一种电磁干扰滤波的电流损耗抑制型便携式开关电源制造技术

本发明专利技术公开了一种电磁干扰滤波的电流损耗抑制型便携式开关电源，其特征在于，主要由控制芯片U2，变压器T1，变压器T2，二极管整流器U1，稳压二极管D1，极性电容C1，电阻R2，二极管D5，电流损耗抑制电路，反激式转换电路，电磁干扰滤波电路，以及分别与变压器T2副边电感线圈的同名端和非同名端相连接的高阻抗电压输出电路等组成。本发明专利技术能有效的降低电流的传导损耗和电路所造成的电流损耗，并且本发明专利技术还能对脉冲宽度进行调整，能有效的避免本发明专利技术的磁性组件的磁性强度出现饱和状态，从而确保了本发明专利技术能有效的降低自身对电流的损耗，能有效的提高本发明专利技术输出电流稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及铝电解领域，具体是指一种电磁干扰滤波的电流损耗抑制型便携式开关电源。
技术介绍
便携式开关电源的兴起和发展为现代电子工业注入了一股新鲜血液，并且经过长时间发展便携式开关电源已成为人们生活中使用的电子产品必不可缺的组成部分，因而，便携式开关电源的性能是否稳定便成为了电子产品的工作状态是否稳定的重要因数。随着电子产品的不断发展，人们对，便携式开关电源在性能、可靠性、安全性等方面的要求也越来越高。然而，现有的便携式开关电源存在自身对电流损耗过高的问题，而导致负载能力低；并且，现有的便携式开关电源还存在输出电流不稳定的问题，从而不能满足人们的要求。因此，提供一种既能降低电流损耗，又能输出稳定的电流的便携式开关电源便成是当务之急。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有的便携式开关电源因存在自身对电流的损耗过高，输出电流不稳定的缺陷，提供一种电磁干扰滤波的电流损耗抑制型便携式开关电源。本专利技术的目的用以下技术方案实现：一种电磁干扰滤波的电流损耗抑制型便携式开关电源，主要由控制芯片U2，变压器T1，变压器T2，二极管整流器U1，与变压器T2原边电感线圈的同名端相连接的电流损耗抑制电路，P极经电阻R1后与二极管整流器U1的正极输出端相连接、N极与控制芯片U2的VIN管脚相连接的稳压二极管D1，正极与二极管整流器U1的正极相连接、负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接后接地的极性电容C1，一端与极性电容C1的正极相连接、另一端与极性电容C1的负极相连接的电阻R2，串接在二极管整流器U1的其中一个输入端与变压器T1副边电感线圈的同名端之间的开关S，N极与电流损耗抑制电路相连接、P极经电阻R11后与控制芯片U2的VOUT管脚相连接的二极管D5，正极经电阻R12后与二极管D5的P极相连接、负极接地的极性电容C6，分别与控制芯片U2的ON/OF管脚和GND管脚相连接的反激式转换电路，串接在控制芯片U2的FB管脚与反激式转换电路之间的电磁干扰滤波电路，以及分别与变压器T2副边电感线圈的同名端和非同名端相连接的高阻抗电压输出电路组成；所述变压器T2的原边电感线圈的非同名端接地；所述控制芯片U2的VC管脚与二极管整流器U1的负极输出端相连接、其LX管脚与BST管脚相连接；所述二极管整流器U1的另一个输入端与变压器T1副边电感线圈的非同名端相连接。所述电流损耗抑制电路由场效应管MOS4，三极管VT7，三极管VT8，正极经电阻R30后与三极管VT7的发射极相连接、负极与二极管D5的N相连接的极性电容C15，正极经电阻R29后与极性电容C15的负极相连接、负极接地的极性电容C16，P极与极性电容C15的正极相连接、N极经电阻R31后与三极管VT7的基极相连接的二极管D13，正极经电阻R32后与二极管D13的N极相连接、负极经电阻R33后与三极管VT8的集电极相连接的极性电容C17，P极与极性电容C17的正极相连接、N极与三极管VT7的集电极相连接的二极管D14，P极与极性电容C17的负极相连接、N极与三极管VT7的集电极相连接的二极管D15，N极与场效应管MOS4的源极相连接、P极经电感L3后与三极管VT7的发射极相连接的二极管D16，一端与二极管D16的P极相连接、另一端与三极管VT7的集电极相连接的可调电阻R35，正极与场效应管MOS4的栅极相连接、负极经电阻R36后与三极管VT7的集电极相连接的极性电容C18，一端与三极管VT7的集电极相连接、另一端接地的电阻R37，负极经电阻R34后与三极管VT8的基极相连接、正极顺次经电阻R39和可调电阻R38后与场效应管MOS4的漏极相连接的极性电容C19，以及正极与场效应管MOS4的漏极相连接、负极接地的极性电容C20组成；所述三极管VT8的集电极接地；所述场效应管MOS4的漏极还与变压器T2原边电感线圈的同名端相连接。