一种镀膜用石墨舟制造技术

本发明专利技术公开了一种镀膜用石墨舟，属于太阳能电池镀膜技术领域，为解决现有的石墨舟镀膜时膜厚不均匀的问题而设计。本发明专利技术提供的镀膜用石墨舟包括间隔设置的多片第一石墨舟片；所述第一石墨舟片具有硅片镀膜区域和特定区域，所述特定区域偏离所述硅片镀膜区域预设距离；沿石墨舟的中心向外侧方向，各所述第一石墨舟片的所述特定区域的电阻率依次递增。本发明专利技术的镀膜用石墨舟镀膜膜厚更均匀、能降低失败片比例、提高电池效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池镀膜
，具体涉及一种镀膜用石墨舟。
技术介绍
目前，晶体硅太阳能电池产业仍旧占据着90％的市场份额，表明该种太阳能电池具有着强大的生命力和竞争力，而硅片是太阳能电池的载体，硅片生产加工中的其中一道工序为等离子增强化学气相沉积(PECVD)镀膜，其作用是提高硅片的太阳能转化率。该工序中需用到石墨舟，石墨舟是硅片镀膜的载体，通过将硅片放到石墨舟中经等离子化学气相沉积，在硅片表面沉积一层深蓝色SiNx。石墨舟的结构、大小等因素直接影响硅片的转换效率和生产效率。目前，实际生产中常用的管式低频直接法PECVD采用电阻式加热将整个腔体加热到所需的温度，在腔体中放置具有很多夹板的石墨舟，夹板的两侧放置硅片，利用两片硅片之间形成电势差与反应气体完成辉光放电进行镀膜，这种方法具有钝化效果好，同时成膜致密性高等优点。但是，由于上述石墨舟体积较大，导致镀膜过程中温度在石墨舟中传导不均匀，从而导致边缘舟片处的硅片往往温度较高成膜较厚，而舟中舟片处的硅片温度较低成膜较薄，由此导致同一石墨舟硅片会出现一定数量SiNx沉积过厚或过薄的现象，产生失败片。因此，亟需一种新型的石墨舟以解决目前存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提出一种镀膜膜厚更均匀的镀膜用石墨舟。本专利技术的另一个目的是提出一种降低失败舟片比例、提高电池效率的镀膜用石墨舟。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：一种镀膜用石墨舟，包括间隔设置的多片第一石墨舟片；所述第一石墨舟片具有硅片镀膜区域和特定区域，所述特定区域偏离所述硅片镀膜区域预设距离；沿石墨舟的中心向外侧方向，各所述第一石墨舟片的所述特定区域的电阻率依次递增。作为本专利技术的一个优选方案，所述特定区域的截面为长方形；所述特定区域的长度等于所述第一石墨舟片的宽度，所述特定区域的宽度小于所述第一石墨舟片的长度，所述特定区域的中心位于所述第一石墨舟片短边的中心线上。作为本专利技术的一个优选方案，还包括间隔设置的多片第二石墨舟片；每片所述第二石墨舟片均与石墨舟的其中一个电极连接，每片所述第一石墨舟片均与石墨舟的另一个电极连接。作为本专利技术的一个优选方案，所述特定区域的最大电阻率为10-3Ω.m，最小电阻率为10-5Ω.m。作为本专利技术的一个优选方案，所述第二石墨舟片的电阻率在8×10-6Ω.m到13×10-6Ω.m之间。作为本专利技术的一个优选方案，所述第一石墨舟片和所述第二石墨舟片平行设置。作为本专利技术的一个优选方案，所述第二石墨舟片的数量在8片到12片之间。作为本专利技术的一个优选方案，所述第一石墨舟片的数量在7片到11片之间。作为本专利技术的一个优选方案，还包括用于与电极连接的射频发生器。本专利技术的有益效果为：本专利技术的镀膜用石墨舟设有一种特殊的石墨舟片，该石墨舟片的特定区域偏离硅片镀膜区域一定距离，且沿石墨舟的中心向外侧方向，特定区域的电阻率依次递增，通过控制石墨舟舟中至舟边的电场强度，从而达到平衡舟中和舟边镀膜沉积速度的效果，有效提高镀膜膜厚均一性，降低失败片比例，提高电池平均效率。附图说明图1是本专利技术优选实施例一提供的第一石墨舟片的结构示意图；图2是本专利技术优选实施例一提供的镀膜用石墨舟的结构示意图。图中标记为：1、第一石墨舟片；2、第二石墨舟片；3、射频发生器；11、硅片镀膜区域；12、特定区域。具体实施方式下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。优选实施例一：本优选实施例提供一种镀膜用石墨舟。如图2所示，镀膜用石墨舟包括多片第一石墨舟片1、多片第二石墨舟片2以及用于与电极连接的射频发生器3。第一石墨舟片1和第二石墨舟片2平行且间隔设置，每片第二石墨舟片2均与石墨舟的其中一个电极连接，每片第一石墨舟片1均与石墨舟的另一个电极连接。