一种半导体纳米线制备装置制造方法及图纸

一种半导体纳米线制备装置，在箱体的上部设置上盖，上盖与管式炉主体通过锁扣连接，在管式炉主体的两侧设置挡板，石英管分为石英管上部、石英管中部和石英管下部，石英管中部的下方为管式炉主体的加热区，在石英管中部内设置石英舟，在管式炉主体向前的一侧设置管式炉仪表盘，通气装置向前的一侧设置通气装置仪表盘，在通气装置的左侧设置进气孔和出气孔，通气装置的进气孔与氮气罐相连，通气装置的出气孔与石英管上部相连，石英管下部与电动机相连。本实用新型专利技术的优点在于：温场均衡，表面温度低，升降温度速率快，操作方便，真空度高，真空泄露小控温精度高，可应用于纳米线的制备。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及实验装置，尤其是一种半导体纳米线制备装置。
技术介绍
半导体纳米线(NWS)具有独特的电学、光学和力学性能，主要是因为其具有单晶体结构及可调的原子组成和尺寸大小。许多方法已成功被用于去合成一维氧化镉纳米结构，如纳米线(NWS)，纳米带(NRS)，和纳米管(NTS)等。在各种不同的方法，气相沉积法已被广泛用于高质量、高密度的各种成分纳米线的生长。
技术实现思路
本技术克服了现有技术中的缺点，提供了一种半导体纳米线制备装置。为了解决上述技术问题，本技术是通过以下技术方案实现的：一种半导体纳米线制备装置，包括上盖、拉手、锁扣上部、锁扣下部、挡板、石英管、管式炉主体、管式炉仪表盘、垫脚、圆弧状凹槽、连接轴、加热区、石英舟、刻度线、FTO导电玻璃、固定块、通气装置、通气装置仪表盘、万向轮、出气孔、进气孔、电动机、氮气罐；管式炉为箱体结构，在箱体的上部设置上盖，上盖可沿与管式炉主体的连接轴向上打开，上盖与管式炉主体通过锁扣连接，在上盖的下沿设置两个锁扣上部，在管式炉主体的上沿对称设置两个锁扣下部，上盖内侧的中间设置圆弧状凹槽，在管式炉主体的两侧设置挡板，挡板中间设置圆形孔，在管式炉主体与上盖连接的平面上设置石英管，石英管分为石英管上部、石英管中部和石英管下部，石英管中部的下方为管式炉主体的加热区，在石英管中部内设置石英舟，石英管下部的表面设置刻度线，在石英舟下部内设置FTO导电玻璃，在管式炉主体向前的一侧设置管式炉仪表盘，通气装置向前的一侧设置通气装置仪表盘，在通气装置的左侧设置进气孔和出气孔，通气装置的进气孔与氮气罐相连，通气装置的出气孔与石英管上部相连，石英管下部与电动机相连。在上述技术方案中，所述的FTO导电玻璃在石英管下部内部为水平设置，在FTO导电玻璃下方设置磁力层。在上述技术方案中，在所述的石英管下部的内部设置固定块，在固定块面向石英舟的一侧竖直设置FTO导电玻璃，在固定块的下方设置磁力层。在上述技术方案中，其中所述的石英管为圆柱体结构，长度为10-120cm，直径为3-15cm。在上述技术方案中，其中所述的管式炉主体的下方设置有四个垫脚。在上述技术方案中，其中所述的管式炉仪表盘，包含温度仪，压力计和时间计。在上述技术方案中，其中所述的管式炉功率为4-35kW，控温精度为±1摄氏度。在上述技术方案中，其中所述的通气装置的底部的四角设置有四个万向轮。与现有技术相比，本技术的优点在于：温场均衡，表面温度低，升降温度速率快，操作方便，真空度高，真空泄露小控温精度高，可应用于纳米线的制备。附图说明图1为本技术整体结构示意图。图2为加热装置打开盖后内部结构示意图。图3为本技术侧视结构示意图。图4为FTO导电玻璃设置区域结构示意图1。图5为FTO导电玻璃设置区域结构示意图2。其中1为管式炉，1-1为上盖，1-2为拉手，1-3为锁扣上部，1-4为锁扣下部，1-5为挡板，1-6为石英管，1-6-1为石英管上部，1-6-2为石英管中部，1-6-3为石英管下部，1-7为管式炉主体，1-8为管式炉仪表盘，1-9为垫脚，1-10为圆弧状凹槽，1-11为连接轴，1-12为加热区，1-13为石英舟，1-14为刻度线，1-15为FTO导电玻璃，1-16为固定块，2为通气装置，2-1为通气装置仪表盘，2-2为万向轮，2-3为出气孔，2-4为进气孔，3为电动机，4为氮气罐。具体实施方式下面结合附图与具体的实施方式对本技术作进一步详细描述：一种半导体纳米线制备装置，包括上盖、拉手、锁扣上部、锁扣下部、挡板、石英管、管式炉主体、管式炉仪表盘、垫脚、圆弧状凹槽、连接轴、加热区、石英舟、刻度线、FTO导电玻璃、固定块、通气装置、通气装置仪表盘、万向轮、出气孔、进气孔、电动机、氮气罐；管式炉为箱体结构，在箱体的上部设置上盖，上盖可沿与管式炉主体的连接轴向上打开，上盖与管式炉主体通过锁扣连接，在上盖的下沿设置两个锁扣上部，在管式炉主体的上沿对称设置两个锁扣下部，上盖内侧的中间设置圆弧状凹槽，在管式炉主体的两侧设置挡板，挡板中间设置圆形孔，在管式炉主体与上盖连接的平面上设置石英管，石英管分为石英管上部、石英管中部和石英管下部，石英管中部的下方为管式炉主体的加热区，在石英管中部内设置石英舟，石英管下部的表面设置刻度线，在石英舟下部内设置FTO导电玻璃，在管式炉主体向前的一侧设置管式炉仪表盘，通气装置向前的一侧设置通气装置仪表盘，在通气装置的左侧设置进气孔和出气孔，通气装置的进气孔与氮气罐相连，通气装置的出气孔与石英管上部相连，石英管下部与电动机相连。在上述技术方案中，所述的FTO导电玻璃在石英管下部内部为水平设置，在FTO导电玻璃下方设置磁力层。在上述技术方案中，在所述的石英管下部的内部设置固定块，在固定块面向石英舟的一侧竖直设置FTO导电玻璃，在固定块的下方设置磁力层。在上述技术方案中，其中所述的石英管为圆柱体结构，长度为10-120cm，直径为3-15cm。在上述技术方案中，其中所述的管式炉主体的下方设置有四个垫脚。在上述技术方案中，其中所述的管式炉仪表盘，包含温度仪，压力计和时间计。在上述技术方案中，其中所述的管式炉功率为4-35kW，控温精度为±1摄氏度。在上述技术方案中，其中所述的通气装置的底部的四角设置有四个万向轮。以下通过2个实施例对本技术的使用进行具体说明。实施例1：步骤1，将石英管从管式炉内取出清洗，首先用蒸馏水清洗3次，接着用无水乙醇清洗3次，最后再用蒸馏水清洗3次；步骤2，称取反应物，混合均匀后，装入石英舟中，将石英舟放置在加热区上方，将FTO基板水平放置于石英管下部(如图4所示)，FTO基板下端设置有磁力层，在石英管外壁使用吸铁石与磁力层接触吸引，挪动吸铁石对FTO基板的位置进行调整，并记录与刻度线的相对位置，以FTO基板作为纳米结构生长的基石；步骤3，对样品加热之前，系统以恒定流量从氮气罐内通入高纯度的氮气抽真空15分钟以消除O2，使得石英管中的压力小于0.1托，然后充入高纯度氮气作为载气，维持氮气流量在200sccm，使得石英管内压力维持在5.7托；步骤4，以10℃/分钟的速度，加热到700℃，在此温度下保持20分钟，而不改变的条件下，随后自然冷却至室温。实施例2：步骤1，将石英管从管式炉内取出清洗，首先用蒸馏水清洗2次，接着用无水乙醇清洗2次，最后再用蒸馏水清洗3次；步骤2，称取反应物，混合均匀后，装入石英舟中，将石英舟放置在加热区上方，将固定块放置于石英管下部(如图5所示)，将FTO基板竖直设置于固定块面向石英舟的一侧，固定块的下端设置磁力层，在石英管外壁使用吸铁石与磁力层接触吸引，挪动吸铁石对固定块的位置进行调整，并记录与刻度线的相对位置，以竖直的FTO基板作为纳米结构生长的基石；步骤3，对样品加热之前，系统以恒定流量从氮气罐内通入高纯度的氮气抽真空30分钟以消除O2，使得石英管中的压力小于0.1托，然后充入高纯度氮气作为载气，维持氮气流量在200sccm，使得石英管内压力维持在5.7托；步骤4，以10℃/分钟的速度，加热到700℃，在此温度下保持30分钟，而不改变的条件下，随后自然冷却至室温。以上对本技术进行了详细说明，但所述内容仅为本技术的较佳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体纳米线制备装置，包括上盖、拉手、锁扣上部、锁扣下部、挡板、石英管、管式炉主体、管式炉仪表盘、垫脚、圆弧状凹槽、连接轴、加热区、石英舟、刻度线、FTO导电玻璃、固定块、通气装置、通气装置仪表盘、万向轮、出气孔、进气孔、电动机、氮气罐；管式炉为箱体结构，在箱体的上部设置上盖，上盖可沿与管式炉主体的连接轴向上打开，上盖与管式炉主体通过锁扣连接，在上盖的下沿设置两个锁扣上部，在管式炉主体的上沿对称设置两个锁扣下部，上盖内侧的中间设置圆弧状凹槽，在管式炉主体的两侧设置挡板，挡板中间设置圆形孔，在管式炉主体与上盖连接的平面上设置石英管，石英管分为石英管上部、石英管中部和石英管下部，石英管中部的下方为管式炉主体的加热区，在石英管中部内设置石英舟，石英管下部的表面设置刻度线，在石英舟下部内设置FTO导电玻璃，在管式炉主体向前的一侧设置管式炉仪表盘，通气装置向前的一侧设置通气装置仪表盘，在通气装置的左侧设置进气孔和出气孔，通气装置的进气孔与氮气罐相连，通气装置的出气孔与石英管上部相连，石英管下部与电动机相连。

【技术特征摘要】
1.一种半导体纳米线制备装置，包括上盖、拉手、锁扣上部、锁扣下部、挡板、石英管、管式炉主体、管式炉仪表盘、垫脚、圆弧状凹槽、连接轴、加热区、石英舟、刻度线、FTO导电玻璃、固定块、通气装置、通气装置仪表盘、万向轮、出气孔、进气孔、电动机、氮气罐；管式炉为箱体结构，在箱体的上部设置上盖，上盖可沿与管式炉主体的连接轴向上打开，上盖与管式炉主体通过锁扣连接，在上盖的下沿设置两个锁扣上部，在管式炉主体的上沿对称设置两个锁扣下部，上盖内侧的中间设置圆弧状凹槽，在管式炉主体的两侧设置挡板，挡板中间设置圆形孔，在管式炉主体与上盖连接的平面上设置石英管，石英管分为石英管上部、石英管中部和石英管下部，石英管中部的下方为管式炉主体的加热区，在石英管中部内设置石英舟，石英管下部的表面设置刻度线，在石英舟下部内设置FTO导电玻璃，在管式炉主体向前的一侧设置管式炉仪表盘，通气装置向前的一侧设置通气装置仪表盘，在通气装置的左侧设置进气孔和出气孔，通气装置的进气孔与氮气罐相连，通气装置的出气孔与石英管上部相连，石英管下部与电动...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁逸人，陈鹏，童银栋，靳凤民，郑学荣，刘宪华，刘翔，张立红，李莉，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：新型
国别省市：天津;12