一种辅助确定上颌窦外侧壁轮廓的方法技术

技术编号:14207441 阅读:96 留言:0更新日期:2016-12-18 14:50
本发明专利技术公开了一种辅助确定上颌窦外侧壁轮廓的方法,涉及口腔医学中的口腔种植学领域。该方法,利用人体组织的半透明特征和可见光一定的穿透能力,在上颌窦底提升手术前,用可见光在上颌腭侧或经下鼻道照射上颌窦,光线穿过上颌窦之后就可以在上颌窦的外侧壁清晰地显示出上颌窦的轮廓(或边界),从而清晰的明确的确定手术时的开窗位置,该方法简单易行,大大减小了后续进行上颌窦低提升手术的难度,使原来的盲目或半盲目操作变为现在的直视下操作。解决了现有技术中,无法准确的确定上颌窦概的位置和外侧壁的轮廓,导致后续手术中确定开窗位置比较盲目,可能导致不准确的缺陷。

Method for auxiliary determination of lateral wall of maxillary sinus

The invention discloses an auxiliary method for determining the outline of the lateral wall of the maxillary sinus. In this method, the penetrating ability with a translucent characteristics of human tissue and visible light in the maxillary sinus lift surgery, with visible light in the maxillary palatal or inferior nasal meatus of maxillary sinus after irradiation, the light passes through the maxillary sinus can clearly show the outline of the maxillary sinus in the lateral wall of the maxillary sinus (or thus, clear clear boundary) to determine the position of the window at the time of surgery, the method is simple and easy, greatly reduces the subsequent maxillary sinus low lift operation, so that the blind or semi blind operation turned operation is now under direct vision. The utility model solves the problem that in the prior art, the position of the maxillary sinus and the outline of the outer wall can not be accurately determined, which leads to the blindness of the window position in the follow-up operation, which may lead to inaccurate defects.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及口腔医学中的口腔种植学领域,尤其涉及一种辅助确定上颌窦外侧壁轮廓的方法
技术介绍
上颌窦底提升术是口腔种植中最常用的手术术式之一。该术式最具挑战性的操作之一就是确定上颌窦外侧壁的开窗位置。开窗位置过高或过低都会大大增加手术的难度和手术并发症发生的概率。开窗位置是根据上颌窦外侧壁的轮廓(或边界)而定的。而上颌窦外侧壁的轮廓无法用肉眼直接观察。目前,确定上颌窦外侧壁的轮廓,最长的方法是在手术之前拍摄CT,医师根据CT上大量的二维信息(不同角度的断层)转换成三维空间信息,并凭借各种参照物(比如邻牙,牙槽嵴顶等)来确定上颌窦大概的位置和外侧壁的轮廓。这种方法很大程度上依赖于医师的经验和空间想象能力,非常不准确。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种辅助确定上颌窦外侧壁轮廓的方法,从而解决现有技术中存在的前述问题。为了实现上述目的,本专利技术采用的技术方案如下:一种辅助确定上颌窦外侧壁轮廓的方法,包括如下步骤:S1,打开可见光发光装置,调节可见光的照射强度和照射角度;S2,利用调节好的可见光经上颌腭或下鼻道照射上颌窦,在上颌窦的外侧壁显示出上颌窦的轮廓。优选地,所述可见光源的照射强度为:600-1500mW/cm2。优选地,所述可见光源的照射强度为:800-1200mW/cm2。优选地,所述可见光源的照射角度为:与上颌窦前后向长轴呈30-60度角。优选地,所述可见光源的照射角度为:与上颌窦前后向长轴呈45度角。优选地,所述可见光发光装置包括:可见光光源、聚光构件、导光纤维、发光探头和把手,所述聚光构件位于所述可见光光源与所述导光纤维之间,所述发光探头位于所述导光纤维的出光侧,所述把手与所述发光探头连接。优选地,所述可见光光源为LED光源。优选地,所述发光探头的直径为:5-8mm。