用于保持处理对象物的工作台以及具有该工作台的处理装置制造方法及图纸

使用于对基板进行真空吸附的工作台的小孔尽量不吸入处理液。提供用于对基板进行处理的湿式基板处理装置。该湿式基板处理装置具有：工作台，用于保持基板；以及处理液供给机构，用于对保持在工作台上的基板供给处理液。工作台具有：支撑面，用于支撑基板；第一开口部，形成于支撑面；第二开口部，形成于支撑面，被配置为至少局部性地包围第一开口部；第一流体通路，穿过工作台而延伸到支撑面的第一开口部，构成为能够与真空源连接；以及第二流体通路，穿过工作台而延伸到支撑面的第二开口部，构成为能够排出处理液。

【技术实现步骤摘要】

本申请专利技术涉及用于保持例如半导体基板这样的处理对象物的工作台以及具有该工作台的处理装置。
技术介绍
在半导体器件的制造中公知有对基板的表面进行研磨的化学机械研磨(CMP、Chemical Mechanical Polishing)装置。在CMP装置中，在研磨工作台的上表面上粘贴研磨垫而形成研磨面。该CMP装置将由顶环保持的基板的被研磨面按压于研磨面，一边对研磨面供给作为研磨液的浆料一边使研磨工作台和顶环旋转。由此，使研磨面与被研磨面滑动地相对移动，对被研磨面进行研磨。代表的CMP装置中，研磨工作台或者研磨垫比被研磨的基板大，基板以使被研磨面朝下的方式由顶环保持而进行研磨。使聚乙烯醇(PVA)等海绵材料一边旋转一边与基板接触而对研磨后的基板进行清洗、进一步进行干燥。公知有精加工单元，该精加工单元将相对于研磨后的基板直径比基板小的接触部件按压于基板，而使基板与接触部件相对运动(例如，专利文献1)。这样的精加工单元与主研磨部分开地设置于CMP装置内，能够对主研磨后的基板稍微进行追加研磨或者清洗。专利文献1：日本特开平8-71511号公报在对基板进行研磨的装置中，要想以较高的压力使基板与接触部件接触而提高清洗效果或者提高研磨速度，优选利用对基板的背面整体进行接触支撑的工作台来保持基板。作为这样的工作台的例子存在具有用于对基板进行真空吸附的小孔的工作台。在对基板进行真空吸附的工作台的情况下，在支撑基板的工作台的支撑面与基板之间的间隙产生负压，在研磨基板时所使用的浆料或者其他的处理液有时从基板的边缘与工作台之间的间隙被吸入而到达小孔内。在为了使基板从工作台的支撑面释放而从小孔吹出气体或液体时，有时所吸入的浆料或处理液从工作台的支撑面与基板之间的间隙流出并在绕过基板的上表面而污染基板。
技术实现思路
因此，优选使对基板进行真空吸附用的工作台的小孔尽量不吸入浆料或处理液。并且，优选在释放基板时所吸入的浆料或处理液尽量不绕过基板。本申请专利技术的目的在于，解决或者缓和这些课题中的至少一部分。根据本专利技术的第一方式，提供用于对基板进行处理的湿式基板处理装置。该湿式基板处理装置具有：工作台，用于保持基板；以及处理液供给机构，用于对保持在所述工作台上的基板供给处理液。所述工作台具有：支撑面，用于支撑基板；第一开口部，形成于所述支撑面；第二开口部，形成于所述支撑面，被配置为至少局部性地包围所述第一开口部；第一流体通路，穿过所述工作台而延伸到所述支撑面的所述第一开口部，构成为能够与真空源连接；以及第二流体通路，穿过所述工作台而延伸到所述支撑面的所述第二开口部，构成为能够使所述第二开口部向大气开放。根据本专利技术的第二方式，在第一方式中，所述第二流体通路以贯通所述工作台的至少一部分的方式延伸。根据本专利技术的第三方式，在第二方式中，所述工作台具有在所述工作台的表面扩展的方向上延伸的扩展缘部，所述第二开口部位于所述扩展缘部，所述第二流体通路以贯通所述扩展缘部的方式延伸。根据本专利技术的第四方式，在第一方式至第三方式中的任意1个方式中，所述第一流体通路构成为能够与流体供给源连接，该流体供给源用于通过所述第一流体通路而从所述第一开口部供给流体。根据本专利技术的第五方式，在第四方式中，所述流体具有由空气、氮以及水构成的组中的至少1个。根据本专利技术的第六方式，在第一方式至第五方式中的任意1个方式中，所述工作台构成为能够旋转。根据本专利技术的第七方式，在第一方式至第六方式中的任意1个方式中，该湿式基板处理装置具有用于对所述基板进行研磨处理的研磨垫。根据本专利技术的第八方式，提供用于对基板进行处理的湿式基板处理装置。该湿式基板处理装置具有：工作台，用于保持基板；以及处理液供给机构，用于对保持在所述工作台上的基板供给处理液。所述工作台具有：支撑面，用于支撑基板；第一开口部，形成于所
述支撑面；第二开口部，形成于所述支撑面，被配置为至少局部性地包围所述第一开口部；第一流体通路，穿过所述工作台而延伸到所述支撑面的所述第一开口部，构成为能够与真空源连接；以及第二流体通路，穿过所述工作台而延伸到所述支撑面的所述第二开口部，构成为能够与流体供给源连接。根据本专利技术的第九方式，在第八方式中，所述流体具有由空气、氮以及水构成的组中的至少1个。根据本专利技术的第十方式，在第一方式至第九方式中的任意1个方式中，所述工作台构成为能够旋转。根据本专利技术的第十一方式，在第八方式至第十方式中的任意1个方式中，该湿式基板处理装置具有用于对基板进行研磨处理的研磨垫。根据本专利技术的第十二方式，提供用于对基板进行处理的湿式基板处理装置。该湿式基板处理装置具有：工作台，用于保持基板；以及处理液供给机构，用于对保持在所述工作台上的基板供给处理液。所述工作台具有：支撑面，用于支撑基板；第一开口部，形成于所述支撑面；第二开口部，形成于所述支撑面，被配置为至少局部性地包围所述第一开口部；第一流体通路，穿过所述工作台而延伸到所述支撑面的所述第一开口部，构成为能够与流体供给源连接；以及第二流体通路，穿过所述工作台而延伸到所述支撑面的所述第二开口部，构成为能够与真空源连接。根据本专利技术的第十三方式，在第十二方式中，所述流体具有由空气、氮以及水构成的组中的至少1个。根据本专利技术的第十四方式，在第十二方式或者第十三方式中，第一流体通路构成为能够与真空源连接。根据本专利技术的第十五方式，在第十二方式至第十四方式中的任意1个方式中，所述工作台构成为能够旋转。根据本专利技术的第十六方式，在第十二方式至第十五方式中的任意1个方式中，该湿式基板处理装置具有用于对基板进行研磨处理的研磨垫。根据本专利技术的第十七方式，提供衬垫件，该衬垫件能够配置于用于对基板进行保持的工作台。该衬垫件在配置于第一方式至第十六方式中的任意1个湿式基板处理装置的工作台时，在与所述工作台的所述第一开口部和所述第二开口部的位置对应的位置上具有贯通孔。附图说明图1是表示作为具有用于对处理对象物进行处理的工作台的处理装置的一例的抛光处理装置的概略结构的图。图2是概略性地表示作为一实施方式的抛光工作台的剖面的图。图3A是表示图2的抛光工作台的上表面的立体图。图3B是表示一实施方式的抛光工作台的切口部的周边的俯视图。图4是沿着线段E-E剖切一实施方式的图3(A)所示的抛光工作台而得到的剖面图。图5是概略性地表示作为一实施方式的抛光工作台的剖面的图。图6是沿着线段E-E剖切一实施方式的图3(A)所示的抛光工作台而得到的剖面图。符号说明400 工作台402 支撑面404 第一开口部406 扩展缘部410 第一流体通路420 第二流体通路424 第二开口部450 衬垫件452 贯通孔502 研磨垫714 纯水供给源724 药液供给源744 氮源746 真空源Wf 晶片具体实施方式以下，与附图一同说明用于保持本专利技术的处理对象物的工作台和具有该工作台的处理
装置的实施方式。在附图中，对相同或者类似的要素标注相同或者类似的参照符号，在各实施方式的说明中关于相同或者类似的要素的重复的说明有时省略。并且，各实施方式所示的特征只要不彼此矛盾也可以应用于其他的实施方式。图1是表示作为具有用于对处理对象物进行处理的工作台的处理装置的一例的抛光处理装置的概略结构的图。图1所示的抛光处理装置能够本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种湿式基板处理装置，用于对基板进行处理，其特征在于，该湿式基板处理装置具有：工作台，用于保持基板；以及处理液供给机构，用于对保持在所述工作台上的基板供给处理液，所述工作台具有：支撑面，用于支撑基板；第一开口部，形成于所述支撑面；第二开口部，形成于所述支撑面，被配置为至少局部地包围所述第一开口部；第一流体通路，穿过所述工作台而延伸到所述支撑面的所述第一开口部，构成为能够与真空源连接；以及第二流体通路，穿过所述工作台而延伸到所述支撑面的所述第二开口部，构成为能够使所述第二开口部向大气开放。

