具有增大的爬电距离的电子装置制造方法及图纸

一种装置包括封装材料、伸出到封装材料的表面之外的第一引线和第二引线。凹部延伸至封装材料的所述表面中。隆起部布置在封装材料的所述表面上，其中，第一引线伸出到隆起部之外。

Electronic device with increased creepage distance

A device includes a packaging material, a first lead and a second lead extending beyond the surface of the packaging material. The recess extends to the surface of the packaging material. The protrusion is arranged on the surface of the packaging material, wherein the first lead wire extends out of the bulge part.

【技术实现步骤摘要】

本公开总体上涉及电子装置。更具体地，本公开涉及具有增大的爬电距离的电子装置。
技术介绍
电子装置、例如功率半导体可以以高电压运行。在此，所述装置可需要遵守根据给定的安全标准的电绝缘要求。电子装置经常需要被改进。特别地，期望能够在不降低装置的性能和品质的情况下满足所要求的安全标准。对此，尤其期望能够增大装置的爬电距离。此外，期望能够降低系统成本和提供更高的功率密度。
技术实现思路
根据本专利技术，提出了一种装置，包括：封装材料；伸出到所述封装材料的表面之外的第一引线和第二引线；延伸至封装材料的所述表面中的凹部；以及布置在封装材料的所述表面上的第一隆起部，其中，第一引线伸出到第一隆起部之外。根据本专利技术一有利实施例，所述凹部布置在第一引线与第二引线之间。根据本专利技术一有利实施例，所述装置还包括：布置在封装材料的所述表面上的第二隆起部，其中，所述第二引线伸出到所述第二隆起部之外。根据本专利技术一有利实施例，第一隆起部和第二隆起部具有相似的形状和尺寸。根据本专利技术一有利实施例，封装材料的所述表面限定一平面，并且所述凹部的在所述平面之下的深度位于从100微米至2毫米的范围内。根据本专利技术一有利实施例，封装材料的所述表面限定一平面，并且第一隆起部的在所述平面之上的高度位于从100微米至2毫米的范围内。根据本专利技术一有利实施例，第一隆起部形成包围第一引线的凸缘。根据本专利技术一有利实施例，所述凹部和第一隆起部中的至少一个是矩形的。根据本专利技术一有利实施例，所述凹部从所述封装材料的第一主表面延伸至所述封装材料的第二主表面。根据本专利技术一有利实施例，所述封装材料和第一隆起部由相同材料整体地形成。根据本专利技术一有利实施例，所述封装材料包括环氧树脂、玻璃纤维填充的环氧树脂、玻璃纤维填充的聚合物、酰亚胺、填充的或未填充的热塑性聚合物材料、填充的或未填充的硬塑料聚合物材料、填充的或未填充的聚合物共混物、热固性材料、模制化合物、圆顶封装体材料、层合材料中的至少一种。根据本专利技术一有利实施例，第一引线与第二引线之间的间距在从200微米至2毫米的范围内。根据本专利技术一有利实施例，所述装置还包括：载体，其中，所述半导体芯片布置在所述载体的第一表面之上，并且所述载体的与第一表面相反的第二表面从所述封装材料暴露。根据本专利技术一有利实施例，所述装置还包括：布置在载体的第二表面之上的散热器。根据本专利技术一有利实施例，所述装置还包括：布置在所述封装材料与所述散热器之间的电绝缘且导热的层。根据本专利技术一有利实施例，所述装置还包括：至少部分地被所述封装材料所覆盖的半导体芯片，其中，第一引线和第二引线中的至少一个电耦接至所述半导体芯片。根据本专利技术，还提出了一种装置，包括：封装材料；伸出到所述封装材料的表面之外的第一引线和第二引线；延伸至封装材料的所述表面中的凹部；以及布置在封装材料的所述表面上的第一凸缘，其中，第一凸缘包围第一引线。根据本专利技术一有利实施例，所述凹部布置在在第一引线与第二引线之间。根据本专利技术一有利实施例，所述装置还包括：布置在封装材料的所述
表面上的第二凸缘，其中，所述第二凸缘包围第二引线。根据本专利技术，还提出了一种装置，包括：构造成能够容纳半导体芯片的壳体，其中，所述壳体包括具有第一开口和第二开口的表面，所述第一开口构造成能够容纳第一引线，所述第二开口构造成能够容纳第二引线；延伸至壳体的所述表面中的凹部；以及布置在壳体的所述表面上的隆起部，其中，所述隆起部包括所述第一开口。根据本专利技术一有利实施例，所述凹部布置在第一开口与第二开口之间。附图说明附图被包括以提供对多个方面的进一步的理解并且并入本说明书并构成本说明书的一部分。附图示出了多个方面并且结合说明书来解释方面的原理。其它方面以及方面的许多期望的优点将通过参考下述详细说明来更好地理解，从而可被容易地意识到。附图的元件不一定相对于彼此按比例绘制。相同的附图标记可指代对应的类似的部件。图1A示意性地示出了根据本公开的装置100的俯视图；图1B示意性地示出了装置100的侧剖视图；图2A示意性地示出了根据本公开的装置200的俯视图；图2B示意性地示出了装置200的侧剖视图；图2C示意性地示出了装置200的仰视图；图3A至3C示意性地示出了根据本公开的装置300A至300C的侧剖视图。具体实施方式下述详细说明参考了附图，所述附图中以展示性方式示出了可以实践本公开的具体方面。在这点上，方向术语如“顶”、“底”、“前”、“后”可参考所描述的附图的方位来使用。由于所描述的装置的部件可以以多种不同的方位定位，因此方向术语可用于展示的目的，而不是限制性的。可以使用其它方面并且可以做出结构性或逻辑性的改变，而不会脱离本公开的概念。因此，下述详细说明不是限制性的，本公开的概念由所附的权利要求来限定。本说明书中所应用的术语“连接”、“耦接”、“电连接”和/或“电耦接”不一定意味着元件必须直接连接或耦接在一起。中介元件可以设置在“连接的”、“耦接的”、“电连接的”或“电耦接的”元件之间。此外，对于例如材料层形成或定位在一个物体的表面之上所使用的词语“之上”在此可用来指，该材料层可“直接地”定位(例如形成、沉积)在相应表面上、例如与相应表面直接接触。对于例如材料层形成或定位在一表面之上所使用的词语“之上”在此也可用来指，该材料层可“间接地”定位(例如形成、沉积)在相应表面上而在所述相应表面与所述材料层之间布置有例如一个或一个以上的附加层。此外，对于两个或两个以上部件的相对方位在此可以使用词语“垂直”和“平行”。应当理解的是，这些术语不是必然意味着所描述的几何关系是以完美的几何意义来实现的。相反，对此可能需要考虑所涉及部件的制造公差。例如，如果半导体封装体的封装材料的两个表面被描述为彼此垂直(或平行)，那么这些表面之间的实际角度可以以一偏离值相对于确切的90(或0)度的值偏离，该偏离值尤其取决于在执行用于制造由封装材料制成壳体的技术时通常会出现的公差。在此说明装置和用于制造装置的方法。关于所描述的装置所进行的说明也可适用于相应的方法，反之亦然。例如，如果装置的一特定部件被描述，那么用于制造该装置的相应的方法可包括以适当的方式提供该部件的步骤，即使这种步骤没有被明确描述或在附图中未被明确展示。此外，除非另有说明，否则在此所描述的各种示例性方面的特征可以彼此组合。在此所描述的装置可包括任意类型的一个或一个以上半导体芯片。通常，半导体芯片例如可包括集成电路、电光电路或者机电电路、无源装置。集成电路通常可设计成逻辑集成电路、模拟集成电路、混合信号集成电路、功率集成电路、记忆电路、集成式无源装置、微机电系统。在一个示例中，半导体芯片可由基本的半导体材料、例如Si制成。在另一示例中，半导体芯片可以由复合半导体材料、例如GaN、SiC、SiGe、GaAs制成。特别地，半导体芯片可包括一个或一个以上功率半导体。功率半导体芯片可构造成例如二极管、功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管，Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)、IGBT(绝缘栅双极晶体管，Insulated
Gate Bipolar Transistor)、JFET(面结型栅场效应晶体管，Junction本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：封装材料；伸出到所述封装材料的表面之外的第一引线和第二引线；延伸至封装材料的所述表面中的凹部；以及布置在封装材料的所述表面上的第一隆起部，其中，第一引线伸出到第一隆起部之外。

