特高频传感器制造技术

本发明专利技术提供了一种特高频传感器，该特高频传感器包括：传感器主体；抗干扰部，抗干扰部包括贴合部，贴合部与待检测装置的表面相适配。由于贴合部与待检测装置的表面相适配，本发明专利技术的特高频传感器与待检测装置的表面之间不存在间隙，可以有效避免外部电磁波的干扰。

UHF sensor

The invention provides a super high frequency sensor, which comprises a sensor body, an anti interference part, and an anti interference part which comprises a fitting part. Because the fitting part is matched with the surface of the device to be detected, there is no gap between the UHF sensor and the surface of the device to be detected.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及特高频传感设备
，具体而言，涉及一种特高频传感器。
技术介绍
随着国民经济的不断发展和我国电力系统规模的不断增加，对电网运行的安全性和可靠性要求日益提高。电网的安全运行，主要取决于高压电气设备的安全运行，而电气设备的运行可靠性在很大程度上依赖于电气设备制造和安装的质量以及设备的检修、运行维护和必要的预防性试验等。研究表明，设备制造过程中的偶然因素会造成一些先天性局部缺陷，如气泡、裂缝、悬浮导电质点和电极毛刺等。正是这些缺陷会造成绝缘体内部或表面出现某些区域电场强度高于平均电场强度，当这些区域的击穿场强低于平均击穿场强时，将会首先发生放电、而其他区域仍保持绝缘特性，从而形成局部放电。局部放电作为非贯穿放电，反映了设备绝缘内部存在的弱点或生产过程中造成的缺陷，其长期存在，在一定条件下会导致绝缘劣化或击穿。因此局部放电既是表征绝缘状况的特征量，又是引起绝缘劣化的主要原因。通过局部放电检测，可及时发现设备内部绝缘存在的潜伏性缺陷，判断设备内部绝缘劣化的程度，避免设备发生突发性绝缘故障，这对保证电气设备安全运行具有十分重要的意义。局部放电检测方法大致可分为：脉冲电流法、超声波法、化学检测法、光学检测法、特高频(Ultra High Frequency)法等五种。特高频(UHF)法以其灵敏度高，抗干扰能力强、能够识别并定位放电源等优点，近年来已成为电力设备局部放电检测的主要手段。UHF传感器是UHF法的关键，其性能好坏直接影响着检测信号的灵敏度和波形，间接影响着局部放电类型的模式识别，是UHF检测法的核心技术之一。随着UHF局部放电检测技术的发展，目前有多种UHF传感器被应用于局部放电检测和定位。根据传感器的安装位置可将其分为内置传感器和外置传感器。外置式传感器可用于空气中电晕放电和高压设备泄漏局部放电UHF信号的检测，其使用和维护方便，尺寸和机械性能要求较低，使用对象多为无法或难以安装内置传感器的处于运行中的老式电气设备。目前的UHF外置式传感器的抗电磁干扰能力普遍不高，其原因之一就是这些UHF外置式传感器与被检测设备之间存在间隙，导致外部电磁波进入，影响其传感准确性。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种特高频传感器，以解决现有技术中的特高频传感器与被检测设备之间存在间隙，影响传感准确性的问题。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种特高频传感器，该特高频传感器包括：传感器主体；抗干扰部，抗干扰部包括贴合部，贴合部与待检测装置的表面相适配。进一步地，本专利技术的传感器主体的感应侧上设置有天线贴片，抗干扰部还包括：抗干扰主体，抗干扰主体围设在传感器主体的感应侧，抗干扰主体与传感主体形成抗干扰腔，贴合部设置在抗干扰主体上。进一步地，抗干扰主体内部设置有抗干扰层。进一步地，贴合部为弹性片。进一步地，特高频传感器还包括：连接部，连接部安装在抗干扰主体上，用于将特高频传感器与待检测装置连接在一起。进一步地，连接部包括第一连接板和第二连接板，第一连接板与第二连接板相对设置在抗干扰主体的两端；固定带，固定带的第一端连接在第一连接板上，固定带的第二端连接在第二连接板上。进一步地，第二连接板上设置有调节部，固定带的第二端缠设在调节部上，调节部用于调节第一连接板与第二连接板之间的固定带长度。进一步地，传感器主体内部设置有抗干扰空间。进一步地，特高频传感器还包括线缆接头和线缆，线缆的第一端与线缆接头电连接，线缆的第二端与天线贴片电连接。进一步地，抗干扰空间的远离抗干扰主体的一端设置有压块，压块用于将线缆压设在传感器主体上。应用本专利技术的技术方案，工作人员将抗干扰部上的贴合部贴在待检测装置的表面，由于贴合部与待检测装置的表面相适配，本专利技术的特高频传感器与待检测装置的表面之间不存在间隙，可以有效避免外部电磁波的干扰。附图说明构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1示意性示出了本专利技术的特高频传感器的整体示意图；以及图2示意性示出了本专利技术的特高频传感器的另一个角度的整体示意图。其中，上述附图包括以下附图标记：10、传感器主体；11、天线贴片；20、抗干扰部；21、贴合部；22、抗干扰主体；30、连接部；31、第一连接板；32、第二连接板；40、压块；50、线缆接头。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属
的普通技术人员通常理解的相同含义。需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的术语在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施方式例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位旋转90度或处于其他方位，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。正如
技术介绍
中所说的，目前的UHF外置式传感器的抗电磁干扰能力普遍不高，其原因之一就是这些UHF外置式传感器与被检测设备之间存在间隙，导致外部电磁波进入，影响其传感准确性。参见图1至图2所示，本专利技术提供了一种特高频传感器，该特高频传感器包括传感器主体10和抗干扰部20，抗干扰部20包括贴合部21，贴合部21与待检测装置的表面相适配。工作时，工作人员将抗干扰部20上的贴合部21贴在待检测装置的表面，由于贴合部21与待检测装置的表面相适配，本专利技术的特高频传感器与待检测装置的表面之间不存在间隙，有效避免了外部电磁波的干扰。参见图1所示，本专利技术的传感器主体10的感应侧上设置有天线贴片11，抗干扰部20还包括抗干扰主体22，抗干扰主体22围设在传感器主体10的感应侧，与传感主体形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种特高频传感器，其特征在于，所述特高频传感器包括：传感器主体(10)；抗干扰部(20)，所述抗干扰部(20)包括贴合部(21)，所述贴合部(21)与待检测装置的表面相适配。