进一步的，所述电磁干扰滤波电路由场效应管MOS2，场效应管MOS3，三极管VT5，三极管VT6，负极经电感线圈DL后与场效应管MOS2的漏极相连接、正极与控制芯片U2的FB管脚相连接的极性电容C10，负极经电阻R20后与极性电容C10的负极相连接，正极经电阻R21后与场效应管MOS2的漏极相连接的极性电容C11，N极经电阻R22后与极性电容C10的负极相连接、P极经电阻R26后与三极管VT5的发射极相连接的二极管D9，正极经电阻R24后与二极管D9的P极相连接、负极经可调电阻R25后与三极管VT6的基极相连接的极性电容C12，P极与极性电容C12的负极相连接、N极与场效应管MOS3的栅极相连接的二极管D10，负极与三极管VT5的发射极相连接后接地、正极经电阻R27后与场效应管MOS3的源极相连接的极性电容C13，正极与三极管VT6的集电极相连接、负极接地的极性电容C14，P极与场效应管MOS3的漏极相连接、N极与极性电容C14的负极相连接的二极管D11，P极与三极管VT6的集电极相连接、N极经电阻R23后与极性电容C11的正极相连接的稳压二极管D12，以及一端与稳压二极管D12的N极相连接、另一端接地的电阻R28组成；所述极性电容C10的负极还与二极管D10的P极相连接；所述三极管VT5的集电极还与场效应管MOS3的栅极相连接、其基极还与极性电容C13的正极相连接；所述三极管VT6的发射极还与场效应管MOS2的栅极相连接；所述稳压二极管D12的N极还与反激式转换电路相连接。所述反激式转换电路由三极管VT1，三极管VT2，负极与三极管VT1的集电极相连接、正极经电阻R4后与控制芯片U2的ON/OF管脚相连接的极性电容C3，P极与极性电容C3的正极相连接、N极与三极管VT1的集电极相连接的二极管D2，正极经电阻R3后与二极管D2的P极相连接、负极接地的极性电容C2，一端与极性电容C2的正极相连接、另一端与三极管VT2的集电极相连接的电感L1，正极经电阻R6后与三极管VT2的集电极相连接、负极经电阻R8后与三极管VT2的发射极相连接的极性电容C5，N极经可调电阻R5后与三极管VT1的基极相连接、P经电阻R7后与极性电容C5的负极相连接的二极管D3，负极与三极管VT1的发射极相连接、正极与三极管VT2的基极相连接的极性电容C4，一端与极性电容C4的负极相连接、另一端与极性电容C4的正极相连接的电阻R9，以及P极与极性电容C5的负极相连接、N极经可调电阻R10后与三极管VT1的发射极相连接的二极管D4组成；所述二极管D3的N极还与三极管VT2的集电极相连接；所述可调电阻R10的可调端与稳压二极管D12的N极相连接；所述二极管D4的N极与控制芯片U2的GND管脚相连接后接地。所述高阻抗电压输出电路由场效应管MOS1，三极管VT3，三极管VT4，正极与变压器T2副边电感线圈的非同名端相连接、负极经电阻R14后与三极管VT3的发射极相连接的极性电容C7，P极经电阻R13后与极性电容C7的负极相连接、N极与三极管VT3的发射极相连接的二极管D6，P极与极性电容C7的负极相连接、N极经电阻R16后与三极管VT3的基极相连接的二极管D7，正极与变压器T2副边电感线圈的同名端相连接、负极与场效应管MOS1的漏极相连接后接地的极性电容C8，正极经电阻R15后与三极管VT3的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电磁干扰滤波的电流损耗抑制型便携式开关电源，其特征在于，主要由控制芯片U2，变压器T1，变压器T2，二极管整流器U1，与变压器T2原边电感线圈的同名端相连接的电流损耗抑制电路，P极经电阻R1后与二极管整流器U1的正极输出端相连接、N极与控制芯片U2的VIN管脚相连接的稳压二极管D1，正极与二极管整流器U1的正极相连接、负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接后接地的极性电容C1，一端与极性电容C1的正极相连接、另一端与极性电容C1的负极相连接的电阻R2，串接在二极管整流器U1的其中一个输入端与变压器T1副边电感线圈的同名端之间的开关S，N极与电流损耗抑制电路相连接、P极经电阻R11后与控制芯片U2的VOUT管脚相连接的二极管D5，正极经电阻R12后与二极管D5的P极相连接、负极接地的极性电容C6，分别与控制芯片U2的ON/OF管脚和GND管脚相连接的反激式转换电路，串接在控制芯片U2的FB管脚与反激式转换电路之间的电磁干扰滤波电路，以及分别与变压器T2副边电感线圈的同名端和非同名端相连接的高阻抗电压输出电路组成；所述变压器T2的原边电感线圈的非同名端接地；所述控制芯片U2的VC管脚与二极管整流器U1的负极输出端相连接、其LX管脚与BST管脚相连接；所述二极管整流器U1的另一个输入端与变压器T1副边电感线圈的非同名端相连接。...

