推挽式驱动功率管电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种推挽式驱动功率管电路，包括电机、与电机相连接的PWM信号输入端，在PWM信号输入端与电机之间设有驱动功率管电路，驱动功率管电路包括第一电阻、第一三极管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第二三极管、第三三极管、第五电阻和MOS管。本实用新型专利技术的结构简单、使用便捷，直接由PWM信号控制占空比经过反推挽电路进行驱动电压放大来达到驱动NMOS的目的，由于驱动电压足够大，故而使得MOS的效率更高，温升更低，使用稳定性好，适用性强且实用性好。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及功率管电路
，特别涉及一种推挽式驱动功率管电路。
技术介绍
目前市面上存在的一些驱动功率管电路其控制电路主要如附图1所示，其在使用时当FAN为PWM信号直接控制NMOS管Q6的G极为开关频率（调节占空比）从而使NMOS管的D极与S极导通来控制电机工作转速，其虽然可以一定程度上实现控制，但是其也存在一定的不足，如I/O口直接驱动蕊片驱动电流有限。有些MOS效率想做的高点，驱动电压相对会要求高些，MOS管的温度才会低，而此电路在应用中驱动电压会受蕊片的输出从而使得MOS管的输出功率受限制（且MOS温度也会比较高）。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术是提供一种结构简单、使用稳定性好且适用性强的推挽式驱动功率管电路。本技术提出一种推挽式驱动功率管电路，包括电机、与所述电机相连接的PWM信号输入端，在所述PWM信号输入端与所述电机之间设有驱动功率管电路，所述驱动功率管电路包括第一电阻、第一三极管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第二三极管、第三三极管、第五电阻和MOS管，所述PWM信号输入端通过第一电阻后连接在第一三极管的基极上，所述第一三极管的发射极接地、第一三极管的集电极通过第二电阻接电源，第二三极管的基极通过第三电阻连接在第一三极管的集电极上、所述第二三极管的集电极接电源、第二三极管的发射极接第三三极管的发射极，所述第三三极管的基极通过第四电阻连接在第一三极管的集电极上，所述第三三极管的集电极接地，所述第三三极管的发射极连接在MOS管的栅极上，所述第五电阻连接在第三三极管的发射极与集电极之间，MOS管的源极接地且漏极接电机。所述第一三极管和第二三极管为NPN型三极管，所述第三三极管为PNP型三极管。所述MOS管为N型MOS管。本技术的结构简单、使用便捷，直接由PWM信号控制占空比经过反推挽电路进行驱动电压放大来达到驱动NMOS的目的，由于驱动电压足够大，故而使得MOS的效率更高，温升更低，使用稳定性好，适用性强且实用性好。附图说明图1为现有技术的驱动功率管电路图；图2为本技术的实施例示意图。本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。参照图2，提出本技术的的一实施例，一种推挽式驱动功率管电路，包括电机1、与所述电机1相连接的PWM信号输入端2，在所述PWM信号输入端2与所述电机1之间设有驱动功率管电路3，所述驱动功率管电路3包括第一电阻R1、第一三极管Q1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第五电阻R5和MOS管Q4，所述PWM信号输入1端通过第一电阻R1后连接在第一三极管Q1的基极上，所述第一三极管Q1的发射极接地、第一三极管Q1的集电极通过第二电阻R2接电源BT，第二三极管Q2的基极通过第三电阻R3连接在第一三极管Q1的集电极上、所述第二三极管Q2的集电极接电源BT、第二三极管Q2的发射极接第三三极管Q3的发射极，所述第三三极管Q3的基极通过第四电阻R4连接在第一三极管Q1的集电极上，所述第三三极管Q3的集电极接地，所述第三三极管Q3的发射极连接在MOS管Q4的栅极上，所述第五电阻R5连接在第三三极管Q3的发射极与集电极之间，MOS管Q4的源极接地且漏极接电机1。所述第一三极管和第二三极管为NPN型三极管，所述第三三极管为PNP型三极管。所述MOS管为N型MOS管。其工作原理简述如下：使用PWM信号输出的占空比，再经过N管Q4来控制反推挽电路当PWM信号为低电位时，Q1的1脚(GND)和3脚断开，电源BT经R2上拉电阻给的R3高电位来控制三极管Q2的1脚和3脚(电源BT)导通,使得NMOS管Q4直接由电源BT的电压打开当PWM信号为高电位时，Q1的1脚(GND)和3脚导通，从而产生一个低电位来控制三极管Q3的1脚(GND)和3脚导通,使得NMOS管Q4关闭。在电路中，直接由PWM信号控制占空比经过反推挽电路进行驱动电压放大来达到驱动NMOS的目的（驱动电压足够大，使得MOS的效率更高，温升更低）本技术的结构简单、使用便捷，直接由PWM信号控制占空比经过反推挽电路进行驱动电压放大来达到驱动NMOS的目的，由于驱动电压足够大，故而使得MOS的效率更高，温升更低，使用稳定性好，适用性强且实用性好。以上所述仅为本技术的优选实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种推挽式驱动功率管电路，包括电机、与所述电机相连接的PWM信号输入端，在所述PWM信号输入端与所述电机之间设有驱动功率管电路，其特征在于：所述驱动功率管电路包括第一电阻、第一三极管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第二三极管、第三三极管、第五电阻和MOS管，所述PWM信号输入端通过第一电阻后连接在第一三极管的基极上，所述第一三极管的发射极接地、第一三极管的集电极通过第二电阻接电源，第二三极管的基极通过第三电阻连接在第一三极管的集电极上、所述第二三极管的集电极接电源、第二三极管的发射极接第三三极管的发射极，所述第三三极管的基极通过第四电阻连接在第一三极管的集电极上，所述第三三极管的集电极接地，所述第三三极管的发射极连接在MOS管的栅极上，所述第五电阻连接在第三三极管的发射极与集电极之间，MOS管的源极接地且漏极接电机。

【技术特征摘要】
1.一种推挽式驱动功率管电路，包括电机、与所述电机相连接的PWM信号输入端，在所述PWM信号输入端与所述电机之间设有驱动功率管电路，其特征在于：所述驱动功率管电路包括第一电阻、第一三极管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第二三极管、第三三极管、第五电阻和MOS管，所述PWM信号输入端通过第一电阻后连接在第一三极管的基极上，所述第一三极管的发射极接地、第一三极管的集电极通过第二电阻接电源，第二三极管的基极通过第三电阻连接在第一三极管的集电极上、所述第二三极管的集电极接电源、...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄辉勇，
申请(专利权)人：广东金莱特电器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44