自发光显示像素制造技术

一种自发光显示像素，包括：自发光电路，所述自发光电路包括自发光器件；所述自发光显示像素还包括光学指纹感测电路，所述光学指纹感测电路包括第一TFT器件和感光器件；所述第一TFT器件的沟道层位于部分所述感光器件正下方。所述自发光显示像素能够实现指纹感测功能，并且整体结构得到优化。

Self luminous display pixel

A display of self luminous pixels, including self luminous circuit, the self luminous circuit comprises a self luminous device; the self luminous display pixel also includes an optical fingerprint sensing circuit, the optical fingerprint sensing circuit includes a first TFT device and a photosensitive device; a channel layer of the first TFT device is located in part of the the photosensitive device is below. The self luminous display pixel can realize the fingerprint sensing function and the whole structure is optimized.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电显示领域，尤其涉及一种自发光显示像素。
技术介绍
显示面板通常用于显示电子产品的输出信息。显示面板中通常具有阵列基板，阵列基板包括有显示像素。在各类显示像素中，由于自发光显示像素不需要背光源，因而，具有自发光显示像素的显示面板更加轻薄省电，因此，具有自发光显示像素的显示面板是当前显示面板的重要发展方向。然而，现有自发光显示像素的结构和功能有待改进。为了使自发光显示像素的结构和功能得到改进，需要对自发光显示像素进行新的设计和优化。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种自发光显示像素，改进自发光显示像素的结构和功能，优化自发光显示像素的结构和功能。为解决上述问题，本专利技术提供一种自发光显示像素，包括：自发光电路，所述自发光电路包括自发光器件；所述自发光显示像素还包括光学指纹感测电路，所述光学指纹感测电路包括第一TFT器件和感光器件；所述第一TFT器件的沟道层位于部分所述感光器件正下方。可选的，所述感光器件还包括下电极层，所述下电极层为非透光层，所述第一TFT器件的沟道层位于部分所述下电极层正下方；所述感光器件包括感光半导体层，所述感光半导体层为PIN二极管或者PN二极管。可选的，所述感光器件包括感光半导体层；所述自发光器件包括自发光半导体层；所述自发光显示像素还包括TFT保护层，所述感光半导体层和所述自发光半导体层均位于所述TFT保护层上表面上方；所述感光器件包括感光半导体层，所述感光半导体层为PIN二极管或者PN二极管。可选的，所述感光器件还包括下电极层，所述下电极层为非透光层。可选的，所述第一TFT器件的栅极层位于沟道层下方；所述光学指纹感测电路还包括与所述栅极层位于同一层的电极层；所述电极层位于所述感光器件下方，所述电极层和所述感光器件至少部分平行，所述电极层与所述感光器件之间具有绝缘层；所述电极层连接至公共电极，所述公共电极连接至固定电位。可选的，所述感光器件包括上电极层，所述上电极层连接至第一公共电极，所述第一公共电极连接至第一固定电位；所述自发光器件包括顶电极层，所述顶电极层连接至第二公共电极，所述第二公共电极连接至第二固定电位。可选的，所述第一TFT器件的栅极层位于沟道层上方；所述光学指纹感测电路还包括与所述第一TFT器件的栅极层位于同一层的电极层；所述电极层位于所述感光器件下方，所述电极层和所述感光器件至少部分平行，所述电极层与所述感光器件之间具有绝缘层；所述电极层连接至公共电极，所述公共电极连接至固定电位。可选的，所述感光器件包括上电极层，所述上电极层连接至第一公共电极，所述第一公共电极连接至第一固定电位；所述自发光器件包括顶电极层，所述顶电极层连接至第二公共电极，所述第二公共电极连接至第二固定电位。可选的，所述自发光器件与所述感光器件之间具有遮光墙。可选的，所述感光器件上方具有光准直层。可选的，复用所述自发光器件发出的光线作为所述感光器件进行指纹采集时的光线。可选的，位于所述第一TFT器件沟道层正上方的感光器件上具有遮光层。与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：本专利技术的技术方案中，将自发光电路和光学指纹感测电路设置在同一个自发光显示像素中，使自发光显示像素支持显示功能的同时，还可以利用光学原理采集指纹图像，即所述自发光显示像素可以用于采集指纹图像，实现指纹识别功能，增加了所述自发光显示像素的功能，使得所述自发光显示像素集成程度更高。同时，所述自发光显示像素中，设置第一TFT器件的沟道层位于部分感光器件正下方，从而能够利用所述感光器件遮挡相应的光线，从而防止光线到达沟道层，进而避免导致采集的指纹图像信号发生泄漏的情况。进一步，设置与栅极层位于同一层的电极层，电极层位于感光器件下方。电极层与感光器件的漏极层之间具有第一绝缘层。电极层和感光器件至少部分平行。此时，电极层和感光器件之间能够构成一个电容，这个电容使得感光器件的等效电容增大，感光器件能够暂存更多的电荷信号，相应指纹图像的对比度能够提高，最终使采集的指纹图像质量提高。进一步，感光器件的上电极层连接至所述第一公共电极，所述第一公共电极连接至第一固定电位。自发光器件的顶电极层连接至所述第二公共电极，所述第二公共电极连接至第二固定电位。自发光器件的顶电极层和感光器件的上电极层分别连接不同的固定电位，能够保证两个器件都各自稳定，并且电子噪音更小。进一步，复用自发光电路发出的光线作为光学指纹感测电路进行指纹采集时的光线，从而不必给光学指纹感测电路配置专门的光源，节省了成本，简化了结构。进一步，在感光器件和自发光器件之间设置遮光墙，防止自发光器件发出的光直接照射到感光器件而使感光器件处于信号饱和状态，从而使得感光器件无法吸收指纹的光学信号。进一步，设置感光器件具有下电极层，下电极层为非透光层，并设置第一TFT器件的沟道层同时位于部分下电极层正下方，从而进一步利用下电极层遮挡进入第一TFT器件沟道层的光线，以进一步防止光学指纹感测电路出现信号泄漏的情况。附图说明图1为本专利技术第一实施例提供的自发光显示像素剖面示意图；图2为本专利技术第二实施例提供的自发光显示像素剖面示意图；图3为本专利技术第三实施例提供的自发光显示像素剖面示意图；图4为本专利技术第四实施例提供的自发光显示像素剖面示意图。具体实施方式正如
技术介绍
所述，现有自发光显示像素功能和结构有待改进和优化。为此，本专利技术提供一种新的自发光显示像素，通过在像素内设置光学指纹感测电路，从而使得自发光显示像素的功能得到改进，结构得到优化，集成化程度提高。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。本专利技术第一实施例提供一种自发光显示像素，图1为所述自发光显示像素的剖面示意图。请参考图1，所述自发光显示像素包括位于基板100上的自发光电路(未标注)。自发光电路包括自发光器件(未标注)和TFT器件(未示出)。自发光器件包括底电极层121、自发光半导体层122和顶电极层123。其中，底电极层121为非透光层。所述TFT器件位于虚线框A所包围的区域中，其个数可以为一个或者多个。本实施例中，底电极层121可以采用金属材料制作，金属材料通常为非透光材料，因此，可以保证所形成的底电极层121为非透光层。其它实施例中，也可以采用其它的非透光导电材料制作底电极层。本实施例中，自发光半导体层122可以包括多层结构。例如，自发光半导体层122可以为OLED叠层，OLED叠层通常包括空穴注入层、发光层和电子注入层等多层结构。请继续参考图1，自发光显示像素还包括位于基板100上的光学指纹感测电路(未标注)。光学指纹感测电路包括第一TFT器件(未标注)和感光器件(未标注)。所述第一TFT器件具有源极(未标注)、漏极(未标注)、栅极层110和沟道层111。感光器件包括感光半导体层(未标注)。本实施例中，感光半导体层为无机PIN二极管。此时，感光半导体层具体包括第一半导体层116、第二半导体层115和第三半导体层114，第一半导体层116、第二半导体层115和第三半导体层114从上到下层叠。感光器件还包括位于感光半导体层上的上电极层117。部分上电极层117上还具有遮光层118。部分遮光层118位于沟道层110的正上方，即位于第一TFT器件沟道层110正上方的感本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自发光显示像素，包括：自发光电路，所述自发光电路包括自发光器件；其特征在于：所述自发光显示像素还包括光学指纹感测电路，所述光学指纹感测电路包括第一TFT器件和感光器件；所述第一TFT器件的沟道层位于部分所述感光器件正下方。

