显示装置及阵列基板制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种显示装置及阵列基板，涉及显示技术领域。阵列基板，包括：一基板，设置有呈十字型交叉布置的复数条数据线和复数条扫描线；复数条公共电极线，一该公共电极线布置在两相邻的扫描线之间；主动元件，设置在该复数条数据线与该复数条扫描线的十字型交叉区域；像素电极，以各个该十字型交叉区域为中心形成有复数个重复排列的像素电极单元，且通过一第一接触孔与该主动元件电性连接；透明电极，在该复数条数据线和该复数条扫描线限定的区域内，形成复数个重复排列的透明电极单元，该透明电极单元与该公共电极线电性连接。本实用新型专利技术同时还公开了包括该阵列基板的液晶显示装置。

Display device and array substrate

The utility model provides a display device and an array substrate, which relates to the technical field of display. The array substrate includes a substrate provided with a plurality of a cross shaped cross layout of data lines and a plurality of scanning lines; a plurality of common electrode lines, one of the common electrode lines are arranged in two adjacent scan lines; active components, criss cross regional settings in the plurality of data lines and the complex number scan lines; pixel electrodes in each of the cross regional cross as the center to form a plurality of pixel electrodes with unit of repeats, and through the first contact hole and the active component is electrically connected; the transparent electrode, in which a plurality of data lines and the plurality of scanning lines within a defined area of transparent electrode unit forming a plurality of repeats, the transparent electrode unit and the electrode wire is electrically connected with the public. The utility model also discloses a liquid crystal display device including the array substrate.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
，特别涉及一种具有高透光率的显示装置及阵列基板。
技术介绍
垂直电场型液晶显示模式是最基本的液晶显示模式，包括TN(Twisted Nematic，扭曲向列型)、VA(Vertical Alignment，垂直配向)等液晶显示模式。目前市场上的TN面板多是改良型的TN+film，film即补偿膜，用于弥补TN面板可视角度的不足，目前改良的TN面板的可视角度都达到160°。VA类面板是现在高端液晶应用较多的面板类型，属于广视角面板。VA类面板又分为MVA(Multi-domain Vertical Alignment，多象限垂直配向技术)面板、PVA(Patterned Vertical Alignment)面板、PSVA(Polymer Stabilization Vertical Alignment，聚合物稳定垂直配向)面板、UV2A(UV Vertical Alignment，UV光垂直配向)面板，等等。垂直电场型液晶显示模式的像素结构分为TFT侧的像素结构和CF侧的像素结构两部分。