一种芯片级自镇流LED制造技术

本实用新型专利技术涉及微电子技术领域，特别涉及一种芯片级自镇流LED。该芯片级自镇流LED，其特征在于：包括底部恒流电源层、中部绝缘过渡层以及顶部LED发光层，所述恒流电源层上封装有集成电路，底部为输入端，所述恒流电源层与LED发光层的正极之间连接有输出正极，与LED发光层负极之间连接有输出负极；本实用新型专利技术的芯片级自镇流LED结构简单、设计合理，通过在分立器件衬底中集成恒流电源层，促使单个分立器件在给定电压条件下，流过LED发光层的电流恒定，适应推广使用。

Chip level self ballasted LED

The utility model relates to the field of microelectronic technology, in particular to a chip level self ballasted LED. The chip level self ballasted LED, which comprises a bottom layer, the middle dielectric constant current power supply transition layer and the top LED light-emitting layer, the constant current power source layer encapsulates the bottom integrated circuit, input and output have positive connection between the constant current power supply and a positive electrode layer and the light-emitting layer LED and, LED light output negative connection layer between the anode and cathode of the chip level; the utility model relates to a self ballasted LED has the advantages of simple structure, reasonable design, through the integration of constant current power supply layer on the substrate of discrete devices, to a single discrete device at a given voltage under the condition of constant current flowing through the LED light emitting layer, to promote the use of.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及微电子
，特别涉及一种芯片级自镇流LED。
技术介绍
自从20世纪90年代初LED商业化以来，已经被广泛应用到照明、背光、显示、亮化等领域，被誉为21世纪最有竞争力的新一代光源。对于LED来说，替代传统光源，可靠度是重中之重，但是由于LED上游、中游、下游之间缺乏强有力的合作。现有LED灯具为分立器件或芯片通过串并联后再与电源连接，这就存在电流分配不均现象；或者一颗LED灯损坏，其他LED分配电流扩大的状况，大大的影响了LED的可靠性。
技术实现思路
本技术为了弥补现有技术的缺陷，提供了一种结构设计合理，恒定电压条件下流过LED发光层电流恒定的适用于分立器件的芯片级自镇流LED。本技术是通过如下技术方案实现的：一种芯片级自镇流LED，其特征在于：包括底部恒流电源层、中部绝缘过渡层以及顶部LED发光层，所述恒流电源层上封装有集成电路，底部为输入端，所述恒流电源层与LED发光层的正极之间连接有输出正极，与LED发光层负极之间连接有输出负极。所述恒流电源层的材质为半导体（如Si），恒流电源层上封装有集成电路。所述绝缘过渡层的材质为绝缘导热材料（如SiO2），与恒流电源层及LED发光层的材料具有高的晶格匹配度，且绝缘过渡层上蚀刻有恒流电源层的输出正极和输出负极。本技术的有益效果是：本技术的芯片级自镇流LED结构简单、设计合理，通过在分立器件衬底中集成恒流电源层，促使单个分立器件在给定电压条件下，流过LED发光层的电流恒定，适应推广使用。附图说明下面结合附图对本技术作进一步的说明。附图1为本技术一种芯片级自镇流LED的主视结构示意图；图中，1、LED发光层，2、绝缘过渡层，3、恒流电源层，41、输出正极，42、输出负极，43、输入端。具体实施方式附图为本技术的一种具体实施例。如附图1所示，该芯片级自镇流LED，包括底部恒流电源层3、中部绝缘过渡层2以及顶部LED发光层1，所述恒流电源层3的材质为Si或其他半导体材料，恒流电源层3上封装有集成电路，底部为输入端43，绝缘过渡层2的材质为SiO2或其他绝缘导热材料，它与恒流电源层3及LED发光层1的材料具有高的晶格匹配度，且绝缘过渡层2上蚀刻有恒流电源层3的输出正极41和输出负极42，恒流电源层3与LED发光层1的正极之间连接有输出正极41，与LED发光层1负极之间连接有输出负极42。本技术的芯片级自镇流LED，首先要设定电源方案，在Si或其他半导体材料衬底上按照现有工艺制作集成电路以及所需要的电子元器件，得到恒流电源层3，恒流电源层3上沉积一层绝缘过渡层2，并在绝缘过渡层2上蚀刻出恒流电源层3的输出正极41和输出负极42，绝缘过渡层2上按照LED发光层制作工艺制作LED发光层3，并将恒流电源层3的输出端与LED风光层通过输出正极41和输出负极42完成电气连接，本技术促使单个分立器件在给定电压条件下，流过LED发光层的电流恒定，适应推广使用。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片级自镇流LED，其特征在于：包括底部恒流电源层（3）、中部绝缘过渡层（2）以及顶部LED发光层（1），所述恒流电源层（3）上封装有集成电路，底部为输入端（43），所述恒流电源层（3）与LED发光层（1）的正极之间连接有输出正极（41），与LED发光层（1）负极之间连接有输出负极（42）。

【技术特征摘要】
1.一种芯片级自镇流LED，其特征在于：包括底部恒流电源层（3）、中部绝缘过渡层（2）以及顶部LED发光层（1），所述恒流电源层（3）上封装有集成电路，底部为输入端（43），所述恒流电源层（3）与LED发光层（1）的正极之间连接有输出正极（41），与LED发光层（1）负极之间连接有输出负极（42）。2.根据权利要求1所述的芯片级自镇...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱友华，王鹏，童国树，孙金环，李亚平，
申请(专利权)人：刘成，
类型：新型
国别省市：山东;37