【技术特征摘要】
1.一种自发光显示像素，包括：自发光电路，所述自发光电路包括自发光器件；其特征在于：所述自发光显示像素还包括光学指纹感测电路，所述光学指纹感测电路包括第一TFT器件和感光器件；所述第一TFT器件的沟道层位于部分所述感光器件正下方。2.如权利要求1所述的自发光显示像素，其特征在于，所述感光器件还包括下电极层，所述下电极层为非透光层，所述第一TFT器件的沟道层位于部分所述下电极层正下方；所述感光器件包括感光半导体层，所述感光半导体层为PIN二极管或者PN二极管。3.如权利要求1所述的自发光显示像素，其特征在于，所述感光器件包括感光半导体层；所述自发光器件包括自发光半导体层；所述自发光显示像素还包括TFT保护层，所述感光半导体层和所述自发光半导体层均位于所述TFT保护层上表面上方；所述感光器件包括感光半导体层，所述感光半导体层为PIN二极管或者PN二极管。4.如权利要求3所述的自发光显示像素，其特征在于，所述感光器件还包括下电极层，所述下电极层为非透光层。5.如权利要求1至4任意一项所述的自发光显示像素，其特征在于，所述第一TFT器件的栅极层位于沟道层下方；所述光学指纹感测电路还包括与所述栅极层位于同一层的电极层；所述电极层位于所述感光器件下方，所述电极层和所述感光器件至少部分平行，所述电极层与所述感光器件之间具有绝缘层；所述电极层连接至公共电极，所述公共电极连接至固定电位。6.如权利要求5所述的自发光显示像素，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：凌严，朱虹，
申请(专利权)人：上海箩箕技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31