TFT侧的像素结构主要实现TFT-LCD的电学功能，是决定像素电容效应、配向延迟效应、灰阶电压写入特性和保持特性的主要方面。CF侧的像素结构主要实现TFT-LCD的光学功能，是决定TFT-LCD对比度和色度域的主要方面。TFT侧的像素结构一般采用Cs on COM结构。Cs on COM结构的特点是，像素电极覆盖在金属公共电极线上形成存储电容。公共电极线的位置可以在像素的上下两侧，也可以在像素的中央。公共电极线延伸到数据线两侧的结构起到遮光的作用。像素电极与公共电极线重叠的区域就是像素的存储电容面积。CF侧的像素一般包括黑色矩阵BM、RGB色阻、间隙子、公共电极等结构。CF侧像素的结构主要由滤光和遮光两部分组成：滤光结构由RGB色层构成，遮光结构由黑色矩阵构成。CF侧像素结构的设计关键是把握黑色矩阵的遮光尺寸， 以及RGB色层与黑色矩阵遮光层的重叠量。黑色矩阵遮光结构的设计，目的是要防止CF基板和TFT基板贴合偏移后出现漏光现象。如果CF和TFT基板的贴合精度为6um，那么公共电极线的遮光线段靠近数据线一侧的边与黑色矩阵挨着色层一侧的边之间的距离至少要保证在6um以上。这个设计规则的存在，使得像素的实际开口率很低，降低了像素的光利用效率。为了提高像素的光利用效率，一种做法是像FFS(Fringe Field Switching，边缘电场开关)那样把金属公共电极线更换为透明电极。FFS在扫描线层的下方需要通过一道ITO-PR工艺，在每个像素的底层形成面状分布的COM电极。FFS像素的扫描线、数据线和TFT开关的功能与其他显示模式共通，与扫描线同层的细条状金属COM线的主要功能是向底层面状COM电极提供稳定的COM电压，像素电极在四周连接成环状，由TFT开关进行供电。顶层连接像素电压的ITO图案和底层连接COM电压的ITO图案重叠形成像素的存储电容Cs。借鉴FFS的透明底层面状COM电极的设计方法，可以在TN、VA等垂直配向型液晶显示模式中导入透明底层面状COM电极，提升像素的光利用效率。
技术实现思路
本技术专利所要解决的技术问题在于提供一种高透光率的透明液晶显示器及其阵列基板。为了达到上述或其它目的，本技术一方面提出了一种液晶显示装置的阵列基板，包括：一基板，设置有呈十字型交叉布置的复数条数据线和复数条扫描线；复数条公共电极线，一该公共电极线布置在两相邻的扫描线之间；主动元件，设置在该复数条数据线与该复数条扫描线的十字型交叉区域；像素电极，以各个该十字型交叉区域为中心形成有复数个重复排列的像素电极单元，且通过一第一接触孔与该主动元件电性连接；透明电极，在该复数条数据线和该复数条扫描线限定的区域内，形成复数个重复排列的透明电极单元，该透明电极单元与该公共电极线电性连接。进一步地，该透明电极与该像素电极在与该阵列基板垂直的方向上具有部分重叠区域，该重叠区域形成存储电容器。进一步地，该复数个重复排列的像素电极单元之间设有间隔距离。进一步地，两相邻的数据线和两相邻的扫描线限定的区域内，形成一透明电极单元，该一透明电极单元的四周边界与该两相邻的数据线和该两相邻的扫描线间隔一定的距离。进一步地，该透明电极直接分布在公共电极线的上方或者公共电极线的下方。进一步地，该透明电极隔着绝缘介质分布在公共电极线的上方或者公共电极线的下方，通过一第二接触孔与该公共电极线电连接。进一步地，该透明电极的材料采用锡掺杂三氧化铟、铝掺杂氧化锌、纳米银线、或者石墨烯。为了达到上述或其它目的，本技术另一方面提出了一种液晶显示装置的阵列基板，包括：提供一阵列基板，形成透明电极；形成第一层金属薄膜图案，该第一层金属薄膜图案包括复数条扫描线、公共电极线，该公共电极线布置在两相邻的扫描线之间，且该公共电极线覆盖在该透明电极的表面上方；在该第一层金属薄膜图案的图案上形成栅极绝缘层，在该栅极绝缘层的上方形成半导体图案；在该半导体图案上，形成第二层金属薄膜图案，该第二层金属薄膜图案包括复数条数据线，该复数条数据线与该复数条扫描线呈十字型交叉布置；还包括薄膜晶体管的漏极；在该第二层金属薄膜图案上分布绝缘层，在该绝缘层上分布像素电极，该像素电极为以各个该复数条数据线与该复数条扫描线之间的十字型交叉区域为中心，形成复数个重复排列的像素电极单元，该像素电极单元通过贯穿该绝缘层的一接触孔与漏极实现电学连接；其中，在该复数条数据线和该复数条扫描线限定的区域内，形成复数个重复排列的透明电极单元，该透明电极单元与该公共电极线电性连接。