信息处理方法及存储设备技术

本发明专利技术实施例公开了一种信息处理方法及存储设备，所述信息处理方法包括：基于第一参考电压读取第一存储区域中的存储数据；当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域的存储数据时，利用第二参考电压对所述存储数据进行解码；根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因；根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子
的存储技术，尤其涉及一种信息处理方法及存储设备。
技术介绍
闪存Nand Flash是一种非易失存储媒介，其特点是读取/写入(R/W)速度较机械硬盘快很多，但数据在R/W、保存过程中容易产生错误，需要使用较复杂的纠错码以及其它配套机制对用户数据进行处理，以保证Nand Flash中数据的可靠性。Nand Flash中存储数据的最小存储单位是cell，一个cell可以用于表示多个符号，如在多层单元闪存(Multi-Level Cell，MLC)闪存中，一个cell可以呈现四种状态，分别用于表示2-bit数据的00 01 10 11)。在向cell写入数据时，控制器对cell进行编程，使其具有一个特定的电压阈值(Threshold Voltage，Vth)；在读取数据时，使用一个或多个参考电压Vref与存储电压亦称阈值电压Vth进行比较，确定Vth的电压范围，并转换为相应的符号。数据的可靠性由编程时和读取时的Vth之间的差异程度决定。具体的，首先需约定一个默认的Vth电压，在编程时作为编程的目标，并在读取时与一组Vref比较。但是往往在数据读取的过程中，发现有很高的错误，进而导致存储可靠性低等问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例期望提供一种信息处理方法及存储设备，至少部分解决存储可靠性低的问题。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：本专利技术实施例第一方面提供一种信息处理方法，包括：基于第一参考电压读取第一存储区域中的存储数据；当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域的存储数据时，利用第二参考电压对所述存储数据进行解码；根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因；根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理。基于上述方案，所述根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理，包括：当所述错误成因表示导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的是不可恢复错误时，将所述存储数据迁移到第二存储区域并将所述第一存储区域设置为禁用存储区域；其中，所述第二存储区域不同于所述第一存储区域。基于上述方案，所述根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理，包括：当所述错误成因表示导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的是可恢复错误时，对所述第一存储区域执行预设恢复操作。基于上述方案，所述方法还包括：当所述第二参考电压无法正确解码所述存储数据时，提取所述存储数据对应的第一存储电压；根据所述第一存储电压在所述第一存储区域的第一分布特征，确定出能够正确解码所述存储数据的第三参考电压；将所述第三参考电压与各所述第二参考电压进行比较；利用与所述第三参考电压最接近的所述第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因。基于上述方案，所述根据所述第一存储电压在所述第一存储区域的第一分布特征，确定出能够正确解码所述存储数据的第三参考电压，包括：获取第一均值电压；其中，所述第一均值电压为同一符号对应的至少两个所述第一存储电压的均值电压；获取不同符号对应的第一均值电压的高斯分布曲线；将不同符号的高斯分布曲线的交叉点电压，作为所述第三参考电压。基于上述方案，所述方法还包括：预先获取包括多组所述第二参考电压的重读电压序列及与各所述第二参考电压对应的错误成因。基于上述方案，所述获取包括多组所述第二参考电压的重读电压序列及与各所述第二参考电压对应的错误成因，包括：以知晓错误成因的第三存储区域为分析对象，提取出所述第三存储区域的第二存储电压；分析所述第二存储电压的第二分布特征，确定出区分不同符号的所述第二参考电压；记录所述第二参考电压形成所述重读电压序列；对应记录与所述第二参考电压对应的错误成因。基于上述方案，所述分析所述第二存储电压的第二分布特征，确定出区分不同符号的所述第二参考电压，包括：获取第二均值电压；其中，所述第二均值电压为同一错误成因且同一符号对应的至少两个所述第二存储电压的均值电压；获取不同符号对应的第二均值电压的高斯分布曲线；将不同符号的高斯分布曲线的交叉点电压，作为所述第二参考电压。本专利技术实施例第二方面提供一种存储设备，包括存储介质和与所述存储介质连接的处理器；所述存储介质至少包括第一存储区域；所述处理器，用于基于第一参考电压读取所述第一存储区域中的存储数据；当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域的存储数据时，利用第二参考电压对所述存储数据进行解码；根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因；根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理。基于上述方案，所述存储介质还包括第二存储区域；所述处理器，具体用于当所述错误成因表示导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的是不可恢复错误时，将所述存储数据迁移到所述第二存储区域并将所述第一存储区域设置为禁用存储区域；其中，所述第二存储区域不同于所述第一存储区域。