【技术特征摘要】
1.一种特高频传感器，其特征在于，所述特高频传感器包括：传感器主体(10)；抗干扰部(20)，所述抗干扰部(20)包括贴合部(21)，所述贴合部(21)与待检测装置的表面相适配。2.根据权利要求1所述的特高频传感器，其特征在于，所述传感器主体(10)的感应侧上设置有天线贴片(11)，所述抗干扰部(20)还包括：抗干扰主体(22)，所述抗干扰主体(22)围设在所述传感器主体(10)的感应侧，所述抗干扰主体(22)与所述传感器主体(10)形成抗干扰腔，所述贴合部(21)设置在所述抗干扰主体(22)上。3.根据权利要求2所述的特高频传感器，其特征在于，所述抗干扰主体(22)内部设置有抗干扰层。4.根据权利要求1所述的特高频传感器，其特征在于，所述贴合部(21)为弹性片。5.根据权利要求2所述的特高频传感器，其特征在于，所述特高频传感器还包括：连接部(30)，所述连接部(30)安装在所述抗干扰主体(22)上，用于将所述特高频传感器与待检测装置连接在一起。6.根据权利要求5所述的特高频传感器，其特征在于，所述连接部(...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘弘景，吴麟琳，李伟，任志刚，石磊，张天辰，盛戈皞，
申请(专利权)人：国网北京市电力公司，国家电网公司，
类型：发明
国别省市：北京;11