一种LED驱动芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种LED驱动芯片，包括：逻辑控制模块、带隙基准模块、误差放大器、PWM比较器、过流保护比较器、电流采样放大器、欠压保护模块、功率MOS管和采样电阻，还包括VCC端、VFB端、SW端和GND端。本实用新型专利技术的LED驱动芯片具有过流保护、电流检测和欠压保护功能，同时整个环路是单极点系统，因此不需要补偿电路就能够保证系统的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种LED驱动芯片。
技术介绍
LED灯具以高效率、高集成度以及高寿命的优点，在照明领域得到越来越广泛的应用。与传统灯泡相比，它的光色柔和、不炫目、钠等对身体有害的物质,安全性高。随着白光LED技术的逐渐成熟,半导体照明技术不仅可以应用于白光通用照明,同时在其它很多方面也得到了广泛的应用,如各种仪器仪表的指示光源、装饰照明、汽车等各类交通工具的照明、交通信号显示、背景显示、电子屏幕、军用照明及旅游、轻工业产品等。因此，为了更好更安全地控制LED灯，有必要设计一种LED驱动芯片。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种LED驱动芯片，其能解决现有LED驱动芯片稳定性和保护性不足的问题。本技术的目的采用以下技术方案实现：一种LED驱动芯片，包括：逻辑控制模块、带隙基准模块、误差放大器、PWM比较器、过流保护比较器、电流采样放大器、欠压保护模块、功率MOS管和采样电阻，还包括VCC端、VFB端、SW端和GND端；所述带隙基准模块的输入端连接VCC端，带隙基准模块的输出端连接误差放大器的正相端，误差放大器的反相端连接VFB端，误差放大器的输出端连接PWM比较器的反相端，PWM比较器的正相端连接电流采样放大器的输出端，电流比较采样放大器的正相端连接采样电阻的一端，电流比较采样放大器的反相端连接采样电阻的另一端，采样电阻的一端连接功率MOS管的源极，采样电阻的另一端连接GND端，功率MOS管的栅极与逻辑控制模块连接，功率MOS管的漏极与SW端连接，过流保护比较器的正相端与功率MOS管的源极连接，过流保护比较器的反相端与VCC端连接；欠压保护模块包括比较器、三极管、第一电阻、第二电阻、第一非门和第二非门，所述三极管的发射极与VCC端连接，三极管的集电极依次通过串联第一电阻和第二电阻接地，比较器的正相端连接于第一电阻与第二电阻之间，比较器的反相端连接一比较电压，比较器的输出端依次通过串联第一非门和第二非门形成欠压保护模块的输出端，欠压保护模块的输出端与逻辑控制模块连接。优选的，所述功率MOS管为NMOS管。优选的，所述欠压保护模块还包括第三电阻，所述第三电阻的一端与第二非门的输出端连接，第三电阻的另一端接地。优选的，所述三极管为PNP三极管。相比现有技术，本技术的有益效果在于：该LED驱动芯片具有过流保护、电流检测和欠压保护功能，同时整个环路是单极点系统，因此不需要补偿电路就能够保证系统的稳定性。附图说明图1为本技术的LED驱动芯片的结构图及应用电路图；图2为本技术的欠压保护模块的电路结构图。具体实施方式下面，结合附图以及具体实施方式，对本技术做进一步描述：参考图1和图2，一种LED驱动芯片，包括：逻辑控制模块1、带隙基准模块2、误差放大器3、PWM比较器4、过流保护比较器6、电流采样放大器7、欠压保护模块8、功率MOS管和采样电阻Rsense，还包括VCC端、VFB端、SW端和GND端。其中，功率MOS管为NMOS管。欠压保护模块8包括比较器、三极管Q1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一非门A1和第二非门A2，三极管Q1为PNP三极管，三极管Q1的发射极与VCC端连接，三极管Q1的集电极依次通过串联第一电阻R1和第二电阻R2接地。比较器的正相端连接于第一电阻R1与第二电阻R2之间，比较器的反相端连接一比较电压端，比较器的输出端依次通过串联第一非门A1和第二非门A2形成欠压保护模块8的输出端，第三电阻R3的一端与第二非门A2的输出端连接，第三电阻R3的另一端接地，欠压保护模块8的输出端与逻辑控制模块1连接。