为了达到上述或其它目的，本技术再一方面提出了一种液晶显示装置的阵列基板，包括：提供一阵列基板，形成第一层金属薄膜图案，该第一层金属薄膜图案包括复数条扫描线、公共电极线，该公共电极线布置在两相邻的扫描线之间；形成透明电极，且该透明电极覆盖在该公共电极线的表面上方；形成栅极绝缘层，在该栅极绝缘层的上方形成半导体图案；在该半导体图案上，形成第二层金属薄膜图案，该第二层金属薄膜图案包括复数条数据线，该复数条数据线与该复数条扫描线呈十字型交叉布置；还包括薄膜晶体管的漏极；在该第二层金属薄 膜图案上分布绝缘层，在该绝缘层上分布像素电极，该像素电极为以各个该复数条数据线与该复数条扫描线之间的十字型交叉区域为中心，形成复数个重复排列的像素电极单元，该像素电极单元通过贯穿该绝缘层的一接触孔与漏极实现电学连接；其中，在该复数条数据线和该复数条扫描线限定的区域内，形成复数个重复排列的透明电极单元，该透明电极单元与该公共电极线电性连接。为了达到上述或其它目的，本技术又一方面提出了一种液晶显示装置，包括：上述阵列基板；对置基板，与该阵列基板相对设置；液晶层，夹置在该阵列基板与该对置基板之间；还包括公共电极，呈面电极图案分布在该对置基板上；其中，该公共电极与该透明电极同时施加相同电位电压。本技术与现有技术相比，其优点在于：使用的金属线面积小，金属对光线的干扰影响降低；像素的开口率提高，光线的利用效率高。附图说明图1为示意性示出本技术阵列基板侧像素结构平面示意图；图2为示意性示出本技术图1中阵列基板侧平面结构示意本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置的阵列基板，包括：一基板，设置有呈十字型交叉布置的复数条数据线和复数条扫描线；复数条公共电极线，一该公共电极线布置在两相邻的扫描线之间；主动元件，设置在该复数条数据线与该复数条扫描线的十字型交叉区域；像素电极，以各个该十字型交叉区域为中心形成有复数个重复排列的像素电极单元，且通过一第一接触孔与该主动元件电性连接；透明电极，在该复数条数据线和该复数条扫描线限定的区域内，形成复数个重复排列的透明电极单元，该透明电极单元与该公共电极线电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种显示装置的阵列基板，包括：一基板，设置有呈十字型交叉布置的复数条数据线和复数条扫描线；复数条公共电极线，一该公共电极线布置在两相邻的扫描线之间；主动元件，设置在该复数条数据线与该复数条扫描线的十字型交叉区域；像素电极，以各个该十字型交叉区域为中心形成有复数个重复排列的像素电极单元，且通过一第一接触孔与该主动元件电性连接；透明电极，在该复数条数据线和该复数条扫描线限定的区域内，形成复数个重复排列的透明电极单元，该透明电极单元与该公共电极线电性连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：该透明电极与该像素电极在与该阵列基板垂直的方向上具有部分重叠区域，该重叠区域形成存储电容器。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：该复数个重复排列的像素电极单元之间设有间隔距离。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：两相邻的数据线和两相邻的扫描线限定的区域内，形成一透明电极单元，该一透明电极单元的四周边界与该两相邻的数据线和该两相邻的扫描线间隔一定的距离。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，该透明电极直接分布在公共电极线的上方或者公共电极线的下方。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，该透明电极隔着绝缘介质分布在公共电极线的上方或者公共电极线的下方，通过一第二接触孔与该公共电极线电连接。7.根据权利要求1-6任一项所述的阵列基板，其特征在于，该透明电极的材料采用锡掺杂三氧化铟、铝掺杂氧化锌、纳米银线、或者石墨烯。8.一种显示装置的阵列基板，包括：提供一阵列基板，形成透明电极；形成第一层金属薄膜图案，该第一层金属薄膜图案包括复数条扫描线、公共电极线，该公共电极线布置在两相邻的扫描线之间，且该公共电极线覆盖在该透明电极的表面上方；在该第一层金属薄膜图案上形成栅极绝缘层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：上海纪显电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31