电子封装件及其制法制造技术

一种电子封装件及其制法，该电子封装件包括：具有相对的第一侧与第二侧的线路结构、设于该第一侧上的电子元件、设于该第一侧上以包覆该电子元件的封装胶体、形成于部分该第二侧上的介电层、以及设于该介电层与该线路结构上的金属结构，其中，该金属结构包含第一金属层与第二金属层，该金属结构藉其第一金属层结合至该线路结构上，且该第二金属层形成于该第一金属层与该介电层上，以藉由该线路结构取代现有硅板体，故无需制作现有导电硅穿孔，因而大幅降低制程难度及制作成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种封装制程，尤指一种节省制作成本的电子封装件及其制法。
技术介绍
随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。目前应用于晶片封装领域的技术，例如晶片尺寸构装(Chip Scale Package，简称CSP)、晶片直接贴附封装(Direct Chip Attached，简称DCA)或多晶片模组封装(Multi-Chip Module，简称MCM)等覆晶型态的封装模组、或将晶片立体堆迭化整合为三维积体电路(3D IC)晶片堆迭技术等。图1A至图1F为现有3D晶片堆迭的半导体封装件1的制法的剖面示意图。如图1A所示，提供一具有相对的转接侧10b与置晶侧10a的硅板体10，且该硅板体10的置晶侧10a上形成有多个穿孔100。如图1B所示，将绝缘材102与导电材(如铜材)填入该些穿孔100中以形成导电硅穿孔(Through-silicon via，简称TSV)101。接着，于该置晶侧10a上形成一电性连接该导电硅穿孔101的线路重布层(Redistribution layer，简称RDL)。具体地，该RDL的制法，其包括形成一介电层11于该置晶侧10a上，再形成一线路层12于该介电层11上，且该线路层12形成有多个位于该介电层11中并电性连接该导电硅穿孔101的导电盲孔120，之后形成一防焊层13于该介电层11与该线路层12上，且该防焊层13外露部分该线路层12。另外，可结合多个焊锡凸块14于该线路层12的外露表面上。如图1C所示，以机械研磨方式配合化学机械研磨(Chemical-Mechanical Polishing，简称CMP)方式研磨该转接侧10b
的部分材质，使该些导电硅穿孔101的端面外露于该转接侧10b’。如图1D所示，形成另一防焊层15于该转接侧10b’上，且该防焊层15外露该些导电硅穿孔101的端面，再结合多个导电元件16于该些导电硅穿孔101的端面上，且该导电元件16电性连接该导电硅穿孔101，其中，该导电元件16含有焊锡材料或铜凸块，且可选择性含有凸块底下金属层(Under Bump Metallurgy，简称UBM)160。如图1E所示，沿如图1D所示的切割路径S进行切单制程，以获取多个硅中介板(Through Silicon interposer，简称TSI)1a，再将该硅中介板1a以其导电元件16设于一封装基板19上，使该封装基板19电性连接该些导电硅穿孔101。具体地，该封装基板19是以间距较大的电性接触垫190结合该些导电元件16，使该些导电元件16电性连接该些导电硅穿孔101，再以底胶191包覆该些导电元件16。如图1F所示，将具有间距较小的电极垫的多个半导体晶片17设置于该些焊锡凸块14上，使该半导体晶片17电性连接该线路层12。具体地，该半导体晶片17以覆晶方式结合该些焊锡凸块14，再以底胶171包覆该些焊锡凸块14。接着，形成封装材18于该封装基板19上，以令该封装材18包覆该半导体晶片17与该硅中介板1a。最后，形成多个焊球192于该封装基板19的下侧，以供接置于一如电路板的电子装置(图略)上。惟，现有半导体封装件1的制法中，使用硅中介板1a作为半导体晶片17与封装基板19之间讯号传递的介质，因需具备一定深宽比的控制(即该导电硅穿孔101的深宽比为100um/10um)，才能制作出适用的硅中介板1a，因而往往需耗费大量制程时间及化学药剂的成本，导致制作成本难以降低。此外，于进行CMP制程时，该导电硅穿孔101的铜离子会渗入该硅板体10中，但由于该硅板体10为半导体材，所以各该导电硅穿孔101之间会产生桥接或漏电等问题。又，现有电子封装件1因具有硅中介板1a而使整体厚度增加，故不利于薄型化的需求。因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成目前亟欲解决
