使用有无机物质作为变色层的等离子体处理检测指示器制造技术

本发明专利技术提供一种等离子体处理检测指示器，其为具有通过等离子体处理而变色的变色层的指示器，其中，通过等离子体处理而变色层气体化或成为微细的屑而飞散的情况被抑制到对电子器件特性不带来影响的程度，且耐热性良好。本发明专利技术具体提供一种等离子体处理检测指示器，其为具有通过等离子体处理而变色的变色层的等离子体处理检测指示器，其中，所述变色层含有选自由Mo、W、Sn、V、Ce、Te及Bi构成的组中的至少一种金属元素的单体和/或包含该金属元素的无机化合物。

Plasma processing indicator with inorganic material as a color changing layer

The present invention provides a plasma processing detection indicator, it has indicator discoloration discoloration layer by plasma treatment by plasma treatment and discoloration layer gas or become micro debris scattered situation is suppressed to no impact on the characteristics of electronic devices, and good heat resistance. The present invention provides a plasma processing detection indicator, it has a plasma processing detection indicator discoloration discoloration layer by plasma treatment, the color layer containing at least one metal element selected Mo, W, Sn, V, Ce, Te and Bi from the group consisting of monomers and or contains the metal elements of inorganic compounds.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种尤其是作为电子器件制造装置中使用的指示器有用的使用有无机物质作为变色层的等离子体处理检测指示器。
技术介绍
以往，在电子器件的制造工序中，对电子器件基板(被处理基板)进行各种处理。例如，在电子器件为半导体的情况下，经过投入半导体晶片(晶片)之后形成绝缘膜或金属膜的成膜工序、形成光抗蚀剂图案的光刻工序、使用光抗蚀剂图案将膜进行加工的蚀刻工序、在半导体晶片上形成导电层的杂质添加工序(也称为掺杂或扩散工序)、将具有凹凸的膜的表面进行抛光而使其平坦的CMP工序(化学机械抛光)等，进行检查图案的外观效果或电特性的半导体晶片电特性检査(有时将至此的工序总称为前工序)。接着，转移至形成半导体芯片的后工序。这种前工序不仅在电子器件为半导体的情况下，而且在制造其它电子器件(发光二极管(LED)、太阳能电池、液晶显示器、有机EL(Electro-Luminescence，电发光)显示器等)方面也同样地进行。在前工序中，除上述的工序之外，还包括利用等离子体、臭氧、紫外线等的清洗工序；利用等离子体、含自由基的气体等的光抗蚀剂图案的除去工序(也称为灰化或灰化除去)等工序。另外，在上述成膜工序中，有在晶片表面使反应性气体进行化学反应而成膜的CVD、或形成金属膜的溅射等，另外，对于上述蚀刻工序，可举出利用等离子体中的化学反应的干蚀刻、利用离子束的蚀刻等。在此，等离子体是指气体进行了电离的状态，离子、自由基及电子存在于其内部。在电子器件的制造工序中，为了确保电子器件的性能、可靠性等，需要适当进行上述的各种处理。因此，例如在以成膜工序、蚀刻工序、灰化工序、杂质添加工序、清洗工序等为代表的等离子体处理中，为了确认等离子体处理的完成，实施使用有分光装置的等离子体的发光分析、使用具有在等离子体处理气氛下进行变色的变色层的等离子体处理检测指示器的完成确认等。作为等离子体处理检测指示器的实例，专利文献1中公开了一种油墨组合物，其为含有1)蒽醌系色素、偶氮系色素及酞菁系色素的至少1种、以及2)粘合剂树脂、阳离子系表面活性剂及增量剂的至少1种的等离子体处理检测用油墨组合物，其特征在于，用于所述等离子体处理的等离子体产生用气体含有氧及氮的至少1种；以及在基材上形成由该油墨组合物形成的变色层的等离子体处理检测指示器。另外，专利文献2中公开了一种油墨组合物，其为含有1)蒽醌系色素、偶氮系色素及次甲基系色素的至少1种、以及2)粘合剂树脂、阳离子系表面活性剂及增量剂的至少1种的惰性气体等离子体处理检测用油墨组合物，其特征在于，所述惰性气体含有选自由氦、氖、氩、氪及氙构成的组中的至少1种；以及在基材上形成由该油墨组合物构成的变色层的等离子体处理检测指示器。但是，使用有发光分析或现有的等离子体处理检测指示器的确认方法有时作为电子器件制造装置中使用的指示器性能不充分。具体而言，使用发光分析的确认方法限定于从设置于电子器件制造装置的窗的测定及分析，因此，在不能瞭望电子器件制造装置内的情况下，有效地测定及分析容易变得困难。另外，在使用现有的等离子体处理检测指示器的情况下，从可以确认通过变色层的变色而等离子体处理的完成方面考虑为简便且优异的方案，但由于在变色层中含有色素、粘合剂树脂、表面活性剂等有机成分，因此，担心通过等离子体处理而有机成分气体化或成为微细的屑而飞散，从而导致电子器件制造装置高的清洁性的降低或电子器件的污染(contamination)。另外，担心有机成分的气体化对电子器件制造装置的真空性也带来影响。