本发明专利技术所涉及一种提升EEPROM编程精度的振荡器电路及其方法,包括:寄存器、MOS管开关阵列、RC振荡器以及EEPROM存储器。本发明专利技术充分利用EEPROM存储器数据在芯片掉电时可以保存足够长时间的特点,在EEPROM存储区专门划分出一小部分作为修正专用区域。其特点在于:芯片测试模式时,先用普通寄存器来调整振荡器电路的精度,当得到准确的振荡器电路的频率值时,EEPROM可以正常编程,把寄存器中的数据存储在EEPROM修正专用区域。本发明专利技术电路所占芯片面积小,成本低。除此之外,电路中的寄存器可以反复扫描,且可以修正位数比较高,所以RC振荡器的频率精度高。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高精度振荡器电路,具体涉及一种提升EEPROM编程精度的振荡器电路及其方法。
技术介绍
EEPROM(Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory),或写作E2PROM,全称电子抹除式可复写只读存储器,是一种可以通过电子方式多次复写的半导体存储设备,可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息,重新编程。相比EPROM,EEPROM不需要用紫外线照射,也不需取下,就可以用特定的电压,来抹除芯片上的信息,以便写入新的数据。EEPROM的擦除不需要借助于其它设备,它是以电子信号来修改其内容的,而且是以Byte为最小修改单位,不必将资料全部洗掉才能写入,彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚。EEPROM在写入数据时,仍要利用一定的编程电压,此时,只需用厂商提供的专用刷新程序就可以轻而易举地改写内容,所以,它属于双电压芯片。MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电沟道,即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时,沟道内被感应的电荷量也改变,导电沟道的宽窄也随之而变,因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。现有的用于EEPROM存储器编程使用的振荡器电路,由于精度低,受工艺影响大,给编程时间的计时带来较大误差,如图1所示,这种的电路结构缺点是:1,精度低,受工艺影响大,只有加大时间,才能保证EEPROM存储器编程和擦除的可靠性,进而导致EEPROM编程时间慢和不一致。2,数据可靠性低。为了解决
技术介绍
所存在的问题,本专利技术的目的是提供一种提升EEPROM存储器编程精度的振荡器电路及其方法,本专利技术采用以下技术方案:一种提升EEPROM编程精度的振荡器电路,包括:RC振荡器、EEPROM存储器,其特征在于,还包括:寄存器以及MOS管开关阵列;所述寄存器中存储用于控制MOS管开关阵列的矩阵数据;所述MOS管开关阵列通过控制开关控制RC振荡器的电阻;所述RC振荡器通过改变电阻大小控制输出频率;所述存储器中存入能正常写入存储器时的频率所对应的MOS管开关阵列数据,存入的地方为存储器内存储区域划出的一部分作为修正专用区域;在读取模式时,读取存储器中存入的数据,直接输出适于写入的振荡器频率。一种提升EEPROM编程使用的振荡器精度的方法,其特征在于,还包括:寄存器和MOS管开关阵列;包括如下步骤:S101,在存储器的存储区域划出一部分作为修正专用区域;S102,判断存储器是否处于测试模式,是,则执行S103,否则执行S108;S103,向寄存器中输入MOS管开关阵列的矩阵数据,并控制MOS管开关阵列的开关;S104,根据MOS管开关阵列的开关调整RC振荡器的电阻;S105,输出RC振荡器的输出频率;S106,判断EEPROM存储器是否可以正常写入数据,是,则执行S107,否则执行S103;S107,将寄存器中的MOS管开关阵列数据存储到修正专用区域中;S108,根据EEPROM存储器中修正专用区域的MOS管开关阵列数据控制MOS管开关阵列的开关;S109,通过控制MOS管开关阵列电阻变化控制RC振荡器输出的用于EEPROM存储器正常编程的频率。进一步地,所述S104通过MOS管开关阵列调整RC振荡器的电阻为:通过控制MOS管开关阵列来控制MOS管电阻,然后通过控制MOS管的电阻值变化控制RC振荡器的电阻值变化。进一步地,所述测试模式下先用粗略扫描数据的方式控制MOS管开关阵列,判断数据的大体范围。进一步地,所述测试模式下在前期测试基础上,在小范围内用精确扫描数据的方式控制MOS管开关阵列,得到精确的数据值。进一步地,所述在EEPROM存储器中划分出来修正专用区域的面积大小可以忽略不计。鉴于以上电路和EEPROM存储器进入深亚微米工艺时,逻辑电路和存储单元面积很小的特点,本专利技术有以下特点:1、电路所占芯片面积小,成本低。2、寄存器可以反复扫描,且可以修正位数比较高,所以修正精度高。附图说明图1为本专利技术电路的步骤流程图。图2为
技术介绍
的结构示意图。图3为本专利技术的结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面结合附图及具体实施方式对本专利技术做进一步描述。下面结合附图3对本专利技术的实施例进行说明:目前EEPROM存储器进入深亚微米时代,EEPROM集成和工艺复杂性读越来越高,特别是一些高性能新型EEPROM存储器,对编程所使用的振荡器的要求也越来越高。本专利技术充分利用EEPROM存储器数据在芯片掉电时可以保存足够长时间的特点,在EEPROM存储区专门划分出一小部分(面积小到可以忽略不计)作为修正专用区。如图2所示,芯片测试模式时,先用普通寄存器来控制MOS管开关阵列,再由MOS管开关阵列调整RC振荡器的电阻。当RC振荡器的电阻调整时,RC振荡器输出的用于EEPROM存储器编程使用的频率跟着调整。当得到RC振荡器符合要求的输出的频率值时,EEPROM可以正常编程。把这时的寄存器数据存储在EEPROM修正专用区域。当电路不在测试模式,而是在正常模式时,MOS管开管阵列由EEPROM修正专用区域的数据控制,进而在正常模式时,得到RC振荡器输出符合EEPROM存储器编程使用要求的RC振荡器频率值。下面结合附图2对本专利技术的实施例进行说明:1、芯片测试模式下,先用粗略扫描数据的方式,用普通寄存器来控制MOS管开关阵列,同时测量RC振荡器输出的频率,判断数据大体范围。2、芯片测试模式下,在前期测试基础上,在小范围内,用精确扫描数据的方式,用普通寄存器来控制MOS管开关阵列,同时记下RC振荡器输出的符合EEPROM存储器编程使用要求的精准频率值时,普通寄存器的数据值。把RC振荡器输出的符合EEPROM存储器编程使用要求的精准频率值时对应的寄存器的数据值,写入EEPROM修正专用区域。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种提升EEPROM编程精度的振荡器电路,包括:RC振荡器、EEPROM存储器,其特征在于,还包括:寄存器以及MOS管开关阵列;所述寄存器中存储用于控制MOS管开关阵列的矩阵数据;所述MOS管开关阵列通过控制开关控制RC振荡器的电阻;所述RC振荡器通过改变电阻大小控制输出频率;所述存储器中存入能正常写入存储器时的频率所对应的MOS管开关阵列数据,存入的地方为存储器内存储区域划出的一部分作为修正专用区域;在读取模式时,读取存储器中存入的数据,直接输出适于写入的振荡器频率。
【技术特征摘要】
1.一种提升EEPROM编程精度的振荡器电路,包括:RC振荡器、EEPROM存储器,其特征在于,还包括:寄存器以及MOS管开关阵列;所述寄存器中存储用于控制MOS管开关阵列的矩阵数据;所述MOS管开关阵列通过控制开关控制RC振荡器的电阻;所述RC振荡器通过改变电阻大小控制输出频率;所述存储器中存入能正常写入存储器时的频率所对应的MOS管开关阵列数据,存入的地方为存储器内存储区域划出的一部分作为修正专用区域;在读取模式时,读取存储器中存入的数据,直接输出适于写入的振荡器频率。2.一种提升EEPROM编程使用的振荡器精度的方法,其特征在于,还包括:寄存器和MOS管开关阵列;包括如下步骤:S101,在存储器的存储区域划出一部分作为修正专用区域;S102,判断存储器是否处于测试模式,是,则执行S103,否则执行S108;S103,向寄存器中输入MOS管开关阵列的矩阵数据,并控制MOS管开关阵列的开关;S104,根据MOS管开关阵列的开关调整RC振荡器的电阻;S105,输出RC振荡器的输出频率;S106,判断EEPROM存...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘吉平,唐伟,张怀东,
申请(专利权)人:深圳市航顺芯片技术研发有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。