本发明专利技术涉及一种多赫蒂功率放大器。根据本发明专利技术构思的示例性实施例的多赫蒂功率放大器可包括:功率分配器,将输入信号分解为第一分解信号和第二分解信号;载波放大器,放大所述第一分解信号;峰化放大器,放大所述第二分解信号,其中,所述功率分配器按照以下方式来分解所述输入信号,所述方式为:所述第一分解信号与所述第二分解信号的比值根据所述输入信号的功率而彼此不同。
【技术实现步骤摘要】
本申请要求于2015年5月29日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0076637号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国申请的公开通过引用包含于此。
本专利技术构思涉及一种多赫蒂(Doherty)功率放大器。
技术介绍
已经产生对于具有高水平效率的功率放大器的需求,以便通过降低电池功率损耗实现电子装置的长期使用。为了满足对于功率放大器的高水平效率的需求,Doherty功率放大器已被广泛使用。在这样的Doherty功率放大器中,适当地向载波放大器和峰化放大器分配输入信号以便获得高水平效率可能是重要的。在根据相关领域的Doherty功率放大器中,可使用λ/4线路向载波放大器和峰化放大器分配输入信号。然而,在这种根据相关领域的Doherty功率放大器中,输入信号的功率水平可被持续地、等同地分配到载波放大器和峰化放大器。因此,在峰化放大器不工作的情况下,可能无需将功率转移到峰化放大器。
技术实现思路
本专利技术构思的一个方面提供了一种多赫蒂功率放大器,所述多赫蒂功率放大器根据输入信号的功率级的变化来改变所述输入信号的转移到载波放大器和峰化放大器的功率级。根据本专利技术构思的一个方面,一种多赫蒂功率放大器可包括:功率分配器,将输入信号分解为第一分解信号和第二分解信号;载波放大器,放大所述第一分解信号;峰化放大器,放大所述第二分解信号,其中,所述功率分配器按照以下方式来分解所述输入信号,所述方式为:所述第一分解信号与
所述第二分解信号的比值根据所述输入信号的功率级而彼此不同。根据本专利技术构思的另一个方面,一种多赫蒂功率放大器可包括:功率分配器,将输入信号分解为第一分解信号和第二分解信号;载波放大器,放大所述第一分解信号;峰化放大器,放大所述第二分解信号;其中,所述多赫蒂功率放大器包括:第一变压器,输出所述第一分解信号,第二变压器,输出所述第二分解信号。附图说明通过下面参照附图进行的详细描述,本专利技术构思的以上和其它方面、特征和其它优势将更清楚地被理解,其中:图1是根据本专利技术构思的示例性实施例的Doherty功率放大器的框图;图2是在图1中示出的Doherty功率放大器的电路图;图3是示出在图1中示出的功率分配器的示例的电路图;图4是示出在图3中示出的晶体管的电阻值的曲线图;图5是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的在Doherty功率放大器中的载波放大路径的函数和峰化放大路径的函数的曲线图。具体实施方式在下文中,将参照附图来如下描述本专利技术构思的实施例。然而,本专利技术构思可用许多不同形式举例说明并且不应该被解释为局限于在此阐述的特定实施例。更确切地,提供这些实施例使得本公开将是彻底和完全的,并且将把本公开的范围充分传达给本领域的技术人员。贯穿本说明书,将理解的是,当元件(诸如,层、区域或晶片(基片))被称作“在另一元件上”、“连接到”、或者“结合到”另一元件时,该元件可以直接“在另一元件上”、“连接到”、或者“结合到”其它元件,或者可能存在介入其中间的其它元件。相反地,当元件被称作“直接在另一元件上”、“直接连接到”、或者“直接结合到”另一元件时,不存在介入其中间的元件或层。如在此所使用的,术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意和全部组合。将清楚的是,尽管在这里可以使用术语第一、第二、第三等来描述各种构件、组件、区域、层和/或部分,但是这些构件、组件、区域、层和/或部分
不应该受这些术语限制。这些术语只是用来将一个构件、组件、区域、层或部分与另一个构件、组件、区域、层或部分区分开来。因此,在不脱离示例性实施例的教导的情况下,下面讨论的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可被命名为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。为了便于描述,在这里可以使用空间相对术语诸如“上方”、“上面”、“下方”和“下面”等来描述如图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是,除了在图中描述的方位之外,空间相对术语意在还包含装置在使用或操作时的不同方位。例如,如果图中的装置被翻转,则被描述为在其它元件或特征“上方”或“上面”的元件随后将被定位为在其它元件或特征“下方”或“下面”。因此,术语“上方”可以包含根据附图的特定方向的上方和下方的两种方位。所述装置可以被另外定位(旋转90度或者在其它方位),并且可相应地解释这里使用的空间相对描述符。这里使用的术语只是用于描述特定实施例,而不意图限制本专利技术构思。如这里所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式“一”、“一个”和“该/所述”也意图包括复数形式。