进而，存在如下问题：有机成分成为主体的现有的变色层由于耐热性不充分，因此，在电子器件制造装置为高温的情况下作为指示器难以使用。因此，期望开发出作为具有通过等离子体处理而变色的变色层的指示器的，通过等离子体处理而变色层气体化或成为微细的屑而飞散被抑制到对电子器件特性不带来影响的程度、且耐热性良好的等离子体处理检测指示器。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-98196号公报专利文献2：日本特开2013-95764号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术的目的在于，提供一种等离子体处理检测指示器，其为具有通过等离子体处理而变色的变色层的指示器，其中，通过等离子体处理而变色层气体化或成为微细的屑而飞散的情况被抑制到对电子器件特性不带来影响的程度，且耐热性良好。用于解决课题的方案本专利技术人为了实现上述目的，重复进行了深入研究，结果发现，在使用特定的金属元素的单体和/或包含该金属元素的无机化合物作为变色层中所含的变色材料的情况下，可以实现上述目的，由此完成本专利技术。即，本专利技术涉及下述的等离子体处理检测指示器。1.一种等离子体处理检测指示器，其具有通过等离子体处理而变色的变色层，其中，所述变色层含有选自由Mo、W、Sn、V、Ce、Te及Bi构成的组中的至少一种金属元素的单体和/或包含该金属元素的无机化合物。2.根据上述项1所述的等离子体处理检测指示器，其中，所述无机化合物中的所述金属元素的价数为选自由Mo(II)～(VI)、W(II)～(VI)、Sn(II)、Sn(IV)、V(II)～(V)、Ce(III)～(IV)、Te(II)、Te(IV)、Te(VI)、Bi(III)及Bi(V)构成的组中的至少一种。3.根据上述项1或2所述的等离子体处理检测指示器，其中，所述无机化合物为选自由所述金属元素的氧化物、氢氧化物、碳酸盐、氧化物盐、含氧酸、含氧酸盐及含氧络合物构成的组中的至少一种。4.根据上述项1～3中任一项所述的等离子体处理检测指示器，其中，所述变色层含有选自由氧化钼(IV)、氧化钼(VI)、氧化钨(VI)、氧化锡(IV)、氧化钒(II)、氧化钒(III)、氧化钒(IV)、氧化钒(V)、氧化铈(IV)、氧化碲(IV)、氧化铋(III)、氢氧化铈(IV)、氢氧化铋(III)、氢氧化钒(III)、氢氧化钼(V)、碳酸氧化铋(III)、氧化硫酸钒(IV)、钼酸铵、钼酸钠、钼酸钾、钨酸钠、钨酸铵、原钒酸钠、偏钒酸铵及偏钒酸钠构成的组中的至少一种。5.根据上述项1～3中任一项所述的等离子体处理检测指示器，其中，所述变色层含有选自由氧化钼(VI)、氧化钨(VI)、氧化钒(III)、氧化钒(V)及氧化铋(III)构成的组中的至少一种。6.根据上述项1～5中任一项所述的等离子体处理检测指示器，其中，具有支撑所述变色层的基材。7.根据上述项1～6中任一项所述的等离子体处理检测指示器，其为电子器件制造装置中使用的指示器。8.根据上述项7所述的等离子体处理检测指示器，其中，所述指示器的形状与所述电子器件制造装置中所使用的电子器件基板的形状相同。9.根据上述项7或8中任一项所述的等离子体处理检测指示器，其中，所述电子器件制造装置进行选自由成膜工序、蚀刻工序、灰化工序、杂质添加工序及清洗工序构成的组中的至少一种等离子体处理。10.根据上述项1～9中任一项所述的等离子体处理检测指示器，其具有通过等离子体处理而不变色的非变色层。11.根据上述项10所述的等离子体处理检测指示器，其中，所述非变色层含有选自由氧化钛(IV)、氧化锆(IV)、氧化钇(III)、硫酸钡、氧化镁、二氧化硅、氧化铝、铝、银、钇、锆、钛及铂构成的组中的至少一种。12.根据上述项10或1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理检测指示器，其具有通过等离子体处理而变色的变色层，其中，所述变色层含有选自由Mo、W、Sn、V、Ce、Te及Bi构成的组中的至少一种金属元素的单体和/或包含该金属元素的无机化合物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.05.09 JP 2014-0973211.一种等离子体处理检测指示器，其具有通过等离子体处理而变色的变色层，其中，所述变色层含有选自由Mo、W、Sn、V、Ce、Te及Bi构成的组中的至少一种金属元素的单体和/或包含该金属元素的无机化合物。2.根据权利要求1所述的等离子体处理检测指示器，其中，所述无机化合物中的所述金属元素的价数为选自由Mo(II)～(VI)、W(II)～(VI)、Sn(II)、Sn(IV)、V(II)～(V)、Ce(III)～(IV)、Te(II)、Te(IV)、Te(VI)、Bi(III)及Bi(V)构成的组中的至少一种。3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理检测指示器，其中，所述无机化合物为选自由所述金属元素的氧化物、氢氧化物、碳酸盐、氧化物盐、含氧酸、含氧酸盐及含氧络合物构成的组中的至少一种。4.根据权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理检测指示器，其中，所述变色层含有选自由氧化钼(IV)、氧化钼(VI)、氧化钨(VI)、氧化锡(IV)、氧化钒(II)、氧化钒(III)、氧化钒(IV)、氧化钒(V)、氧化铈(IV)、氧化碲(IV)、氧化铋(III)、氢氧化铈(IV)、氢氧化铋(III)、氢氧化钒(III)、氢氧化钼(V)、碳酸氧化铋(III)、氧化硫酸钒(IV)、钼酸铵、钼酸钠、钼酸钾、钨酸钠、钨酸铵、原钒酸钠、偏钒酸...

【专利技术属性】
技术研发人员：山川裕，采山和弘，菱川敬太，西正之，清水雅弘，
申请(专利权)人：株式会社樱花彩色笔，
类型：发明
国别省市：日本;JP