The present invention provides a semiconductor device with micro nano structure, the passivation layer includes a substrate; a buffer layer on the substrate; the first epitaxial layer in the buffer layer; a first electrode extends from the first epitaxial layer; an active light emitting layer is located on the first epitaxial layer without extending the first electrode portion; the second epitaxial layer, located in the active light emitting layer; the conductive layer in the second epitaxial layer; passivation layer containing composite micro nano structure, located in the conductive layer; a second electrode located over the passivation layer of composite. The present invention through the passivation layer containing composite micro nano structure, not only has good thermal stability and excellent chemical passivation properties, but also can eliminate the total reflection and optimize the angle of light, thus greatly enhance the efficiency of light emitting diode.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子领域,尤其涉及一种光电子器件。
技术介绍
发光二极管由于其具有体积小、寿命长、效率高、高耐震性、同时耗电量少、发热少,广泛应用到日常生活中的各项用品,如各种家电的指示灯或光源等。近年来更由于多色彩及高亮度化的发展趋势,应用范围更向户外显示发展如照明灯、大型户外显示屏、交通信号灯等。半导体表面是具有特殊性质的表面,对外界气氛极为敏感,严重的影响半导体器件的特性,半导体LED也不例外。为了提高器件的可靠性和稳定性,必须对表面采取有效地保护措施。由于钝化层的生长是在完成电极制备之后,因此生长温度不宜过高,否则电极性能会变坏。而低温下生长的钝化层往往存在黏附性不好,易剥落,致密度差,针孔密度大等缺点。现有的LED行业一般都是使用SiO2或SiNx做钝化层,但是对于LED器件来说,它们不能很好地实现LED的电学特性和光学特性。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提高包括发光二极管在内的光电子器件的出光效率。本专利技术提供了一种光电子器件,包括:衬底;缓冲层,位于衬底之上;第一外延层,位于缓冲层之上;第一电极,从第一外延层伸出;有源发光层,位于第一外延层没有伸出第一电极的部分上;第二外延层,位于有源发光层之上;导电层,位于第二外延层之上;含有微纳结构的复合钝化层,位于导电层之上;第二电极,位于复合钝化层之上。可选地,含有微纳结构的复合钝化层包括:Al2O3钝化层,位于导电层之上;含有微纳结构的透明介质层,位于Al2O3钝化层上。可选地,透明介质层含有的微纳结构从空气孔型和介质柱型中选择。可选地,透明介质层含有的微纳结构形状可以为锥形、柱形、台形、半 ...
【技术保护点】
一种光电子器件,包括:衬底(101);缓冲层(102),位于衬底(101)之上;第一外延层(103),位于缓冲层(102)之上;第一电极(104),从第一外延层(103)伸出;有源发光层(105),位于第一外延层(103)没有伸出第一电极(104)的部分上;第二外延层(106),位于有源发光层(105)之上;导电层(107),位于第二外延层(106)之上;含有微纳结构的复合钝化层(108,109),位于导电层(107)之上;第二电极(110),位于复合钝化层(108,109)之上。
【技术特征摘要】
1.一种光电子器件,包括:衬底(101);缓冲层(102),位于衬底(101)之上;第一外延层(103),位于缓冲层(102)之上;第一电极(104),从第一外延层(103)伸出;有源发光层(105),位于第一外延层(103)没有伸出第一电极(104)的部分上;第二外延层(106),位于有源发光层(105)之上;导电层(107),位于第二外延层(106)之上;含有微纳结构的复合钝化层(108,109),位于导电层(107)之上;第二电极(110),位于复合钝化层(108,109)之上。2.根据权利要求1的光电子器件,其中含有微纳结构的复合钝化层(108,109)包括:Al2O3钝化层(108),位于导电层(107)之上;含有微纳结构的透明介质层(109),位于Al2O3钝化层上。3.根据权利要求2的光电子器件,其中透明介质层(109)含有的微纳结构从空气孔型和介质柱型中选择。4.根据权利要求2的光电子器件,其中透明介质层(109)含有的微纳结构形状可以为锥形、柱形、台形、半球形中的至少一种。5.根据权利要求2的光电子器件,其中透明介质层(109)含...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘洪刚,常虎东,刘新宇,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:北京;11
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