【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于水处理
,具体涉及一种絮凝剂及其制备方法。
技术介绍
伴随着全球电子整机产品向中国转移,半导体也加速了向中国转移的步伐。半导体市场给中国带来了各种需求和机遇,很多半导体企业在中国建立了生产基地。半导体生产向中国的转移不仅带来了经济利益,同时也带来了新的环境问题。在半导体生产过程中,一般会产生一些废水和废气,其中尤其以含氟废水的危害最为严重。半导体生产工艺复杂,工艺步骤高达300余步,同时使用多种化学试剂和特殊气体。主要生产工序包括:硅片清洗、氧似扩散、化学气相沉积(CVD)、光刻、去胶、干法刻蚀(DE)、湿法腐蚀(WE)、离子注入、金属化(溅射镀膜PVD、电镀铜)、化学机械抛光CMP检测。其中刻蚀工序等使用氢氟酸、氟化铵及用高纯水清洗,这就是含氟废水的来源。含氟废水对粘膜、上呼吸道、眼睛、皮肤组织有极强的破坏作用。吸入后可因喉及支气管的炎症、水肿、痉挛及化学性肺炎、肺气肿而致死。中毒表现有烧灼感、咳嗽、喘息、喉炎、气短、头痛、恶心和呕吐。含氟废水的处理方法有很多,如吸附法、冷冻法、离子交换树脂除氟法、活性炭除氟法、超滤法、电渗析法,至今很少推广应用,主要原因成本高,除氟率低。目前最实用的除氟方法还是用絮凝剂除氟,主要采用添加盐酸溶解的聚合氯化铝(PAC)溶液絮凝沉淀的方法,但是该方法也存在诸多问题,主要是沉降的过程中产生的絮体小,沉降速度慢,对金属设备腐蚀严重等问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足,提供一种絮凝过程中产生絮体大,沉降速度快,对金属部位的腐蚀小,有利于水体迅速澄清的絮凝剂及其制备方法。 ...
【技术保护点】
一种絮凝剂,其特征在于,满足以下条件:氧化铝的质量含量为8~17%,盐基度1~10,当上述絮凝剂制成聚合氯化铝的质量浓度为1%的水溶液时,其PH值为3~4。
【技术特征摘要】
1.一种絮凝剂,其特征在于,满足以下条件:氧化铝的质量含量为8~17%,盐基度1~10,当上述絮凝剂制成聚合氯化铝的质量浓度为1%的水溶液时,其PH值为3~4。2.根据权利要求1所述的一种絮凝剂,其特征在于,包括以下质量含量的原料制备而成:有机酸18%-34%、或者无机酸21%-24%、或者乙酸10%和盐酸21%的混合酸、或者硝酸5%和磷酸15%的混合酸、或者盐酸14%和硝酸10%的混合酸;以及聚合氯化铝32~58%,余量为水,总量为100%。3.根据权利要求2所述的一种絮凝剂,其特征在于,所述有机酸为甲酸、乙酸或...
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