本发明专利技术公开了一种阵列基板，包括板状电极、狭缝电极和位于所述板状电极与所述狭缝电极之间的绝缘层，并且所述阵列基板上划分的每一个子像素均包括主像素区域和次像素区域，所述次像素区域中包含下拉分享电容，所述下拉分享电容对应的区域的绝缘层厚度小于所述下拉分享电容对应的区域之外的绝缘层厚度，所述次像素区域中狭缝电极与所述板状电极的重叠区域为所述下拉分享电容对应的区域。本发明专利技术还公开了一种阵列基板的制作方法以及液晶显示装置。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法和液晶显示装置。
技术介绍
液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。如，液晶电视、移动电话、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等，在平板显示领域中占重要地位。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括壳体、设于壳体内的液晶显示面板及设于壳体内的背光模组。液晶显示面板是液晶显示器的主要组件，但液晶显示面板本身不发光，需要借由背光模组提供的光源来显示影像。通常液晶显示面板由彩色滤光片基板(Color Filter，CF)、薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)以及配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)构成，并在两基板的相对内侧设置像素电极和公共电极，并通过施加电压控制液晶分子改变方向，从而将背光模组的光线折射出来产生画面。随着液晶显示面板行业的快速发展，液晶显示面板的尺寸越做越大，用户对广视角、低色偏、低能耗的要求也越来越高，从而TFT器件及像素设计也多样化发展。目前，现有技术大多采用多畴(multi domain)显示的像素设计来改善液晶显示面板在大视角下的色偏程度，一般有4畴、8畴。在像素电极图案化设计上8畴与4畴基本上没有差异，8畴需要将一个子像素划分为主像素(Main Pixel)和次像素(Sub Pixel)两个区域，通过一个子像素内主像素区域与次像素区域的压差使得两个4畴的液晶根据旋转量不同而形成8畴，进一步地，一个子像素内的主像素区域与次像素区域的压差主要是通过下拉分享电容分享次像素区域的电荷实现。然而，现有的阵列基板及液晶显示面板的每一个子像素中，其次像素区域中的下拉分享电容的两电极板之间的绝缘层通常较厚，使得两电极板之间的间距较大，因此构成下拉分享电容的两极板的面积也需要对应设置得较大才能达到设定的下拉电容值，不仅影响像素开口率，而且背光能耗大，成本较高。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种阵列基板及其制作方法和液晶显示装置，可以减小组成下拉分享电容的两极板之间的间距，使得在相同电容的前提下可以减小下拉分享电容的两极板的面积，从而增大了像素开口率。一方面，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括板状电极、狭缝电极和位于所述板状电极与所述狭缝电极之间的绝缘层，并且所述阵列基板上划分的每一个子像素均包括主像素区域和次像素区域，所述次像素区域中包含下拉分享电容，所述下拉分享电容对应的区域的绝缘层厚度小于所述下拉分享电容对应的区域之外的绝缘层厚度，其中，所述次像素区域中的狭缝电极与所述板状电极的重叠区域为所述下拉分享电容对应的区域。其中，所述板状电极为像素电极，所述狭缝电极为公共电极；或者，所述板状电极为公共电极，所述狭缝电极为像素电极。其中，所述板状电极与所述狭缝电极之间的所述绝缘层包括依次层叠设置的栅极绝缘层、至少一层钝化层以及色阻层，其中，所述下拉分享电容对应的区域的色阻层被完全移除。其中，所述板状电极与所述狭缝电极之间的所述绝缘层包括依次层叠设置的栅极绝缘层与钝化层，其中，所述下拉分享电容对应的区域的钝化层被完全移除、所述栅极绝缘层被减薄。其中，所述板状电极与所述狭缝电极之间的所述绝缘层包括依次层叠设置的栅极绝缘层与钝化层，其中，所述下拉分享电容对应的区域的栅极绝缘层被完全移除、所述钝化层被减薄。另一方面，本专利技术实施例还提供了一种具有上述阵列基板的液晶显示装置。另一方面，本专利技术实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：在一基板上形成TFT、栅线和数据线；在包括所述TFT、栅线和数据线的基础上形成板状电极；在包括所述板状电极的基板上形成绝缘层，对所述绝缘层上的下拉分享电容对应的区域进行刻蚀，使所述下拉分享电容对应的区域的绝缘层厚度小于所述下拉分享电容对应的区域之外的绝缘层厚度；在包括所述绝缘层的基板上形成狭缝电极，在阵列基板上的次像素区域中，所述狭缝电极与所述板状电极的重叠区域为所述下拉分享电容对应的区域。其中，所述在包括所述板状电极的基板上形成绝缘层，对所述绝缘层上的下拉分享电容对应的区域进行刻蚀，使所述下拉分享电容对应的区域的绝缘层厚度小于所述下拉分享电容对应的区域之外的绝缘层厚度，包括：在包括所述板状电极的基板上沉积绝缘层材料；在包括所述绝缘层材料的基板上沉积光刻胶；对绝缘层过孔区域的所述光刻胶进行完全曝光，对所述下拉分享电容对应的区域的所述光刻胶进行半色调曝光；对光刻胶进行显影，使所述绝缘层过孔区域的光刻胶完全移除，使所述下拉分享电容对应的区域的光刻胶变薄；对所述绝缘层过孔区域的绝缘层材料进行刻蚀，形成绝缘层过孔；对所述光刻胶进行灰化，使所述下拉分享电容对应的区域的光刻胶完全移除，所述下拉分享电容对应的区域之外的光刻胶变薄；对所述下拉分享电容对应的区域的绝缘层材料进行刻蚀，使所述下拉分享电容对应的区域的绝缘层厚度小于所述下拉分享电容对应的区域之外的绝缘层厚度；去除剩余的光刻胶。