优选地,所述把手包括手持部和探头支撑部,所述探头支撑部设置在所述发光探头上,所述手持部与所述探头支撑部连接。优选地,所述导光纤维的长度为:120-150cm。本专利技术的有益效果是:本专利技术实施例提供的一种辅助确定上颌窦外侧壁轮廓的方法,利用人体组织的半透明特征和可见光一定的穿透能力,在上颌窦底提升手术前,用可见光在上颌腭侧或经下鼻道照射上颌窦,光线穿过上颌窦之后就可以在上颌窦的外侧壁清晰地显示出上颌窦的轮廓(或边界),从而清晰的明确的确定手术时的开窗位置,该方法简单易行,大大减小了后续进行上颌窦低提升手术的难度,使原来的盲目或半盲目操作变为现在的直视下操作。解决了现有技术中,需要根据CT上大量的二维信息(不同角度的断层)转换成三维空间信息,并凭借各种参照物(比如邻牙,牙槽嵴顶等)来确定上颌窦大概的位置和外侧壁的轮廓,导致后续手术中确定开窗位置比较盲目,可能导致不准确的缺陷。附图说明图1是本专利技术实施例提供的辅助确定上颌窦外侧壁轮廓的方法流程示意图;图2是采用本专利技术实施例提供的方法辅助确定上颌窦外侧壁轮廓的示意图;图3是在无光照条件下无法确定上颌窦外侧壁轮廓的示意图;图4是可见光发光装置结构示意图。图中,各符号的含义如下:1上颌窦腔,2上颌窦内侧壁,3上颌窦前外侧壁,4理想的上颌窦前外侧壁开创位置,5可见光,6口腔黏膜,7可见光光源,8聚光构件,9导光纤维,10发光探头,11探头支撑部,12手持部。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图,对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。如图1所示,本专利技术实施例提供了一种辅助确定上颌窦外侧壁轮廓的方法,包括如下步骤:S1,打开可见光发光装置,调节可见光的照射强度和照射角度;S2,利用调节好的可见光在上颌腭侧或经下鼻道照射上颌窦,在上颌窦的外侧壁显示出上颌窦的轮廓。上述方法中,利用人体组织的半透明特征和可见光一定的穿透能力,在上颌窦底提升手术前,用可见光在上颌腭侧或经下鼻道照射上颌窦,光线穿过上颌窦之后就可以在上颌窦的外侧壁清晰地显示出上颌窦的轮廓(或边界),从而清晰的明确的确定手术时的开窗位置,该方法简单易行,大大减小了后续进行上颌窦低提升手术的难度,使原来的盲目或半盲目操作变为现在的直视下操作。解决了现有技术中,需要根据CT上大量的二维信息(不同角度的断层)转换成三维空间信息,并凭借各种参照物(比如邻牙,牙槽嵴顶等)来确定上颌窦大概的位置和外侧壁的轮廓,导致手术中确定开窗位置比较盲目,可能导致不准确的缺陷。另外,上述方法中,通过光线的明暗还可以辅助确定上颌窦外侧壁不同位置骨壁的厚度,以及血管、上颌窦分隔等重要解剖结构的位置和走向。采用本专利技术实施例提供的方法确定上颌窦外侧壁轮廓,结果如图2所示;采用现有技术,确定上颌窦外侧壁轮廓,结果如图3所示。对比图2和图3可以看出,采用本专利技术实施例提供的方法,能够清晰的确定上颌窦外侧壁轮廓,从而确定后续上颌窦低提升手术中的开窗位置,而采用现有技术的方法,无法直接确定上颌窦外侧壁轮廓,从而不能准确的确定后续上颌窦低提升手术中的开窗位置。本专利技术实施例中,所述可见光源的照射强度可以为:600-1500mW/cm2。该强度范围的确定是根据临床经验总结得出的,较弱的光照强度(600-1000mW/cm2)有利于确定上颌窦的边界,较强的光照强度(1000-1500mW/cm2)有利于辅助确定上颌窦骨壁的厚度以及血管、上颌窦分隔等解剖结构。本专利技术实施例中,所述可见光源的照射强度为:800-1200mW/cm2。其中,800mW/cm2用于确定上颌窦的边界,1200mW/cm2用于辅助确定上颌窦骨壁的厚度以及血管、上颌窦分隔等解剖结构。强度小于600mW/cm2,可见光较难穿透上颌窦;强度大于1500mW/cm2,上颌窦的边界被强光掩盖,更无法显示上颌窦内部的解剖结构。本专利技术实施例中,所述可见光源的照射角度为:与上颌窦前后向长轴呈30-60度角。该角度范围可以较清晰显示上颌窦的前、下边界。而上颌窦前下边界正是确定上颌窦开窗位置所需的。本专利技术实施例中,所述可见光源的照射角度为:与上颌窦前后向长轴呈45度角。根据经验,该角度下上颌窦的前、下边界显示最清楚。如图2所示,本专利技术实施例中,所述可见光发光装置可以包括:可见光光源7、聚光构件8、导光纤维9、发光探头10和把手,聚光构件8位于可见光光源7与导光纤维9之间,发光探头10位于导光纤维9的出光侧,把手与发光探头10连接。其中,可见光光源可以随意变换光的强度及波长范围(即蓝光、白光及黄光等),聚光构件可以将可见光光源发出的光聚焦到较小的范围以增加光的强度。导光纤维用于将可见光光源发出的可见光传输至发光探头。本专利技术实施例中,可见光光源7可以为LED光源。LED光源强度和波长都可控,热效应低,体积小,寿命长。本专利技术实施例中,发光探头10的直径可以为:5-8mm。实际使用时,发光探头需要伸入到口腔或鼻腔中,所以,发光探头需要足够小。本专利技术实施例中,所述把手包括手持部12和探头支撑部11,探头支撑部11设置在发光探头上10,手持部12与探头支撑部11连接。由于在实际使用时,发光探头需要伸入到口腔或鼻腔中,如果由人直接拿着发光探头伸入到口腔或鼻腔中,不仅操作不便,而且会造成有菌环境,对后续的手术产生影响,因此,为了本文档来自技高网...
一种辅助确定上颌窦外侧壁轮廓的方法

