发光装置制造方法及图纸

在应使用各向异性导电粘接膏30将发光元件10无凸块地倒装片安装在形成于基板20上的n型侧、n型侧电极垫21、22的发光装置100中，设为能够同时解决抑制短路与提高散热效率这两个课题。在使用各向异性导电粘接膏30将发光元件10无凸块地倒装片安装在形成于基板20上的n型侧、p型侧电极垫21、22的发光装置100中，使n型侧、p型侧电极垫21、22的宽度与发光元件10的宽度同等或比它窄。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及利用各向异性导电粘接膏将发光二极管（LED）芯片等发光元件倒装片安装在基板而成的发光装置。
技术介绍
在将发光二极管（LED）芯片等发光元件安装在基板时，与Au引线接合工艺方法相比，广泛应用能期待提高光提取效率或散热特性的倒装片工艺方法（专利文献1）。然而，LED芯片等发光元件，通常向大口径的半导体晶圆组装许多个发光元件后在切割（dicing）步骤中被切断，制成作为发光元件的半导体芯片，若含有导电粒子的各向异性导电粘接剂附着到半导体芯片的侧面，则由于聚集有许多个导电粒子的块，会存在半导体层与电极电连接，产生短路不良这一问题。因此，通过在发光元件或基板预先形成凸块（bump）而进行倒装片安装，从而防止产生短路。具体而言，如图3A（发光装置的俯视图）、图3B（从图3A的A方向观看的发光装置的侧视图）所示，将发光装置110的芯片主体131背面的n型侧元件电极111与p型侧元件电极112分别经由各向异性导电粘接膏130热压接在形成有金凸块Bp的基板120的表面的n型侧电极垫121与p型侧电极垫122，从而进行倒装片安装。在该情况下，为了确保导通可靠性，一般而言，n型侧电极垫121的宽度L1与p型侧电极垫122的宽度L2构成为大于芯片主体131的宽度L0，并且将凸出部分的宽度Lla、L2a、L1b、L2b设为30μm以上50μm以下程度。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007－123613号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，在如图3A那样使用凸块而构成的发光装置的情况下，虽然能够抑制短路，但金凸块形成成本非常高，此外，由于发出光和热的发光元件的发光层与基板的距离远，因此存在散热特性下降（换句话说，热阻增大）的问题。因此，还考虑将发光装置设为无凸块（bumpless）构造，不过，虽然具有无需金凸块形成成本这一优点和散热特性提高这一优点，但如先前那样担心产生短路。如此，现状是寻求同时解决抑制短路和提高散热特性这两个课题的无凸块构造的发光装置。本专利技术的目的在于想要解决现有技术的问题点，在应使用各向异性导电粘接膏将发光元件无凸块地倒装片安装在形成于基板上的电极垫的发光装置中，能同时解决抑制短路和提高散热特性这两个课题。用于解决课题的方案本专利技术人们发现在使用各向异性导电粘接膏将发光元件无凸块地倒装片安装在形成于基板上的电极垫的发光装置中，通过使基板上的电极垫的宽度与发光元件的宽度同等或比它窄，从而将从基板上的电极垫与发光元件之间溢出的各向异性导电粘接膏保持在比电极垫与发光元件的间隙宽的发光元件与基板表面的间隙，因此能够防止将P层与N层之间短路，并且由于无凸块地进行倒装片安装，因此能够压缩制造成本，且能够提高散热特性（降低热阻），完成了本专利技术。即，本专利技术为使用各向异性导电粘接膏将具有半导体的芯片主体的发光元件无凸块地倒装片安装在形成于基板上的电极垫的发光装置，是以电极垫的宽度与所述芯片主体的宽度同等或比它窄为特征的发光装置。此外，本专利技术为发光装置，是所述芯片主体为发光二极管芯片的发光装置。此外，本专利技术为发光装置，是将所述芯片主体的宽度设为100的情况下，所述电极垫的宽度为80%以上100%以下的发光装置。此外，本专利技术为发光装置，是所述电极垫的宽度方向的边缘与所述芯片主体的宽度方向的边缘的间隔为10μm以上40μm以下的发光装置。此外，本专利技术为发光装置，是在发光元件与搭载装置之间配置有含有导电粒子的各向异性导电粘接膏，所述发光元件通过所述各向异性导电粘接膏设于所述搭载装置的发光装置，所述搭载装置具有：基板、及配置在所述基板上的n型侧电极垫与p型侧电极垫；所述发光元件具有：平面形状为四边形形状的芯片主体、及设置在所述芯片主体的p型侧元件电极与n型侧元件电极；在所述芯片主体的内部，设置有p型区域与n型区域，形成有pn结，所述p型侧元件电极经由所述导电粒子而电连接在所述p型区域，所述n型侧元件电极经由所述导电粒子而电连接在所述n型区域，所述p型侧电极垫的表面与所述n型侧电极垫的表面位于所述基板表面的上方，所述p型侧电极垫与所述n型侧电极垫形成为宽度为固定值的带状，所述p型侧电极垫的前端与所述n型侧电极垫的前端位于所述芯片主体的正下方即正下方区域内，与所述p型侧电极垫的前端相反侧的部分、及与所述n型侧电极垫的前端相反侧的部分位于所述正下方区域的外侧，所述p型侧电极垫的所述宽度设为所述芯片主体的、位于所述p型侧电极垫的正上方的第一边的长度以下的长度，所述n型侧电极垫的所述宽度设为所述芯片主体的、位于所述n型侧电极垫的正上方的第二边的长度以下的长度。