其中，所述绝缘层包括依次层叠设置的栅极绝缘层与钝化层，并且所述下拉分享电容对应的区域的所述钝化层被完全移除、所述栅极绝缘层被减薄。其中，所述绝缘层包括依次层叠设置的栅极绝缘层与钝化层，并且所述下拉分享电容对应的区域的所述栅极绝缘层被完全移除、所述钝化层被减薄。其中，所述绝缘层包括依次层叠设置的栅极绝缘层、至少一钝化层与色阻层，并且所述下拉分享电容对应的区域的色阻层被完全移除。本专利技术实施例中提供的阵列基板与液晶显示装置，次像素区域中下拉分享电容的绝缘层厚度小于下拉分享电容对应区域外的绝缘层厚度，减小了构成下拉分享电容的板状电极和狭缝电极之间的距离，使得该下拉分享电容的面积也可对应减小，从而增大了像素的开口率，能够节约能耗，降低成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术阵列基板中下拉分享电容处的剖面结构示意图；图2为本专利技术第一实施例中阵列基板中下拉分享电容处的剖面结构示意图；图3为本专利技术第二实施例中阵列基板中下拉分享电容处的剖面结构示意图；图4为本专利技术的液晶显示像素结构的制作方法的流程图；图5为本专利技术的液晶显示像素结构的制作方法中步骤403的流程图；图6、图7为对应于图4中步骤403的示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施方式中的附图，对本专利技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式是本专利技术的一部分实施方式，而不是全部实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施方式，都应属于本专利技术保护的范围。此外，以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术中所提到的方向用语，例如，“上”、“下”、“前”、“后本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，包括板状电极、狭缝电极和位于所述板状电极与所述狭缝电极之间的绝缘层，并且所述阵列基板上划分的每一个子像素均包括主像素区域和次像素区域，所述次像素区域中包含下拉分享电容，其特征在于，所述下拉分享电容对应的区域的绝缘层厚度小于所述下拉分享电容对应的区域之外的绝缘层厚度，其中，所述次像素区域中的狭缝电极与所述板状电极的重叠区域为所述下拉分享电容对应的区域。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括板状电极、狭缝电极和位于所述板状电极与所述狭缝电极之间的绝缘层，并且所述阵列基板上划分的每一个子像素均包括主像素区域和次像素区域，所述次像素区域中包含下拉分享电容，其特征在于，所述下拉分享电容对应的区域的绝缘层厚度小于所述下拉分享电容对应的区域之外的绝缘层厚度，其中，所述次像素区域中的狭缝电极与所述板状电极的重叠区域为所述下拉分享电容对应的区域。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述板状电极为像素电极，所述狭缝电极为公共电极；或者，所述板状电极为公共电极，所述狭缝电极为像素电极。3.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述板状电极与所述狭缝电极之间的所述绝缘层包括依次层叠设置的栅极绝缘层、至少一层钝化层以及色阻层，其中，所述下拉分享电容对应的区域的色阻层被完全移除。4.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述板状电极与所述狭缝电极之间的所述绝缘层包括依次层叠设置的栅极绝缘层与钝化层，其中，所述下拉分享电容对应的区域的钝化层被完全移除、所述栅极绝缘层被减薄。5.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述板状电极与所述狭缝电极之间的所述绝缘层包括依次层叠设置的栅极绝缘层与钝化层，其中，所述下拉分享电容对应的区域的栅极绝缘层被完全移除、所述钝化层被减薄。6.一种液晶显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5中任一项所述的阵列基板。7.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在一基板上形成TFT、栅线和数据线；在包括所述TFT、栅线和数据线的基础上形成板状电极；在包括所述板状电极的基板上形成绝缘层，对所述绝缘层上的下拉分享电容对应的区域进行刻蚀，使所述下拉分享电容对应的区域的绝缘层厚度小于所述下拉分享电容对应的区域之外的绝缘层厚度；在...
【专利技术属性】
技术研发人员：付延峰，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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