如图1所示，第一石墨舟片1具有硅片镀膜区域11和特定区域12。特定区域12即为特定电阻率区域，其需要使用掺杂工艺加工而成，截面优选加工为长方形；特定区域12的长度等于第一石墨舟片1的宽度，特定区域12的宽度小于第一石墨舟片1的长度，特定区域12的中心位于第一石墨舟片1短边的中心线上。特定区域12偏离硅片镀膜区域11预设距离，该预设距离可根据实际使用情况进行设置。沿石墨舟的中心向外侧方向，各第一石墨舟片1的特定区域12的电阻率依次递增。具体为：石墨舟具有n片第一石墨舟片1时，沿石墨舟的中心向外侧方向，各第一石墨舟片1的特定区域12的电阻率依次为ρ0，ρ1……ρn-1，ρn，电阻率的大小关系为ρ0〈ρ1〈……〈ρn-1〈ρn，由于石墨舟外侧的第一石墨舟片1(外舟片)的特定区域12的电阻率较高，导致该区域分压较大，使得外舟片的硅片镀膜区域11的电压变小电场强度变弱，从而降低了外舟片的硅片镀膜区域11的薄膜沉积速度；石墨舟中心处的第一石墨舟片1(中心舟片)的特定区域12的电阻率较低，该处分压较小，因而舟中的第一石墨舟片1的硅片镀膜区域11处电压变大，电池强度变强，薄膜沉积速度加快，最终使舟中和舟边膜厚差距变小，整舟石墨舟镀膜膜厚均匀性得以提高。第一石墨舟片1的数量在7片到11片之间，第二石墨舟片2的数量在8片到12片之间，可根据实际使用需求进行设置。特定区域12的最大电阻率为10-3Ω.m，最小电阻率为10-5Ω.m，第二石墨舟片2的电阻率在8×10-6Ω.m到13×10-6Ω.m之间。优选实施例二：本优选实施例提供一种镀膜用石墨舟。镀膜用石墨舟包括10片第一石墨舟片和11片第二石墨舟片，第二石墨舟片电阻率为9×10-6Ω.m，石墨舟外侧的第一石墨舟片(外舟片)的特定区域的电阻率为10-3Ω.m，石墨舟中心的第一石墨舟片(中心舟片)的特定区域的电阻率为10-5Ω.m，沿石墨舟的中心向外侧方向，各第一石墨舟片的特定区域的电阻率逐渐递增至10-3Ω.m。采用常规多晶硅沉积氮化硅工艺对156mm×156mm多晶硅片进行氮化硅薄膜沉积工艺，并在工艺完成后对石墨舟中心和外侧的膜厚进行统计测试，同时测试镀膜后的平均效率。结果对比如下表所示。旧石墨舟新石墨舟膜厚差距8nm2nm电池平均效率18.2218.26失败片比例6.25％2.5％最后，还需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。以上是结合附图给出的实施例，仅是实现本专利技术的优选方案而非对其限制，任何对本专利技术的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换，而不脱离本专利技术技术方案的精神，均应涵盖在本专利技术请求保护的技术方案范围当中。本专利技术的保护范围还包括本领域技术人员不付出创造性劳动所能想到的任何替代技术方案。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种镀膜用石墨舟，其特征在于，包括间隔设置的多片第一石墨舟片(1)；所述第一石墨舟片(1)具有硅片镀膜区域(11)和特定区域(12)，所述特定区域(12)偏离所述硅片镀膜区域(11)预设距离；沿石墨舟的中心向外侧方向，各所述第一石墨舟片(1)的所述特定区域(12)的电阻率依次递增。

【技术特征摘要】
1.一种镀膜用石墨舟，其特征在于，包括间隔设置的多片第一石墨舟片(1)；所述第一石墨舟片(1)具有硅片镀膜区域(11)和特定区域(12)，所述特定区域(12)偏离所述硅片镀膜区域(11)预设距离；沿石墨舟的中心向外侧方向，各所述第一石墨舟片(1)的所述特定区域(12)的电阻率依次递增。2.根据权利要求1所述的一种镀膜用石墨舟，其特征在于，所述特定区域(12)的截面为长方形；所述特定区域(12)的长度等于所述第一石墨舟片(1)的宽度，所述特定区域(12)的宽度小于所述第一石墨舟片(1)的长度，所述特定区域(12)的中心位于所述第一石墨舟片(1)短边的中心线上。3.根据权利要求2所述的一种镀膜用石墨舟，其特征在于，还包括间隔设置的多片第二石墨舟片(2)；每片所述第二石墨舟片(2)均与石墨舟的其中一个电极连接，每片所述第一石...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈文浩，王冕，奚彬，刘仁中，
申请(专利权)人：奥特斯维能源太仓有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32