【技术特征摘要】
2015.06.09 DE 102015109073.21.一种装置，包括：封装材料；伸出到所述封装材料的表面之外的第一引线和第二引线；延伸至封装材料的所述表面中的凹部；以及布置在封装材料的所述表面上的第一隆起部，其中，第一引线伸出到第一隆起部之外。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述凹部布置在第一引线与第二引线之间。3.如权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：布置在封装材料的所述表面上的第二隆起部，其中，所述第二引线伸出到所述第二隆起部之外。4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，第一隆起部和第二隆起部具有相似的形状和尺寸。5.如前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，封装材料的所述表面限定一平面，并且所述凹部的在所述平面之下的深度位于从100微米至2毫米的范围内。6.如前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，封装材料的所述表面限定一平面，并且第一隆起部的在所述平面之上的高度位于从100微米至2毫米的范围内。7.如前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，第一隆起部形成包围第一引线的凸缘。8.如前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述凹部和第一隆起部中的至少一个是矩形的。9.如前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述凹部从所述封装材料的第一主表面延伸至所述封装材料的第二主表面。10.如前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述封装材料和第一隆起部由相同材料整体地形成。11.如前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述封装材料包括环氧树脂、玻璃纤维填充的环氧树脂、玻璃纤维填充的聚合物、酰亚胺、填充的或未填充的热塑性聚合物材料、填充的或未填充的硬塑料聚合物材料、填充的或未填充的聚合...

【专利技术属性】
技术研发人员：E·菲尔古特，C·卡斯特兰，H·T·屈克，T·S·李，S·K·穆鲁甘，R·奥特伦巴，L·S·王，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE