【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请是依据35U.S.C.§111(a)提交的申请,其依据35U.S.C.§119(e)(1)要求2005年3月8日依据35U.S.C.§111(b)提交的临时申请No.60/659,100的提交日权益。本申请还依据35U.S.C.§119(b)要求基于2005年2月28日提交的日本专利申请No.2005-054,666的优先权,其公开的内容经此引用并入本文。
本专利技术涉及超细粒状二氧化钛,其可用作例如光催化剂、太阳能电池或硅橡胶的添加剂或用作介电材料,还涉及其制造方法和用途。
技术介绍
超细粒状二氧化钛已应用于多种领域,例如作为紫外线屏蔽材料或硅橡胶的添加剂,或作为介电原料或化妆品材料(术语“氧化钛”作为通用名广泛使用,因此在本专利技术中,简称为氧化钛的所有二氧化钛都统称为“二氧化钛”或“氧化钛”)。二氧化钛也被用作光催化剂、太阳能电池等。至于二氧化钛的晶形,可以得到三种类型,金红石、锐钛矿和板钛矿,其中,锐钛矿和板钛矿二氧化钛与金红石二氧化钛相比具有优异的光电化学活性,并被用在光催化剂或太阳能电池中。二氧化钛的光催化活性被用于有机材料的分解,例如在抗微生物砖瓦、自洁型建筑材料和除臭纤维中,其机制被认为如下。二氧化钛吸收紫外线,在其内部产生电子和空穴。空穴与二氧化钛吸附的水反应,产生羟基自由基,并通过该基团的作用使吸附在二氧化钛粒子表面上的有机材料分解成-->碳酸气体或水(Akira Fujishima,Kazuhito Hashimoto和ToshiyaWatanabe,Hikari Clean Kakumei(光清洁革命),第1 ...
【技术保护点】
二氧化钛,其最大粒径D↓[最大]与平均粒径D↓[50]之间的比率D↓[最大]/D↓[50]为1至3,其中D↓[最大]和D↓[50]是基于用场致发射型扫描电子显微镜观察初级粒子而测得的。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-2-28 054666/2005;US 2005-3-8 60/659,1001.二氧化钛,其最大粒径D最大与平均粒径D50之间的比率D最大/D50为1至3,其中D最大和D50是基于用场致发射型扫描电子显微镜观察初级粒子而测得的。2.根据权利要求1的二氧化钛,其中D最大/D50为1至2。3.根据权利要求1或2的二氧化钛,其中D50为5至200纳米。4.根据权利要求1至3任一项的二氧化钛,其中该二氧化钛中的氯含量为0.001质量%至0.2质量%。5.根据权利要求1至4任一项的二氧化钛,其中该二氧化钛中各元素Si、Al、Fe和S的含量为0.0001质量%至0.01质量%。6.根据权利要求1至5任一项的二氧化钛,其中该二氧化钛的锐钛矿含量为50%或更高。7.根据权利要求6的二氧化钛,其中锐钛矿含量为60%或更高。8.根据权利要求7的二氧化钛,其中锐钛矿的百分比含量为90%或更高。9.根据权利要求1至8任一项的二氧化钛,其中在通过场致发射型扫描电子显微镜观察的初级粒子的粒度分布中,根据下列Rosin-Rammler公式的分布常数n为3或更高:R=100exp(-bDn)其中D是粒径,R是大于D(粒径)的粒子数占所有粒子数的百分比,n是分布常数。10.制造如权利要求1至9任一项所述的二氧化钛的方法,该方法包括进行使含四氯化钛的气体与氧化气体反应以产生二氧化钛的气相法,其中当通过将所述含四氯化钛的气体和所述氧化气体引入反应管而使各气体反应时,反应管中的温度为1050至低于1300℃。11.根据权利要求10的二氧化钛制造方法,其中在将含四氯化钛的气体和氧化气体引入反应管时,反应管的横截面积(S1)与含四氯化钛的气体和氧化气体的引入管的横截面积总和(S2)的比率(S1/S2)为1至2.5。12.根据权利要求11的二氧化钛制造方法,其中比率S1/S2为1至1.5。13.根据权利要求10至12任一项的二氧化钛制造方法,其中在通过气相法合成二氧化钛时,通过四氯化钛与氧化气体的反应制成的二氧化钛在反应管中停留0.005至0.08秒的平均停留时间。14.根据权利要求10至13任一项的二氧化钛制造方法,其中在通过气相法合成二氧化钛时,含四氯化钛的气体和氧化气体各自在通往反应管的入口部分处的流速为30至150米/秒。15.根据权利要求10至14任一项的二氧化钛制造方法,其中将含四氯化钛的气体和氧化气体各自在600℃至低于1200℃预热,然后引入反应管。16.根据权利要求10至15任一项的二氧化钛制造方法,其中在原料气体与每摩尔四氯化钛1至150当量的量的氧化气体之间进行反应,所述原料气体是通过将惰性气体以每摩尔四氯化钛100摩...
【专利技术属性】
技术研发人员:鹿山进,小古井久雄,
申请(专利权)人:昭和电工株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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