基于上述方案，所述处理器，具体用于当所述错误成因表示导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的是可恢复错误时，对所述第一存储区域执行预设恢复操作。基于上述方案，所述处理器，还用于当所述第二参考电压无法正确解码所述存储数据时，提取所述存储数据对应的第一存储电压；根据所述第一存储电压在所述第一存储区域的第一分布特征，确定出能够正确解码所述存储数据的第三参考电压；将所述第三参考电压与各所述第二参考电压进行比较；利用与所述第三参考电压最接近的所述第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因。基于上述方案，所述处理器，具体用于获取第一均值电压；其中，所述第一均值电压为同一符号对应的至少两个所述第一存储电压的均值电压；获取不同符号对应的第一均值电压的高斯分布曲线；将不同符号的高斯分布曲线的交叉点电压，作为所述第三参考电压。基于上述方案，所述处理器，还用于预先获取包括多组所述第二参考电压的重读电压序列及与所述第二参考电压对应的错误成因。基于上述方案，所述处理器，还用于以知晓错误成因的第三存储区域为分析对象，提取出所述第三存储区域的第二存储电压；分析所述第二存储电压的第二分布特征，确定出区分不同符号的所述第二参考电压；记录所述第二参考电压形成所述重读电压序列；对应记录与所述第二参考电压对应的错误成因。基于上述方案，所述处理器，具体用于获取第二均值电压；其中，所述第二均值电压为同一错误成因且同一符号对应的至少两个所述第二存储电压的均值电压；获取不同符号对应的第二均值电压的高斯分布曲线；将不同符号的高斯分布曲线的交叉点电压，作为所述第二参考电压。本专利技术实施例提供的信息处理方法及存储设备，当第一参考电压无法正确解码存储数据时，将利用第二参考电压来解码存储数据，并会根据解码正确的第二参考电压，确定出错误成因，一旦确定出错误成因就执行相应的预设处理，这样就可以减少存储区域出现了错误，不能及时发现导致的存储可靠性低，以及存储区域的错误不能及时恢复或不可用的存储区域并没有及时禁用导致的存储可靠性低的问题。这样在存储区域使用的过程中，存储了默认的i第一参考电压无法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种信息处理方法，包括：基于第一参考电压读取第一存储区域中的存储数据；当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域的存储数据时，利用第二参考电压对所述存储数据进行解码；根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因；根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理。

【技术特征摘要】
1.一种信息处理方法，包括：基于第一参考电压读取第一存储区域中的存储数据；当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域的存储数据时，利用第二参考电压对所述存储数据进行解码；根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因；根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理，包括：当所述错误成因表示导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的是不可恢复错误时，将所述存储数据迁移到第二存储区域并将所述第一存储区域设置为禁用存储区域；其中，所述第二存储区域不同于所述第一存储区域。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理，包括：当所述错误成因表示导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的是可恢复错误时，对所述第一存储区域执行预设恢复操作。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：当所述第二参考电压无法正确解码所述存储数据时，提取所述存储数据对应的第一存储电压；根据所述第一存储电压在所述第一存储区域的第一分布特征，确定出能够正确解码所述存储数据的第三参考电压；将所述第三参考电压与各所述第二参考电压进行比较；利用与所述第三参考电压最接近的所述第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一存储电压在所述第一存储区域的第一分布特征，确定出能够正确解码所述存储数据的第三参考电压，包括：获取第一均值电压；其中，所述第一均值电压为同一符号对应的至少两个所述第一存储电压的均值电压；获取不同符号对应的第一均值电压的高斯分布曲线；将不同符号的高斯分布曲线的交叉点电压，作为所述第三参考电压。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：预先获取包括多组所述第二参考电压的重读电压序列及与各所述第二参考电压对应的错误成因。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述获取包括多组所述第二参考电压的重读电压序列及与各所述第二参考电压对应的错误成因，包括：以知晓错误成因的第三存储区域为分析对象，提取出所述第三存储区域的第二存储电压；分析所述第二存储电压的第二分布特征，确定出区分不同符号的所述第二参考电压；记录所述第二参考电压形成所述重读电压序列；对应记录与所述第二参考电压对应的错误成因。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述分析所述第二存储电压的第二分布特征，确定出区分不同符号的所述第二参考电压，包括：获取第二均值电压；其中，所述第二均值电压为同一错误成因且同一符号对应的至少两个所述第二存储电压的均值电压；获取不同符号对应的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：滕鹏，王倩，
申请(专利权)人：联想北京有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11