的课题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的种种缺失，本专利技术提供一种电子封装件及其制法，能大幅降低制程难度及制作成本。本专利技术的电子封装件，包括：线路结构，其具有相对的第一侧与第二侧；至少一电子元件，其设于该线路结构的第一侧上；封装胶体，其设于该线路结构的第一侧上，以包覆该电子元件；介电层，其形成于该线路结构的第二侧上，且该介电层外露部分该线路结构的第二侧；以及金属结构，其设于该介电层与该线路结构外露的部分第二侧上，并包含第一金属层与第二金属层，其中，该金属结构藉其第一金属层结合至该线路结构上，且该第二金属层形成于该第一金属层与该介电层上。本专利技术还提供一种电子封装件的制法，其包括：提供一具有相对的第一侧与第二侧的线路结构；结合至少一电子元件于该线路结构的第一侧上；形成封装胶体于该线路结构的第一侧上，以包覆该电子元件；形成介电层于该线路结构的第二侧上，其中，部分该线路结构的第二侧外露于该介电层；以及形成金属结构于该介电层与该线路结构外露的部分第二侧上，其中，该金属结构包含第一金属层与第二金属层，供该金属结构藉其第一金属层结合至该线路结构上，且该第二金属层形成于该第一金属层与该介电层上。前述的制法中，该介电层形成有多个外露部分该线路结构的开孔，且形成该金属结构的方式为先溅镀该第一金属层于该开孔的底面上，再溅镀该第二金属层于该第一金属层、该开孔的侧壁面与该介电层上。前述的电子封装件及其制法中，该线路结构包含相迭的多个绝缘层与多个线路层，且该电子元件电性连接该线路层。例如，该线路结构的制程为双镶崁结构且一次成型。前述的电子封装件及其制法中，该线路结构的第二侧具有多个外露于该介电层的电性接触垫，且该第一金属层形成于该些电性接触垫上。前述的电子封装件及其制法中，该封装胶体外露该电子元件的部
分表面。前述的电子封装件及其制法中，该介电层为聚苯恶唑或光阻材所形成者。前述的电子封装件及制法中，该第一金属层为钛层，且该第二金属层为铜层。前述的电子封装件及制法中，还包括设置基板于该封装胶体上。前述的电子封装件及制法中，还包括形成至少一导电通孔于该封装胶体中，其中，该导电通孔电性连接该线路结构。又包括设置基板于该封装胶体上，其中，该基板电性连接该导电通孔。另外，前述的电子封装件及制法中，还包括设于该金属结构上的多个导电元件。由上可知，本专利技术的电子封装件及其制法，主要藉由线路结构取代现有硅板体，并利用线路结构作为电子元件与封装基板之间讯号传递的介质，故无需制作现有导电硅穿孔，因而大幅降低制程难度及制作成本，且能避免现有各该导电硅穿孔间所产生桥接或漏电等的问题。此外，本专利技术因没有使用硅中介板，故能降低整体封装件的厚度，以利于薄型化的需求。附图说明图1A至图1F为现有电子封装件的制法的剖面示意图；图2A至图2G为本专利技术的电子封装件的制法的剖面示意图；其中，图2F’为图2F的局部放大图；以及图3A至图3B为本专利技术的电子封装件的制法的另一实施例的剖面示意图。符号说明1 电子封装件1a 硅中介板10 硅板体10a 置晶侧10b,10b’ 转接侧100 穿孔101 导电硅穿孔102 绝缘材11 介电层12 线路层120 导电盲孔13,15 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子封装件，其特征为，该电子封装件包括：线路结构，其具有相对的第一侧与第二侧；至少一电子元件，其设于该线路结构的第一侧上；封装胶体，其设于该线路结构的第一侧上，以包覆该电子元件；介电层，其形成于该线路结构的第二侧上，且该介电层外露部分该线路结构的第二侧；以及金属结构，其设于该介电层与该线路结构外露的部分第二侧上，并包含第一金属层与第二金属层，其中，该金属结构藉其第一金属层结合至该线路结构上，且该第二金属层形成于该第一金属层与该介电层上。

【技术特征摘要】
2015.05.04 TW 1041141121.一种电子封装件，其特征为，该电子封装件包括：线路结构，其具有相对的第一侧与第二侧；至少一电子元件，其设于该线路结构的第一侧上；封装胶体，其设于该线路结构的第一侧上，以包覆该电子元件；介电层，其形成于该线路结构的第二侧上，且该介电层外露部分该线路结构的第二侧；以及金属结构，其设于该介电层与该线路结构外露的部分第二侧上，并包含第一金属层与第二金属层，其中，该金属结构藉其第一金属层结合至该线路结构上，且该第二金属层形成于该第一金属层与该介电层上。2.如权利要求1所述的电子封装件，其特征为，该线路结构包含相迭的多个绝缘层与多个线路层，且该电子元件电性连接该线路层。3.如权利要求1所述的电子封装件，其特征为，该线路结构的第二侧具有多个外露于该介电层的电性接触垫，且该第一金属层结合至该些电性接触垫上。4.如权利要求1所述的电子封装件，其特征为，该封装胶体外露该电子元件的部分表面。5.如权利要求1所述的电子封装件，其特征为，该介电层为聚苯恶唑或光阻材所形成者。6.如权利要求1所述的电子封装件，其特征为，该第一金属层为钛层。7.如权利要求1所述的电子封装件，其特征为，该第二金属层为铜层。8.如权利要求1所述的电子封装件，其特征为，该电子封装件还包括设于该封装胶体上的基板。9.如权利要求1所述的电子封装件，其特征为，该电子封装件还包括形成于该封装胶体中的至少一导电通孔，其中，该导电通孔电性连接该线路结构。10.如权利要求9所述的电子封装件，其特征为，该电子封装件还包括设于该封装胶体上的基板，其中，该基板电性连接该导电通孔。11.如权利要求1所述的电子封装件，其特征为，该电子封装件还包括设于该金属结构上的多个导电元件。12.一种电子封装件的制法，其特征为，该制法包括：提供一具有相对的第一侧与第二侧的线路结构；结合至少一电子元件于该线路结构的第一侧上；形成封装胶体于该线路结...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄晓君，陈贤文，陈仕卿，马光华，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71