热处理装置及热处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种热处理装置及热处理方法，尤其涉及一种旨在实现热处理对象基板的热变形最小化、与此同时可在同一腔室内迅速执行基板的加热处理和冷却处理的热处理装置及热处理方法。为此，本发明专利技术的热处理装置包括：腔室，内部形成有基板的热处理空间；加热部，配备于所述腔室的上部而用于加热基板；基板支撑部，可升降地配备于所述腔室的内部，用于安置固定所述基板；冷却部，配备于所述腔室的下部，用于冷却借助于所述加热部而得到热处理的基板和基板支撑部；升降驱动部，用于使所述基板和基板支撑部在加热位置与冷却位置之间升降，所述加热位置靠近所述加热部，所述冷却位置靠近所述冷却部或者接触于所述冷却部。

Heat treatment device and heat treatment method

The invention relates to a device and method for heat treatment, in particular to a minimum, in order to achieve deformation heat treatment heat substrate to be performed quickly at the same time the substrate in the same chamber, heating and cooling processing device and method for heat treatment. Therefore, the heat treatment device of the invention comprises a chamber, forming a heat treatment of the substrate is the internal space; the heating section, the upper is equipped to the chamber for heating the substrate; a substrate support, with internal lifting in the chamber, for the placement of the fixed substrate; a cooling unit, equipped with lower the chamber, for the heating part and heat treatment of the substrate and the substrate support by cooling; lifting driving part, to make the substrate and the substrate support lifting between the heating position and cooling position, the heating position near the heating section and the cooling position close to the the cooling section of the cooling section or contact.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种热处理装置及热处理方法，尤其涉及一种旨在实现热处理对象基板的热变形最小化、与此同时可在同一腔室内迅速执行基板的加热处理和冷却处理的热处理装置及热处理方法。
技术介绍
通常，作为半导体后处理工序的回流焊(reflow)工序是一种将需要焊接的焊料供应到半导体晶圆或PCB并将热量施加于该焊料而电连接电子部件或布线的工序。为了执行回流焊工序，需要执行用于加热焊料的热处理以及用于在加热后冷却的热处理，这种热处理装置根据制造商而被制作成多种多样的结构。作为关于如上所述的热处理装置的现有技术，韩国授权专利第10-1501171号中公开有一种基板处理装置，其将多个腔室布置为圆形，并使用经由各个腔室的转台以将装载的半导体晶圆依次移送到各个腔室。所述韩国授权专利第10-1501171号的基板处理装置中配备的回流焊处理单元中，用于吸附基板的真空吸盘的内部具有加热器，从而将热量供应给基板的底面而执行加热处理，加热处理完毕的基板被移送到专门的冷却腔室而执行冷却处理。然而，根据这样的构造，加热器的热量以传导方式直接传递到基板的底面，从而使基板承受热冲击，因此基板可能遭受变形、损坏，而且难以执行工艺，且随着基板的加热处理和冷却处理在专门的腔室中分别执行，需要有用于在腔室之间移送基板的时间，因此基板的处理时间变长而使基板的生产性降低，并存在用于基板的加热和冷却的电力或氮气等资源的消耗量增加的问题。
技术实现思路
本专利技术旨在解决如上所述的技术问题，其目的在于提供一种热处理装置及热处理方法，其可实现对象基板的热变形最小化，并可在同一腔室内迅速执行基板的加热处理和冷却处理。用于实现如上所述的目的之本专利技术的一种热处理装置100，包括：腔室110，内部形成有基板的热处理空间；加热部120，配备于所述腔室110的上部而用于加热基板；基板支撑部150，可升降地配备于所述腔室110的内部，用于安置固定所述基板；冷却部160，配备于所述腔室110的下部，用于冷却借助于所述加热部120而得到热处理的基板和基板支撑部150；升降驱动部170，用于使所述基板和基板支撑部150在加热位置与冷却位置之间升降，所述加热位置靠近所述加热部120，所述冷却位置靠近所述冷却部160或者与所述冷却部160接触。所述升降驱动部170可包括：升降销171，贯穿所述冷却部160和基板支撑部150而可升降地配备，用于使所述基板被安置于所述基板支撑部150或者从基板支撑部150隔置；升降支撑部172，上下贯穿所述冷却部160而可升降地配备，用于支撑所述基板支撑部150。所述腔室110的上部可具有：均洒头130，用于将通过气体供应部140供应的工程气体均匀喷射到所述热处理空间。所述加热部120可配备为靠近所述气体供应部140的周围以及所述均洒头130。作为一实施例，所述基板支撑部150可包括：边框部151，用于支撑所述基板的外侧部；多个连接部153，两端连接于所述边框部151的内侧端和中央部152，并从所述中央部152以辐射状构成；多个吸入口154，在所述边框部151和连接部153中以预定间距隔置而用于施加真空，所述冷却部160可包括：边框槽161，用于插入安置所述边框部151；中央槽162，用于插入安置所述中央部152；连接槽163，用于插入安置所述连接部153；冷却板164，形成有贯通孔164a，所述贯通孔164a用于使所述升降销171贯穿。所述边框槽161、中央槽162以及连接槽163的深度可形成为分别深于所述边框部151、中央部152以及连接部153的高度，以在所述基板支撑部150被安置于所述冷却部160时，使安置于所述基板支撑部150的基板接触于所述冷却板164。作为另一实施例，所述基板支撑部150可包括：板部155，用于支撑所述基板，并形成有用于使所述升降销171贯穿的贯通孔155a；多个圆形槽156，以所述板部155的中央为中心而以同心结构形成；多个直线槽157，从所述板部155的中央以辐射状形成，并与所述圆形槽156连通；吸入口158，形成于所述板部155的中央而用于将真空施加于所述圆形槽156和直线槽157，其中，所述冷却部160可包括：冷却板166，形成有贯通孔166a，所述贯通孔166a用于使所述升降销171贯穿。根据本专利技术的一种热处理方法，可包括如下步骤：步骤a，将基板搬入到腔室110内，并将基板安置固定于基板支撑部150上；步骤b，使基板和基板支撑部150上升至所述腔室110的上部的加热位置，并借助于加热部120而对基板执行加热处理；步骤c，在加热处理完毕之后，使所述基板和基板支撑部150下降至所述腔室110的下部的冷却位置，并借助于冷却部160而对基板和基板支撑部150执行冷却处理；步骤d，在冷却处理完毕之后，使所述基板和基板支撑部150上升至移送位置，然后将基板搬出到腔室110的外部。在执行所述步骤b的过程中，所述冷却部160可执行用于冷却基板和基板支撑部150的冷却操作，以使加热处理步骤与冷却处理步骤连续执行。在所述步骤b中，借助于所述加热部120而得到加热的工程气体在所述腔室110的内部通过均洒头130而被均匀喷射。根据本专利技术，在腔室的上部配备用于基板的加热处理的加热部，并在腔室的下部配备用于被加热的基板和基板支撑部的冷却处理的冷却部，且在腔室的加热位置与冷却位置之间配备用于使基板和基板支撑部升降的升降驱动部，从而提高对基板上表面的加热效率，与此同时可防止基板的热变形引起的损坏。并且，通过使基板上升而借助于加热部执行基板的加热处理，并在加热处理完毕之后使基板下降而借助于冷却部执行冷却处理，据此可以在同一腔室内连续地迅速执行加热处理和冷却处理，因此可缩短工序时间，并可节省为了基板的加热及冷却处理而消耗的能量。附图说明图1为表示根据本专利技术的热处理装置中基板被搬入腔室内部的情形的操作状态图。图2为表示根据本专利技术的热处理装置中基板被安置于基板支撑部上的情形的操作状态图。图3为表示根据本专利技术的热处理装置中基板上升到加热位置的情形的操作状态图。图4为表示根据本专利技术的热处理装置中基板下降到冷却位置的情形的操作状态图。图5为根据本专利技术的热处理方法的顺序图。图6为根据本专利技术之一实施例的基板支撑部和冷却部的分解立体图。图7为图6的结合立体图。图8为根据本专利技术之另一实施例的基板支撑部和冷却部的分解立体图。图9为图8的结合立体图。符号说明100：热处理装置 110：腔室111：活门 120：加热部130：均洒头 131：喷射孔140：气体供应部 150、150-1、150-2：基板支撑部150a：开口部 151：边框部152：中央部 153：连接部154：吸入口 155：板部155a：贯通孔 156：圆形槽157：直线槽 158：吸入口160、160-1、160-2：冷却部 161：边框槽162：中央槽 163：连接槽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热处理装置，包括：腔室(110)，内部形成有基板的热处理空间；加热部(120)，配备于所述腔室(110)的上部而用于加热基板；基板支撑部(150)，可升降地配备于所述腔室(110)的内部，用于安置固定所述基板；冷却部(160)，配备于所述腔室(110)的下部，用于冷却借助于所述加热部(120)而得到热处理的基板和基板支撑部(150)；以及升降驱动部(170)，用于使所述基板和基板支撑部(150)在加热位置与冷却位置之间升降，所述加热位置靠近所述加热部(120)，所述冷却位置靠近所述冷却部(160)或者与所述冷却部(160)接触。