此外，本专利技术为发光装置，该发光装置中，所述p型侧电极垫的所述宽度设为比所述芯片主体的、位于所述p型侧电极垫的正上方的第一边的长度短，所述n型侧电极垫的所述宽度设为比所述芯片主体的、位于所述n型侧电极垫的正上方的第二边的长度短，在所述正下方区域内的所述p型侧电极垫与所述n型侧电极垫的外侧的所述发光元件与所述基板之间，配置有从所述发光元件与所述p型侧电极垫之间溢出的所述各向异性导电粘接膏、及从所述发光元件与所述n型侧电极垫之间溢出的所述各向异性导电粘接膏。此外，本专利技术为发光装置，该发光装置中，所述第一边与所述第二边以相同长度平行地配置，所述第一边的两端位于所述p型侧电极垫的正上方的外侧，所述第二边的两端位于所述n型侧电极垫的正上方的外侧。专利技术效果依据使用各向异性导电粘接膏将发光元件无凸块地倒装片安装在形成于基板上的电极垫的本专利技术的发光装置，电极垫的宽度构成为与发光元件的宽度同等或比它窄。因此，抑制发生短路，并且能够同时实现散热特性的提高（热阻的降低）。此外，各向异性导电粘接膏由于不附着在发光元件的侧面，因此不会妨碍从发光元件的侧面放射的光的发射。附图说明【图1A】本专利技术的发光装置的俯视图【图1B】从图1A的A方向观看的本专利技术的发光装置的侧视图【图2A】用于说明在搭载基板上的各向异性导电粘接膏配置发光元件的状态的局部放大剖视图【图2B】用于说明按压发光元件时的状态的局部放大剖视图【图2C】用于说明p型侧、n型侧元件电极与p型侧、n型侧基板电极通过导电粒子而电连接的状态的局部放大剖视图【图2D】用于说明现有技术的发光装置的元件主体的侧面所附着的各向异性导电粘接膏的放大图【图3A】现有的发光装置的俯视图【图3B】从图3A的A方向观看的现有的发光装置的侧视图。具体实施方式以下，一面参照附图，一面对本专利技术的发光装置详细地进行说明。图1A是本专利技术的发光装置100的俯视图，图1B是从图1A的A方向观看的本专利技术的发光装置100的侧视图。本专利技术的发光装置100为将发光元件10无凸块地倒装片安装在基板20上的发光装置。详细而言，发光元件10具有芯片主体31、n型侧元件电极11及p型侧元件电极12，n型侧元件电极11与p型侧元件电极12配置在芯片主体31上。在基板20上，配置有n型侧电极垫21与p型侧电极垫22，由基板20、n型侧电极垫21及p型侧电极垫22形成搭载装置18。n型侧元件电极11与p型侧元件电极12分别经由固化后的各向异性导电粘接膏30而各向异性导电连接在搭载装置18的n型侧电极垫21与p型侧电极垫22。对其发光装置100的制造工序进行说明。各向异性导电粘接膏3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，使用各向异性导电粘接膏将具有半导体的芯片主体的发光元件无凸块地倒装片安装在形成于基板上的电极垫，其特征在于：电极垫的宽度与所述芯片主体的宽度同等或比它窄。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.12 JP 2014-0487501.一种发光装置，使用各向异性导电粘接膏将具有半导体的芯片主体的发光元件无凸块地倒装片安装在形成于基板上的电极垫，其特征在于：电极垫的宽度与所述芯片主体的宽度同等或比它窄。2.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述芯片主体为发光二极管芯片。3.如权利要求1或2所述的发光装置，其中，在将所述芯片主体的宽度设为100的情况下，所述电极垫的宽度为80%以上100%以下。4.如权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述电极垫的宽度方向的边缘与所述芯片主体的宽度方向的边缘的间隔为10μm以上40μm以下。5.一种发光装置，在发光元件与搭载装置之间配置有含有导电粒子的各向异性导电粘接膏，所述发光元件通过所述各向异性导电粘接膏设于所述搭载装置，其中，所述搭载装置具有：基板；及配置在所述基板上的n型侧电极垫与p型侧电极垫，所述发光元件具有：平面形状为四边形形状的芯片主体；及设置在所述芯片主体的p型侧元件电极与n型侧元件电极，在所述芯片主体的内部，设置有p型区域与n型区域，形成有pn结，所述p型侧元件电极经由所述导电粒子而电连接在所述P型区域，所述n型侧元件电极经由所述导电粒子而电连接在所述n型区域，所述p型侧电极垫的表面与所述n型...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅津典雄，松村孝，
申请(专利权)人：迪睿合株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP