【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种功率半导体模块,尤其涉及一种功率半导体模块中的电极。
技术介绍
功率半导体模块作为电力电子节能技术的核心器件,现今已广泛应用于输变电、冶金、马达驱动、轨道交通、大功率电源、环保节能新能源领域及节能家电产品等各个领域,市场前景十分广阔。焊接质量是影响产品质量的重要环节之一,功率半导体器件内部实现需要的电性能连接主要依靠铜材电极,而本身功率半导体器件和使用设备之间的连接也是通过铜材电极。电极焊接在底部芯片上,焊接的牢固程度直接决定了模块的工作稳定性和使用寿命。现有的功率半导体模块中的电极结构如图1所示,包括连接支架1、芯片焊接板2和连接孔3,所述连接支架1与芯片焊接板2相互垂直,形成“L”型,连接孔3设置在连接支架1的顶端。功率半导体芯片以及电极被封装在环氧树脂的壳体中,其中所述功率半导体芯片通过电极与外露的功率半导体模块端子相连。电极必须与功率半导体芯片有效的紧固连接,才能保证模块的工作稳定性,但是在上机使用长时间通流后部分电能转化为热能导致模块整体温度升高,在停止使用后模块温度会降低,冷热循环会导致金属产生热疲劳,而且由于电极与芯片的热膨胀系数不一样,焊接面会产生周期性的剪切应力造成焊接层产生局部裂纹,此时如果有外加力施加在电极上会加速电极受力变形或者破坏芯片与芯片焊接板2之间的焊接层造成电极脱落,然而现实中操作者为保证连接的紧固性通常会用力旋紧连接螺栓,造成过渡紧固,这对电极的连接支架1产生较大的受力,连接支架1的受力传导至芯片焊接板2对电极连接点上的焊接层造成损伤,从 而加速电极受力变形或者很容易破坏芯片与芯片焊接板2之间的焊接层造成电 ...
【技术保护点】
一种抗受力干扰的功率半导体模块电极,包括连接支架(1)、芯片焊接板(2)和连接孔(3),所述连接支架(1)和芯片焊接板(2)由整块板弯折90°而成,呈“L”型,在连接支架(1)的上端设置连接孔(3),其特征是:在连接支架(1)的两侧交错设置有V型变形槽(11),V型变形槽(11)的槽深长为连接支架(1)宽度的20%~50%,V型变形槽(11)的两边夹角为15°~45°。
【技术特征摘要】
1.一种抗受力干扰的功率半导体模块电极,包括连接支架(1)、芯片焊接板(2)和连接孔(3),所述连接支架(1)和芯片焊接板(2)由整块板弯折90°而成,呈“L”型,在连接支架(1)的上端设置连接孔(3),其特征是:在连接支架(1)的两侧交错设置有V型变形槽(11),V型变形槽(11)的槽深长为连接支架(1)宽度的20%~50%,V型变形槽(11)的两边夹角为15°~45°。2.根据权利要求1所述的抗受力干扰的功率半导体模块电极,其特征是:在连...
【专利技术属性】
技术研发人员:颜辉,陈雪筠,孙祥玉,项罗毅,
申请(专利权)人:常州瑞华电力电子器件有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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