还将理解的是,当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时,说明存在所述特征、整体、步骤、操作、构件、元件和/或它们的组,但不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、构件、元件和/或它们的组。以下,将参照示出本专利技术构思的实施例的示意图来描述本专利技术构思的实施例。例如,在附图中,由于制造技术和/或容差,示出的形状的变型可被估计。因此,本专利技术构思的实施例不应被解释为受限于在此示出的特定形状的区域,例如,以包括在制造上导致的形状上的改变。下面的实施例还可由一个实施例或者其结合构成。下面描述的本专利技术构思的内容具有各种配置,且在此仅提供需求的配置,但不限于此。图1是根据本专利技术构思的示例性实施例的Doherty功率放大器的框图。参照图1,Doherty功率放大器100可包括功率分配器110、载波放大器120和峰化放大器130。功率分配器110可将输入信号分解为第一分解信号DS1和第二分解信号DS2。在示例性实施例中,功率分配器110可按照以下方式来分解输入信号,所述方式为第一分解信号DS1与第二分解信号DS2的比值根据输入信号的功率级而彼此不同。在示例性实施例中,功率分配器110可使用多个变压器来输出第一分解信号DS1和第二分解信号DS2。将参考图2至图3来进一步地描述功率分配器110的各种示例。第一分解信号DS1可被输出到载波放大器120,且载波放大器120可放大第一分解信号DS1。第二分解信号DS2可被输出到峰化放大器130,且峰化放大器130可放大第二分解信号DS2。从载波放大器120输出的载波放大信号和从峰化放大器130输出的峰化放大信号可由匹配电路等进行后处理,以进行输出。然而,由于在载波放大器120和峰化放大器130的输出端之后的配置可根据实施例进行不同的改进,所以可能不特别受限于本专利技术构思。图2是在图1中示出的Doherty功率放大器的电路图。参照图2,Doherty功率放大器100可包括功率分配器110、载波放大器120和峰化放大器130。根据示例性实施例,Doherty功率放大器100还可包括激励放大器140。从激励放大器140输出的信号(在此,称作“输入信号”)可被输入到功率分配器110。功率分配器110可接收输入信号,且可向载波放大器120或者向载波放大器120和峰化放大器130提供分解信号。功率分配器110可按照以下方式分解输入信号,所述方式为第一分解信号与第二分解信号的比值根据输入信号的功率级而彼此不同。例如,根据输入信号的大小,可仅通过载波放大路径(路径1)来执行放大,或者,可通过载波放大路径(路径1)和峰化放大路径(路径2)两者来执行放大。在示例性实施例,当输本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种多赫蒂功率放大器,包括:功率分配器,将输入信号分解为第一分解信号和第二分解信号;载波放大器,放大所述第一分解信号;峰化放大器,放大所述第二分解信号,其中,所述功率分配器按照以下方式来分解所述输入信号,所述方式为:所述第一分解信号与所述第二分解信号的比值根据所述输入信号的功率级而彼此不同。
【技术特征摘要】
2015.05.29 KR 10-2015-00766371.一种多赫蒂功率放大器,包括:功率分配器,将输入信号分解为第一分解信号和第二分解信号;载波放大器,放大所述第一分解信号;峰化放大器,放大所述第二分解信号,其中,所述功率分配器按照以下方式来分解所述输入信号,所述方式为:所述第一分解信号与所述第二分解信号的比值根据所述输入信号的功率级而彼此不同。2.根据权利要求1所述的多赫蒂功率放大器,其中,当所述输入信号的功率级小于阈值时,所述功率分配器将所述输入信号作为所述第一分配信号进行输出。3.根据权利要求1所述的多赫蒂功率放大器,其中,当所述输入信号的功率级等于或大于阈值时,所述功率分配器将所述输入信号等同地分解为所述第一分解信号和所述第二分解信号。4.根据权利要求1所述的多赫蒂功率放大器,其中,所述多赫蒂功率放大器包括:第一变压器,输出所述第一分解信号,第二变压器,输出所述第二分解信号。5.根据权利要求4所述的多赫蒂功率放大器,其中,所述第一变压器在初级侧串联连接到所述第二变压器。6.根据权利要求4所述的多赫蒂功率放大器,其中,所述第一变压器包括具有固定电容的第一谐振回路,所述第二变压器包括具有可变电容的第二谐振回路。7.根据权利要求6所述的多赫蒂功率放大器,其中,当所述输入信号的功率级小于阈值时,所述第二谐振回路具有与所述输入信号的频率不同的谐振频率。8.根据权利要求6所述的多赫蒂功率放大器,其中,当所述输入信号的功率级等于或大于阈值时,所述第二谐振回路具有与所述输入信号的频率相近的谐振频率。9.根据权利要求4所述的多赫蒂功率放大器,其中,所述第二变压器包
\t括:次级线圈;第一电容器,并联连接到所述次级线圈;第二电容器,所述第二电容器...
【专利技术属性】
技术研发人员:金基哲,金奎锡,洪圣喆,
申请(专利权)人:三星电机株式会社,韩国科学技术院,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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