【技术保护点】
一种辅助确定上颌窦外侧壁轮廓的方法,其特征在于,包括如下步骤:S1,打开可见光发光装置,调节可见光的照射强度和照射角度;S2,利用调节好的可见光经上颌腭或下鼻道照射上颌窦,在上颌窦的外侧壁显示出上颌窦的轮廓。

【技术特征摘要】
1.一种辅助确定上颌窦外侧壁轮廓的方法,其特征在于,包括如下步骤:S1,打开可见光发光装置,调节可见光的照射强度和照射角度;S2,利用调节好的可见光经上颌腭或下鼻道照射上颌窦,在上颌窦的外侧壁显示出上颌窦的轮廓。2.根据权利要求1所述的辅助确定上颌窦外侧壁轮廓的方法,其特征在于,所述可见光源的照射强度为:600-1500mW/cm2。3.根据权利要求2所述的辅助确定上颌窦外侧壁轮廓的方法,其特征在于,所述可见光源的照射强度为:800-1200mW/cm2。4.根据权利要求1所述的辅助确定上颌窦外侧壁轮廓的方法,其特征在于,所述可见光源的照射角度为:与上颌窦前后向长轴呈30-60度角。5.根据权利要求1所述的辅助确定上颌窦外侧壁轮廓的方法,其特征在于,所述可见光源的照射角度为:与上颌窦前后向长轴呈45度角。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:周建锋刘建彰
申请(专利权)人:北京大学口腔医学院
类型:发明
国别省市:北京;11

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1