【技术实现步骤摘要】
相关申请案的交叉引用本申请案主张2015年6月12日递交的韩国专利申请案第10-2015-0083137号的优先权,所述申请案在此如同完全阐述一般出于所有目的以引用的方式并入本文中。
本专利技术的实施例涉及一种电平移位器、一种源极驱动器集成电路以及一种栅极驱动器集成电路。
技术介绍
例如显示装置等电气装置可以包含电平移位器,所述电平移位器用于将各种电压信号的电压电平改变为所需电压电平。电平移位器被配置成包含多个晶体管的电路,以便输出高电压电平的输出信号,所述输出信号通过接收低电压电平的输入信号而经移位。另外,当常规电平移位器意图将输入信号的电压电平改变为所要电平的电压电平时,常规电平移位器并非快速将所述电压电平改变为所要电压电平。此外,为了快速将电压电平改变为所要电压,需要大尺寸的晶体管。因此,在常规电平移位器中,存在芯片尺寸增大并且输出上升或下降特性不好的输出信号的问题。
技术实现思路
根据本专利技术的实施例,提供一种能实现快速电压电平转换的高级电平移位器,以及一种包含所述电平移位器的源极驱动器集成电路和栅极驱动器集成电路。根据本专利技术的实施例,提供一种具有允许小型化和高性能的电路结构的高级电平移位器,以及一种包含所述电平移位器的源极驱动器集成电路和栅极驱动器集成电路。根据本专利技术的实施例,提供一种将接收输入信号的晶体管实施为低电压晶体管的电平移位器,以及一种包含所述电平移位器的源极驱动器集成电路和栅极驱动器集成电路。根据本专利技术的实施例,提供一种减小输出信号的上升时间与下降时间之间的偏差并缩短所述上升时间的电平移位器,以及一种包含所述电平移位器的源极 ...
【技术保护点】
一种电平移位器,包括:第一以及第二N沟道晶体管,所述第一以及第二N沟道晶体管经配置以接收低电压电平的输入信号以及通过将所述输入信号反转而获得的反相输入信号;第一以及第二高电压输出晶体管,所述第一以及第二高电压输出晶体管经配置以接收驱动电压,并且向第一以及第二输出端口输出与所述驱动电压的电压电平相对应的高电压电平的输出信号以及通过将所述输出信号反转而获得的反相输出信号;第一以及第二电流控制晶体管,所述第一以及第二电流控制晶体管经配置以受偏置电压控制并且将流向所述第一以及第二高电压输出晶体管的电流控制为较小;以及电压降电路,所述电压降电路经配置以电连接在所述第一以及第二N沟道晶体管的漏极节点与所述第一以及第二输出端口之间,并且使得所述第一以及第二N沟道晶体管的所述漏极节点的电压电平低于所述第一以及第二输出端口的电压电平。
【技术特征摘要】
2015.06.12 KR 10-2015-00831371.一种电平移位器,包括:第一以及第二N沟道晶体管,所述第一以及第二N沟道晶体管经配置以接收低电压电平的输入信号以及通过将所述输入信号反转而获得的反相输入信号;第一以及第二高电压输出晶体管,所述第一以及第二高电压输出晶体管经配置以接收驱动电压,并且向第一以及第二输出端口输出与所述驱动电压的电压电平相对应的高电压电平的输出信号以及通过将所述输出信号反转而获得的反相输出信号;第一以及第二电流控制晶体管,所述第一以及第二电流控制晶体管经配置以受偏置电压控制并且将流向所述第一以及第二高电压输出晶体管的电流控制为较小;以及电压降电路,所述电压降电路经配置以电连接在所述第一以及第二N沟道晶体管的漏极节点与所述第一以及第二输出端口之间,并且使得所述第一以及第二N沟道晶体管的所述漏极节点的电压电平低于所述第一以及第二输出端口的电压电平。2.根据权利要求1所述的电平移位器,其中所述第一N沟道晶体管包含基极电压施加到其上的源极节点、所述输入信号施加到其上的栅极节点以及电连接到所述第二输出端口的漏极节点,并且所述第二N沟道晶体管包含基极电压施加到其上的源极节点、所述反相输入信号施加到其上的栅极节点以及电连接到所述第一输出端口的漏极节点。3.根据权利要求2所述的电平移位器,其中所述第一高电压输出晶体管包含电连接到供应所述驱动电压的驱动电压源节点的源极节点、电连接到所述第二输出端口的漏极节点以及电连接到所述第一输出端口的栅极节点,并且所述第二高电压输出晶体管包含电连接到所述驱动电压源节点的源极节点、电连接到所述第一输出端口的漏极节点以及电连接到所述第二输出端口的栅极节点。4.根据权利要求3所述的电平移位器,其中所述第一电流控制晶体管连接在所述驱动电压源节点与所述第一高电压输出晶体管的源极节点之间,并且所述第二电流控制晶体管连接在所述驱动电压源节点与所述第二高电压输出晶体管的所述源极节点之间。5.一种电平移位器,包括:第一N沟道晶体管,所述第一N沟道晶体管经配置以接收低电压电平的输入信号;第二N沟道晶体管,所述第二N沟道晶体管经配置以接收通过将所述输入信号反转而获得的反相输入信号;第一输出端口,所述第一输出端口经配置以输出与驱动电压的电压电平相对应的高电压电平的输出信号;第二输出端口,所述第二输出端口经配置以输出通过将所述输出信号反转而获得的反相输出信号;第一高电压输出晶体管,所述第一高电压输出晶体管经配置以接收所述驱动电压并且向所述第二输出端口输出所述反相输出信号;第二高电压输出晶体管,所述第二高电压输出晶体管经配置以接收所述驱动电压并且向所述第一输出端口输出所述输出信号;第一电压降晶体管,所述第一电压降晶体管经配置以具有偏置电压施加到其上的栅极节点,并且电连接在所述第一N沟道晶体管的漏极节点与所述第二输出端口之间以控制所述第
\t一N沟道晶体管以用作低电压晶体管;第二电压降晶体管,所述第二电压降晶体管经配置以具有所述偏置电压施加到其上的栅极节点,并且电连接在所述第二N沟道晶...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐正一,郑镛益,尹祯培,
申请(专利权)人:硅工厂股份有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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