【技术特征摘要】
2015.06.01 JP 2015-111686;2016.05.12 JP 2016-096271.一种湿式基板处理装置，用于对基板进行处理，其特征在于，该湿式基板处理装置具有：工作台，用于保持基板；以及处理液供给机构，用于对保持在所述工作台上的基板供给处理液，所述工作台具有：支撑面，用于支撑基板；第一开口部，形成于所述支撑面；第二开口部，形成于所述支撑面，被配置为至少局部地包围所述第一开口部；第一流体通路，穿过所述工作台而延伸到所述支撑面的所述第一开口部，构成为能够与真空源连接；以及第二流体通路，穿过所述工作台而延伸到所述支撑面的所述第二开口部，构成为能够使所述第二开口部向大气开放。2.根据权利要求1所述的湿式基板处理装置，其特征在于，所述第二流体通路以贯通所述工作台的至少一部分的方式延伸。3.根据权利要求2所述的湿式基板处理装置，其特征在于，所述工作台具有在所述工作台的表面扩展的方向上延伸的扩展缘部，所述第二开口部位于所述扩展缘部，所述第二流体通路以贯通所述扩展缘部的方式延伸。4.根据权利要求1所述的湿式基板处理装置，其特征在于，所述第一流体通路构成为能够与流体供给源连接，该流体供给源用于通过所述第一流体通路而从所述第一开口部供给流体。5.根据权利要求4所述的湿式基板处理装置，其特征在于，所述流体具有由空气、氮以及水构成的组中的至少1个。6.根据权利要求1所述的湿式基板处理装置，其特征在于，所述工作台构成为能够旋转。7.根据权利要求1所述的湿式基板处理装置，其特征在于，该湿式基板处理装置具有用于对所述基板进行研磨处理的研磨垫。8.一种湿式基板处理装置，用于对基板进行处理，其特征在于，该湿式基板处理装置具有：工作台，用于保持基板；以及处理液供给机构，用于对保持在所述工作台上的基板供给处理液，所述工作台具有：支撑面，用于支撑基板；第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：丰村直树，宫崎充，国泽淳次，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP