本发明专利技术公开了一种高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块，属于放大器技术领域，包括低噪声放大器LNA和SHF波段滤波器Filter，采用LTCC技术，实现在作频段为3.1‑3.4GHz时对信号的放大，体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、结构简单、成品率高、批量一致性好、造价低、温度性能稳定的新结构高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块。
Low noise amplifier module of SHF band with high noise suppression
The invention discloses a high noise suppression SHF band low noise amplifier module, which belongs to the technical field of amplifiers, including low noise amplifier LNA and SHF band Filter filter, using LTCC technology, realize the amplification of the signal in the frequency band of 3.1 3.4GHz, small volume, light weight, high reliability, excellent electrical properties, has the advantages of simple structure, high rate of finished products of noise suppression SHF band low noise amplifier module structure, high batch consistency, low cost, stable temperature performance.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于放大器
技术介绍
近年来，随着移动通信、卫星通信及国防电子系统的微型化的迅速发展，高性能、低成本和小型化已经成为目前微波/射频领域的发展方向，对微波滤波器的性能、尺寸、可靠性和成本均提出了更高的要求。在一些国防尖端设备中，双工器已经成为该波段接收和发射支路中的关键电子部件，描述这种部件性能的主要指标有：通带工作频率范围、阻带频率范围、隔离度、通带插入损耗、阻带衰减、通带输入/输出电压驻波比、插入相移和时延频率特性、温度稳定性、体积、重量、可靠性等。低温共烧陶瓷是一种电子封装技术，采用多层陶瓷技术，能够将无源元件内置于介质基板内部，同时也可以将有源元件贴装于基板表面制成无源/有源集成的功能模块。LTCC技术在成本、集成封装、布线线宽和线间距、低阻抗金属化、设计多样性和灵活性及高频性能等方面都显现出众多优点，已成为无源集成的主流技术。其具有高Q值，便于内嵌无源器件，散热性好，可靠性高，耐高温，冲震等优点，利用LTCC技术，可以很好的加工出尺寸小，精度高，紧密型好，损耗小的微波器件。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块，采用LTCC技术，实现在作频段为3.1-3.4GHz时对信号的放大，体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、结构简单、成品率高、批量一致性好、造价低、温度性能稳定的新结构高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块，包括低噪声放大器LNA和SHF波段滤波器Filter，SHF波段滤波器Filter的上侧面设有低噪声放大器LNA，SHF波段滤波器Filter的左侧面设有信号输入端P1，SHF波段滤波器Filter的右侧面设有信号输出端P2，SHF波段滤波器Filter的后侧面从左至右设有接地端P3和电源端P4，SHF波段滤波器Filter的前侧面从左至右设有悬空端P5和接地端P6，信号输入端P1、接地端P6和电源端P4分别通过带状线input、带状线GND和带状线VDD连接低噪声放大器LNA，低噪声放大器LNA的输出端连接带状线output；SHF波段滤波器Filter包括第一接地层、第一Z形结构层、第一谐振层、第二谐振层、第二接地层、第三谐振层、第四谐振层、第二Z形结构层、第三接地层、通孔Via1和通孔Via2，第一接地层、第一Z形结构层、第一谐振层、第二谐振层、第二接地层、第三谐振层、第四谐振层、第二Z形结构层和第三接地层为从上至下依次设置，第一接地层上设有接地板shield1，第二接地层上设有接地板shield2，第三接地层上设有接地板shield3，第一Z形结构层上设有Z形带状线Z1、Z形带状线Z1的一端连接接地端P3，另一端连接接地端P6；第一层谐振层上从左至右依次间隔设有带状线L1、带状线L2、带状线L3和带状线L4，带状线L1、带状线L2、带状线L3和带状线L4的前端均通过带状线连接在一起，带状线L1、带状线L2、带状线L3和带状线L4的后端均为悬空设置，带状线L4的右边设有通孔Via1，带状线L4通过通孔Via1连接带状线output，带状线L4的前端连接接地端P6；第二层谐振层上从左至右依次间隔设有带状线L5、带状线L6、带状线L7和带状线L8，带状线L5、带状线L6、带状线L7和带状线L8的后端均通过带状线连接在一起，带状线L5、带状线L6、带状线L7和带状线L8的前端均为悬空设置，带状线L5的后端连接接地端P3；第三层谐振层上从左至右依次间隔设有带状线L13、带状线L14、带状线L15和带状线L16，带状线L13、带状线L14、带状线L15和带状线L16的后端均通过带状线连接在一起，带状线L13、带状线L14、带状线L15和带状线L16的前端均为悬空设置，带状线L13的后端连接接地端P3；第四层谐振层上从左至右依次间隔设有带状线L9、带状线L10、带状线L11和带状线L12，带状线L9、带状线L10、带状线L11和带状线L12的前端均通过带状线连接在一起，带状线L9、带状线L10、带状线L11和带状线L12的后端均为悬空设置，带状线L9的左边设有通孔Via2，带状线L9通过通孔Via2连接带状线L1，带状线L12的前端连接接地端P6，带状线L12还连接信号输出端P2；第二Z形结构层上设有Z形带状线Z2，Z形带状线Z2的一端连接接地端P3，另一端连接接地端P6。所述信号输入端P2和信号输出端P1均为共面波导结构的50欧姆阻抗的端口。所述一种高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块由多层低温共烧陶瓷工艺制成。本专利技术所述的一种高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块，采用LTCC技术，实现在作频段为3.1-3.4GHz时对信号的放大，体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、结构简单、成品率高、批量一致性好、造价低、温度性能稳定的新结构高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块，可大批量生产等优点，卫星通信等对体积、电性能、温度稳定性和可靠性有苛刻要求的场合和相应的系统中。附图说明图1是本专利技术的原理图框图；图2是本专利技术的外部结构示意图；图3是本专利技术的SHF波段滤波器Filter的结构示意图。具体实施方式如图1所示的一种高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块，包括低噪声放大器LNA和SHF波段滤波器Filter，SHF波段滤波器Filter的上侧面设有低噪声放大器LNA，SHF波段滤波器Filter的左侧面设有信号输入端P1，SHF波段滤波器Filter的右侧面设有信号输出端P2，SHF波段滤波器Filter的后侧面从左至右设有接地端P3和电源端P4，SHF波段滤波器Filter的前侧面从左至右设有悬空端P5和接地端P6，信号输入端P1、接地端P6和电源端P4分别通过带状线input、带状线GND和带状线VDD连接低噪声放大器LNA，低噪声放大器LNA的输出端连接带状线output；SHF波段滤波器Filter包括第一接地层、第一Z形结构层、第一谐振层、第二谐振层、第二接地层、第三谐振层、第四谐振层、第二Z形结构层、第三接地层、通孔Via1和通孔Via2，第一接地层、第一Z形结构层、第一谐振层、第二谐振层、第二接地层、第三谐振层、第四谐振层、第二Z形结构层和第三接地层为从上至下依次设置，第一接地层上设有接地板shield1，第二接地层上设有接地板shield2，第三接地层上设有接地板shield3，第一Z形结构层上设有Z形带状线Z1、Z形带状线Z1的一端连接接地端P3，另一端连接接地端P6；第一层谐振层上从左至右依次间隔设有带状线L1、带状线L2、带状线L3和带状线L4，带状线L1、带状线L2、带状线L3和带状线L4的前端均通过带状线连接在一起，带状线L1、带状线L2、带状线L3和带状线L4的后端均为悬空设置，带状线L4的右边设有通孔Via1，带状线L4通过通孔Via1连接带状线output，带状线L4的前端连接接地端P6；第二层谐振层上从左至右依次间隔设有带状线L5、带状线L6、带状线L7和带状线L8，带状线L5、带状线L6、带状线L7和带状线L8的后端均通过带状线连接在一起，带状线L5、带状线L6、带状线L7和带状线L8的前端均为悬空设置，带状线L5本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