带隙基准模块2的输入端连接VCC端，带隙基准模块2的输出端连接误差放大器3的正相端，误差放大器3的反相端连接VFB端，误差放大器3的输出端连接PWM比较器4的反相端，PWM比较器4的正相端连接电流采样放大器7的输出端，电流比较采样放大器7的正相端连接采样电阻Rsense的一端，电流比较采样放大器7的反相端连接采样电阻Rsense的另一端，采样电阻Rsense的一端连接功率MOS管的源极，采样电阻Rsense的另一端连接GND端，功率MOS管的栅极与逻辑控制模块1连接，功率MOS管的漏极与SW端连接，过流保护比较器6的正相端与功率MOS管的源极连接，过流保护比较器6的反相端与VCC端连接。其中，带隙基准模块2产生驱动芯片内部的带隙基准电压，作为其他电路模块的参考电压，误差放大器3从VFB端反馈回的反馈电压与基准电压进行比较，将其差值放大并进行反馈，用于保证稳态时的稳压精度，PWM比较器4将误差放大器3输出的电压误差信号与采样信号进行比较，输出相应的脉宽调制信号，控制功率MOS管的占空比，从而达到调节输出电压的目的，电流采样放大器7将采样电阻Rsense上的电压信号进行放大，输出采样信号至PWM比较器4中。当电路刚开始启动时，VFB端的电压很低，误差放大器3的输出很大，这样功率MOS管会一直导通，导致会损坏器件，为了避免这种现象，将采样电阻Rsense上得到的电压信号接入过流保护比较器6的正相端，从而控制功率MOS管的占空比；逻辑控制模块1实现系统的逻辑控制功能，以及控制功率MOS管的工作状态。欠压保护模块8对VCC电压进行采样，并与一VDD电压进行比较，VDD电压可以为带隙基准模块2所产生的基准电压，当VCC电压发生欠压异常时，会向逻辑控制模块1发送相应的电压信号，实现欠压保护功能。本技术的LED驱动芯片具有过流保护、电流检测和欠压保护功能，同时整个环路是单极点系统，因此不需要补偿电路就能够保证系统的稳定性。对本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及形变，而所有的这些改变以及形变都应该属于本技术权利要求的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED驱动芯片，其特征在于，包括：逻辑控制模块、带隙基准模块、误差放大器、PWM比较器、过流保护比较器、电流采样放大器、欠压保护模块、功率MOS管和采样电阻，还包括VCC端、VFB端、SW端和GND端；所述带隙基准模块的输入端连接VCC端，带隙基准模块的输出端连接误差放大器的正相端，误差放大器的反相端连接VFB端，误差放大器的输出端连接PWM比较器的反相端，PWM比较器的正相端连接电流采样放大器的输出端，电流比较采样放大器的正相端连接采样电阻的一端，电流比较采样放大器的反相端连接采样电阻的另一端，采样电阻的一端连接功率MOS管的源极，采样电阻的另一端连接GND端，功率MOS管的栅极与逻辑控制模块连接，功率MOS管的漏极与SW端连接，过流保护比较器的正相端与功率MOS管的源极连接，过流保护比较器的反相端与VCC端连接；欠压保护模块包括比较器、三极管、第一电阻、第二电阻、第一非门和第二非门，所述三极管的发射极与VCC端连接，三极管的集电极依次通过串联第一电阻和第二电阻接地，比较器的正相端连接于第一电阻与第二电阻之间，比较器的反相端连接一比较电压，比较器的输出端依次通过串联第一非门和第二非门形成欠压保护模块的输出端，欠压保护模块的输出端与逻辑控制模块连接。...

【技术特征摘要】
1.一种LED驱动芯片，其特征在于，包括：逻辑控制模块、带隙基准模块、误差放大器、PWM比较器、过流保护比较器、电流采样放大器、欠压保护模块、功率MOS管和采样电阻，还包括VCC端、VFB端、SW端和GND端；所述带隙基准模块的输入端连接VCC端，带隙基准模块的输出端连接误差放大器的正相端，误差放大器的反相端连接VFB端，误差放大器的输出端连接PWM比较器的反相端，PWM比较器的正相端连接电流采样放大器的输出端，电流比较采样放大器的正相端连接采样电阻的一端，电流比较采样放大器的反相端连接采样电阻的另一端，采样电阻的一端连接功率MOS管的源极，采样电阻的另一端连接GND端，功率MOS管的栅极与逻辑控制模块连接，功率MOS管的漏极与SW端连接，过流保护比较器的正相端与功率MOS管的源极...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋祖梅，陈圣伦，
申请(专利权)人：杭州矽瑞电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33