管为硫酸盐纸浆成型件。环氧酚醛纸板、层压纸板件、硫酸盐纸浆成型件成本较低，容易加工制造，并且绝缘性好。所述的折弯磁屏蔽件由多片相同的硅钢片折弯后堆叠，直磁屏蔽件由多片相同的硅钢片堆叠而成，相邻两片硅钢片之间紧密贴合。通过硅钢片紧密贴合制作成磁屏蔽件，导磁性能更好，能够更好地减少漏磁通进入非磁性夹件。有益效果：通过在漏磁通密度较大的部位加装由硅钢片制作的磁屏蔽结构件，导磁性能好，减少了漏磁通进入非磁性夹件，相应降低漏磁通产生的附加损耗，提高变压器的电转换效率，减少局部过热引发的事故率，提高了变压器的经济效益。附图说明图1是本专利技术结构示意图。图2是本专利技术折弯磁屏蔽件结构示意图。图3是本专利技术折弯磁屏蔽件展开平面图。图4是本专利技术直磁屏蔽件结构示意图。图中：1-夹件；2-折弯磁屏蔽件；3-直磁屏蔽件；4-第一内绝缘垫板；5-第二内绝缘垫板；6-第一外绝缘垫板；7-第二外绝缘垫板；8-绝缘螺杆；9-螺母；10-第二垫圈；11-绝缘垫圈；12-绝缘护管；13-螺栓；14-第一垫圈；15-轭屏；201-第一连接孔；202-第二连接孔。具体实施方式以下结合说明书附图对本专利技术的技术方案做进一步的详细说明。如图1-4所示，本专利技术包括折弯磁屏蔽件2、第一内绝缘垫板4、连接折弯磁屏蔽件2和第一内绝缘垫板4至夹件1的紧固件，折弯磁屏蔽件2横截面呈 “L”，折弯处圆弧过渡；折弯磁屏蔽件2设于夹件1的外端部。通过在漏磁通密度较大的夹件1的外端部加装“L”型折弯折弯磁屏蔽件2，减少了漏磁通进入非磁性夹件1，能够有效地降低漏磁通产生的附加损耗。为了更好的减少漏磁通进入非磁性夹件1，还包括直磁屏蔽件3，直磁屏蔽件3与折弯磁屏蔽件2的一边叠置，直磁屏蔽件3、折弯磁屏蔽件2、第一内绝缘垫板4通过紧固件与夹件1连接为一整体。通过增加与折弯磁屏蔽件2的一边叠置的直磁屏蔽件3，能够更好的减少了漏磁通进入非磁性夹件1。为了能够覆盖漏磁通密度较大的部位，折弯磁屏蔽件2的厚度为8-12mm；高度为220-240mm。该尺寸能够覆盖夹件1的外端部漏磁通密度较大的部位。为了便于紧固件的位置调节，折弯磁屏蔽件2设有第一连接孔201、第二连接孔202，第一连接孔201、第二连接孔202分别设于“L”型折弯磁屏蔽件2的两个相互垂直的平板上，第一连接孔201和 /或第二连接孔202为腰形孔。通过把连接孔设于“L”型的两块相互垂直的平板上，便于连接固定，腰形孔的设置便于紧固件位置的轻微调节。为了牢固的固定磁屏蔽结构，紧固件包括第一紧固件、第二紧固件，第一连接孔201穿设第一紧固件，第二连接孔202穿设第二紧固件，第一紧固件穿设于夹件1的端部侧面，第二紧固件穿设于夹件1的端部端面。通过把第一紧固件、第二紧固件互相垂直的紧固于夹件1上，能够稳定的牢固的固定磁屏蔽结构。为了提升安全性，直磁屏蔽件3设于折弯磁屏蔽件2与第一内绝缘垫板4之间。通过把直磁屏蔽件3设于折弯磁屏蔽件2内侧，磁屏蔽结构的转角处无锐角，更安全。为了起到较好的绝缘效果，第一紧固件包括把折弯磁屏蔽件2、直磁屏蔽件3和第一内绝缘垫板4紧固在夹件1上的螺栓13及第一垫圈14、设于折弯磁屏蔽件2和第一垫圈14之间的第一外绝缘垫板6、嵌设于第一连接孔201内的绝缘垫圈11、设于绝缘垫圈11和螺栓13之间的绝缘护管12，绝缘护管12的管长等于夹件1与第一垫圈14之间的距离。通过对第一紧固件的绝缘化结构设计，能够起到很好的绝缘效果。为了降低漏电漏磁现象，第二紧固件包括绝缘螺杆8、第二垫圈10、螺母9及设于折弯磁屏蔽件2和轭屏15之间的第二外绝缘垫板7，绝缘螺杆8由外向内依次穿过轭屏15、第二外绝缘垫板7、折弯磁屏蔽件2、贴设于夹件端部端面的第二内绝缘垫板5并固定于夹件1的端部。通过把使用绝缘的第本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种应用于超高压自耦变压器夹件的磁屏蔽结构，其特征在于：包括折弯磁屏蔽件（2）、第一内绝缘垫板（4）、连接折弯磁屏蔽件（2）和第一内绝缘垫板（4）至夹件（1）的紧固件，所述的折弯磁屏蔽件（2）横截面呈 “L”，折弯处圆弧过渡；所述的折弯磁屏蔽件（2）设于夹件（1）的外端部。
【技术特征摘要】
1.一种应用于超高压自耦变压器夹件的磁屏蔽结构，其特征在于：包括折弯磁屏蔽件（2）、第一内绝缘垫板（4）、连接折弯磁屏蔽件（2）和第一内绝缘垫板（4）至夹件（1）的紧固件，所述的折弯磁屏蔽件（2）横截面呈 “L”，折弯处圆弧过渡；所述的折弯磁屏蔽件（2）设于夹件（1）的外端部。2.根据权利要求1所述的 一种应用于超高压自耦变压器夹件的磁屏蔽结构，其特征在于：还包括直磁屏蔽件（3），所述的直磁屏蔽件（3）与折弯磁屏蔽件（2）的一边叠置，所述的直磁屏蔽件（3）、折弯磁屏蔽件（2）、第一内绝缘垫板（4）通过紧固件与夹件（1）连接为一整体。3.根据权利要求1所述的 一种应用于超高压自耦变压器夹件的磁屏蔽结构，其特征在于：所述的折弯磁屏蔽件（2）的厚度为8-12mm；高度为220-240mm。4.根据权利要求3所述的 一种应用于超高压自耦变压器夹件的磁屏蔽结构，其特征在于：所述的折弯磁屏蔽件（2）设有第一连接孔（201）、第二连接孔（202），所述的第一连接孔（201）、第二连接孔（202）分别设于“L”型折弯磁屏蔽件（2）的两个相互垂直的平板上，所述的第一连接孔（201）和 /或第二连接孔（202）为腰形孔。5.根据权利要求1所述的 一种应用于超高压自耦变压器夹件的磁屏蔽结构，其特征在于：所述的紧固件包括第一紧固件、第二紧固件，所述的第一连接孔（201）穿设第一紧固件，所述的第二连接孔（202）穿设第二紧固件，第一紧固件穿设于夹件（1）的端部侧面，第二紧固件穿设于夹件（1）的端部端面。6.根据权利要求1所述的 一种应用于超高压自耦变压器夹件的磁屏蔽结构，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：柏广洲，于春梅，孙长山，魏喜柱，王伟，
申请(专利权)人：卧龙电气集团股份有限公司，卧龙电气烟台东源变压器有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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