【技术特征摘要】
1.一种电磁干扰滤波的电流损耗抑制型便携式开关电源，其特征在于，主要由控制芯片U2，变压器T1，变压器T2，二极管整流器U1，与变压器T2原边电感线圈的同名端相连接的电流损耗抑制电路，P极经电阻R1后与二极管整流器U1的正极输出端相连接、N极与控制芯片U2的VIN管脚相连接的稳压二极管D1，正极与二极管整流器U1的正极相连接、负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接后接地的极性电容C1，一端与极性电容C1的正极相连接、另一端与极性电容C1的负极相连接的电阻R2，串接在二极管整流器U1的其中一个输入端与变压器T1副边电感线圈的同名端之间的开关S，N极与电流损耗抑制电路相连接、P极经电阻R11后与控制芯片U2的VOUT管脚相连接的二极管D5，正极经电阻R12后与二极管D5的P极相连接、负极接地的极性电容C6，分别与控制芯片U2的ON/OF管脚和GND管脚相连接的反激式转换电路，串接在控制芯片U2的FB管脚与反激式转换电路之间的电磁干扰滤波电路，以及分别与变压器T2副边电感线圈的同名端和非同名端相连接的高阻抗电压输出电路组成；所述变压器T2的原边电感线圈的非同名端接地；所述控制芯片U2的VC管脚与二极管整流器U1的负极输出端相连接、其LX管脚与BST管脚相连接；所述二极管整流器U1的另一个输入端与变压器T1副边电感线圈的非同名端相连接。2.根据权利要求1所述的一种电磁干扰滤波的电流损耗抑制型便携式开关电源，其特征在于，所述电流损耗抑制电路由场效应管MOS4，三极管VT7，三极管VT8，正极经电阻R30后与三极管VT7的发射极相连接、负极与二极管D5的N相连接的极性电容C15，正极经电阻R29后与极性电容C15的负极相连接、负极接地的极性电容C16，P极与极性电容C15的正极相连接、N极经电阻R31后与三极管VT7的基极相连接的二极管D13，正极经电阻R32后与二极管D13的N极相连接、负极经电阻R33后与三极管VT8的集电极相连接的极性电容C17，P极与极性电容C17的正极相连接、N极与三极管VT7的集电极相连接的二极管D14，P极与极性电容C17的负极相连接、N极与三极管VT7的集电极相连接的二极管D15，N极与场效应管MOS4的源极相连接、P极经电感L3后与三极管VT7的发射极相连接的二极管D16，一端与二极管D16的P极相连接、另一端与三极管VT7的集电极相连接的可调电阻R35，正极与场效应管MOS4的栅极相连接、负极经电阻R36后与三极管VT7的集电极相连接的极性电容C18，一端与三极管VT7的集电极相连接、另一端接地的电阻R37，负极经电阻R34后与三极管VT8的基极相连接、正极顺次经电阻R39和可调电阻R38后与场效应管MOS4的漏极相连接的极性电容C19，以及正极与场效应管MOS4的漏极相连接、负极接地的极性电容C20组成；所述三极管VT8的集电极接地；所述场效应管MOS4的漏极还与变压器T2原边电感线圈的同名端相连接。3.根据权利要求2所述的一种电磁干扰滤波的电流损耗抑制型便携式开关电源，其特征在于，所述电磁干扰滤波电路由场效应管MOS2，场效应管MOS3，三极管VT5，三极管VT6，负极经电感线圈DL后与场效应管MOS2的漏极相连接、正极与控制芯片U2的FB管脚相连接的极性电容C10，负极经电阻R20后与极性电容C10的负极相连接，正极经电阻R21后与场效应管MOS2的漏极相连接的极性电容C11，N极经电阻R22后与极性电容C10的负极相连接、P极经电阻R26后与三极管VT5的发射极相连接的二极管D9，正极经电阻R24后与二极管D9的P极相连接、负极经可调电阻R25后与三极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：成都翰道科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51