薄膜图案形成方法技术

本发明专利技术是一种薄膜图案形成方法，包含形成薄膜、覆盖掩模于薄膜以及进行溶剂退火与照光步骤。其中薄膜包含第一分子，第一分子具有共轭结构。掩模包含至少一曝光区，溶剂退火与照光步骤中使用光源照射薄膜，并在第一溶剂氛围下进行，光源的波长范围对应第一分子达到激发态的能量。藉此，薄膜对应曝光区的照光区厚度增加或减少，以于薄膜形成图案。本发明专利技术的薄膜图案形成方法具有简化制程、提高生产效率与符合环保诉求等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种薄膜图案形成方法，且特别是有关于一种利用掩模配合照光以调控分子运动方向的薄膜图案形成方法。
技术介绍
传统形成图案的方法大多采用光阻蚀刻法，其包含以下步骤：形成光阻层、掩模照光、显影及蚀刻，然而，前述传统光阻蚀刻法的步骤繁多，且需使用到蚀刻液，易对环境造成污染。另有发展出于薄膜上形成图案的已知方法，包括反应性离子干式蚀刻法(Reactive Ion Etching；RIE)、纳米压模微影术(Nanoimprint Lithography；NIL)，然而前述方法具有步骤繁复、成本高、需要极干净的操作环境，以及技术难度高等缺失，故较不利于量产。有鉴于此，如何发展出新的图案形成方法，使其具有较简化的制程而可提高生产效率，并且可在不需使用蚀刻液的情况下仍可形成图案，以符合环保诉求，乃相关业者与学者的努力目标。
技术实现思路
本专利技术的一目的是提供一种薄膜图案形成方法，藉此，可简化制程、提高生产效率，并且不需使用蚀刻液而可符合环保诉求。依据本专利技术一方面的一实施方式，一种薄膜图案形成方法包含形成薄膜，覆盖掩模于所述薄膜，以及进行溶剂退火与照光步骤。其中薄膜包含第一分子，第一分子具有共轭结构，掩模包含至少一曝光区，溶剂退火与照光步骤中使用一光源照射所述薄膜，并在第一溶剂氛围下进行，且所述光源的波长范围对应第一分子达到激发态的能量。藉此，薄膜对应曝光区的照光区厚度增加或减少，以于薄膜形成图案。依据前述的薄膜图案形成方法，第一分子可为聚对苯乙炔[poly(p-
phenylene vinylene)；PPV]、聚苯胺(polyaniline)、聚吡咯(polypyrrole)、聚噻吩(polythiophene)、聚乙炔(polyacetylene)或其衍生物。例如，第一分子可为聚2-甲氧基-5-(2'-乙基己氧基)-1,4-对苯乙炔{poly[2-methoxy-5-((2'–ethylhexyl)oxy)-1,4-phenylenevinylene]；MEH-PPV本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜图案形成方法，包含：形成薄膜，其中该薄膜包含第一分子，该第一分子具有共轭结构；覆盖掩模于该薄膜，其中该掩模包含至少一曝光区；以及进行溶剂退火与照光步骤，其中该溶剂退火与照光步骤中使用光源照射该薄膜，并在第一溶剂氛围下进行，且该光源的波长范围对应该第一分子达到激发态的能量；藉此，该薄膜对应该曝光区的照光区厚度增加或减少，以于该薄膜形成图案。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜图案形成方法，包含：形成薄膜，其中该薄膜包含第一分子，该第一分子具有共轭结构；覆盖掩模于该薄膜，其中该掩模包含至少一曝光区；以及进行溶剂退火与照光步骤，其中该溶剂退火与照光步骤中使用光源照射该薄膜，并在第一溶剂氛围下进行，且该光源的波长范围对应该第一分子达到激发态的能量；藉此，该薄膜对应该曝光区的照光区厚度增加或减少，以于该薄膜形成图案。2.如权利要求1所述的薄膜图案形成方法，其中该第一分子为聚对苯乙炔、聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚乙炔或其衍生物。3.如权利要求1所述的薄膜图案形成方法，其中该第一分子为聚2-甲氧基-5-(2'-乙基己氧基)-1,4-苯乙炔。4.如权利要求1所述的薄膜图案形成方法，其中形成该薄膜步骤包含：提供该第一分子与第二溶剂；混合该第一分子与该第二溶剂以形成第一溶液；以及旋转涂布该第一溶液于基材上，以于该基材上形成该薄膜。5.如权利要求4所述的薄膜图案形成方法，其中该第二溶剂为甲苯、四氢呋喃、环己酮或其混合物。6.如权利要求4所述的薄膜图案形成方法，其中该第一分子为聚2-甲氧基-5-(2'-乙基己氧基)-1,4-苯乙炔，该第二溶剂为甲苯、四氢呋喃及环己酮的混合物，该甲苯、该四氢呋喃及该环己酮的体积比为1比1比1，该基材为硅片。7.如权利要求1所述的薄膜图案形成方法，其中该薄膜的厚度为5纳米
\t至100纳米。8.如权利要求1所述的薄膜图案形成方法，其中该第一溶剂为甲苯、对二甲苯、甲醇、四氢呋喃、环己酮、苯、二氯苯...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨长谋，陈威群，
申请(专利权)人：杨长谋，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71