块，其特征在于：包括低噪声放大器LNA和SHF波段滤波器Filter，SHF波段滤波器Filter的上侧面设有低噪声放大器LNA，SHF波段滤波器Filter的左侧面设有信号输入端P1，SHF波段滤波器Filter的右侧面设有信号输出端P2，SHF波段滤波器Filter的后侧面从左至右设有接地端P3和电源端P4，SHF波段滤波器Filter的前侧面从左至右设有悬空端P5和接地端P6，信号输入端P1、接地端P6和电源端P4分别通过带状线input、带状线GND和带状线VDD连接低噪声放大器LNA，低噪声放大器LNA的输出端连接带状线output；SHF波段滤波器Filter包括第一接地层、第一Z形结构层、第一谐振层、第二谐振层、第二接地层、第三谐振层、第四谐振层、第二Z形结构层、第三接地层、通孔Via1和通孔Via2，第一接地层、第一Z形结构层、第一谐振层、第二谐振层、第二接地层、第三谐振层、第四谐振层、第二Z形结构层和第三接地层为从上至下依次设置，第一接地层上设有接地板shield1，第二接地层上设有接地板shield2，第三接地层上设有接地板shield3，第一Z形结构层上设有Z形带状线Z1、Z形带状线Z1的一端连接接地端P3，另一端连接接地端P6；第一层谐振层上从左至右依次间隔设有带状线L1、带状线L2、带状线L3和带状线L4，带状线L1、带状线L2、带状线L3和带状线L4的前端均通过带状线连接在一起，带状线L1、带状线L2、带状线L3和带状线L4的后端均为悬空设置，带状线L4的右边设有通孔Via1，带状线L4通过通孔Via1连接带状线output，带状线L4的前端连接接地端P6；第二层谐振层上从左至右依次间隔设有带状线L5、带状线L6、带状线L7和带状线L8，带状线L5、带状线L6、带状线L7和带状线L8的后端均通过带状线连接在一起，带状线L5、带状线L6、带状线L7和带状线L8的前端均为悬空设置，带状线L5的后端连接接地端P3；第三层谐振层上从左至右依次间隔设有带状线L13、带状线L14、带状线L15和带状线L16，带状线L13、带状线L14、带状线L15和带状线L16的后端均通过带状线连接在一起，带状线L13、带状线L14、带状线L15和带状线L16的前端均为悬空设置，带状线L13的后端连接接地端P3；第四层谐振层上从左至右依次间隔设有带状线L9、带状线L10、带状线L11和带状线L12，带状线L9、带状线L10、带状线L11和带状线L12的前端均通过带状线连接在一起，带状线L9、带状线L10、带状线L11和带状线L12的后端均为悬空设置，带状线L9的左边设有通孔Via2，带状线L9通过通孔Via2连接带状线L1，带状线L12的前端连接接地端P6，带状线L12还连接信号输出端P2；第二Z形结构层上设有Z形带状线Z2，Z形带状线Z2的一端连接接地端P3，另一端连接接地端P6。...
【技术特征摘要】
1.一种高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块，其特征在于：包括低噪声放大器LNA和SHF波段滤波器Filter，SHF波段滤波器Filter的上侧面设有低噪声放大器LNA，SHF波段滤波器Filter的左侧面设有信号输入端P1，SHF波段滤波器Filter的右侧面设有信号输出端P2，SHF波段滤波器Filter的后侧面从左至右设有接地端P3和电源端P4，SHF波段滤波器Filter的前侧面从左至右设有悬空端P5和接地端P6，信号输入端P1、接地端P6和电源端P4分别通过带状线input、带状线GND和带状线VDD连接低噪声放大器LNA，低噪声放大器LNA的输出端连接带状线output；SHF波段滤波器Filter包括第一接地层、第一Z形结构层、第一谐振层、第二谐振层、第二接地层、第三谐振层、第四谐振层、第二Z形结构层、第三接地层、通孔Via1和通孔Via2，第一接地层、第一Z形结构层、第一谐振层、第二谐振层、第二接地层、第三谐振层、第四谐振层、第二Z形结构层和第三接地层为从上至下依次设置，第一接地层上设有接地板shield1，第二接地层上设有接地板shield2，第三接地层上设有接地板shield3，第一Z形结构层上设有Z形带状线Z1、Z形带状线Z1的一端连接接地端P3，另一端连接接地端P6；第一层谐振层上从左至右依次间隔设有带状线L1、带状线L2、带状线L3和带状线L4，带状线L1、带状线L2、带状线L3和带状线L4的前端均通过带状线连接在一起，带状线L1、带状线L2、带状线L3和带状线L4的后端均为悬空设置，带状线L4的右边设有通孔Via1，带状线L4通过...
【专利技术属性】
技术研发人员：戴永胜，陈相治，杨茂雅，
申请(专利权)人：戴永胜，陈相治，杨茂雅，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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