【技术特征摘要】
2015.05.18 KR 10-2015-00687191.一种热处理装置，包括：腔室(110)，内部形成有基板的热处理空间；加热部(120)，配备于所述腔室(110)的上部而用于加热基板；基板支撑部(150)，可升降地配备于所述腔室(110)的内部，用于安置固定所述基板；冷却部(160)，配备于所述腔室(110)的下部，用于冷却借助于所述加热部(120)而得到热处理的基板和基板支撑部(150)；以及升降驱动部(170)，用于使所述基板和基板支撑部(150)在加热位置与冷却位置之间升降，所述加热位置靠近所述加热部(120)，所述冷却位置靠近所述冷却部(160)或者与所述冷却部(160)接触。2.如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，所述升降驱动部(170)包括：升降销(171)，贯穿所述冷却部(160)和基板支撑部(150)而可升降地配备，用于使所述基板被安置于所述基板支撑部(150)或者从基板支撑部(150)隔置；升降支撑部(172)，上下贯穿所述冷却部(160)而可升降地配备，用于支撑所述基板支撑部(150)。3.如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，所述腔室(110)的上部具有：均洒头(130)，用于将通过气体供应部(140)供应的工程气体均匀喷射到所述热处理空间。4.如权利要求3所述的热处理装置，其特征在于，所述加热部(120)配备为靠近所述气体供应部(140)的周围以及所述均洒头(130)。5.如权利要求2所述的热处理装置，其特征在于，所述基板支撑部(150)包括：边框部(151)，用于支撑所述基板的外侧部；多个连接部(153)，两端连接于所述边框部(151)的内侧端和中央部(152)，并从所述中央部(152)以辐射状构成；以及多个吸入口(154)，在所述边框部(151)和连接部(153)中以预定间距隔置而用于施加真空，所述冷却部(160)包括：边框槽(161)，用于插入安置所述边框部(151)；中央槽(162)，用于插入安置所述中央部(152)；连接槽(163)，用于插入安置所述连接部(153)；以及冷却板(164)，形成有贯通孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：安贤焕，田银秀，柳守烈，
申请(专利权)人：系统科技公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR