掩模框架组件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了掩模框架组件及其制造方法。本发明专利技术包括框架和沉积掩模，其中，所述框架具有开口部和围绕所述开口部的支承部，所述沉积掩模包括位于与所述开口部对应的位置处的沉积区域，所述沉积掩模具有第一掩模和第二掩模，所述第一掩模形成有供沉积物质通过的第一开口，所述第二掩模与所述第一掩模的一面连接并形成有与所述第一开口对应的第二开口。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施方式涉及在薄膜沉积中所使用的掩模框架组件及其制造方法。
技术介绍
通常，作为有源发光型显示元件，作为平坦式显示器之一的有机发光显示装置不仅具有视角宽、对比度优异的优点，而且还具有能够通过低电压驱动、呈轻量的扁平状并且响应速度快的优点，由此作为下一代显示元件而备受瞩目。这种发光元件根据形成发光层的物质划分为无机发光元件和有机发光元件，并且相比于无机发光元件，有机发光元件具有亮度、响应速度等特性优秀、能够以彩色显示等的优点，因此对其的开发最近广为进行。有机发光显示装置通过真空沉积法形成有机膜和/或电极。然而，随着有机发光显示装置逐渐被高分辨率化，沉积工艺中所用的掩模的开放式狭缝(open slit)的宽度逐渐变窄并且其散布也需要被进一步减小。此外，为了制造高分辨率有机发光显示装置，需要减少或去除阴影现象(shadow effect)。为此，目前在衬底与掩模紧贴的状态下进行沉积工艺，并且正在兴起用于改善衬底与掩模的附接度的技术的开发。上述的
技术介绍
是专利技术人为得出本专利技术而拥有的技术信息或者在得出本专利技术的过程中习得的技术信息，并不一定是在本专利技术的申请前已公开于一般公众的公知技术。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供掩模框架组件及其制造方法。根据本专利技术的一方面，提供掩模框架组件，所述掩模框架组件包括框架和沉积掩模，其中，所述框架具有开口部和围绕所述开口部的支承
部，所述沉积掩模包括位于与所述开口部对应的位置处的沉积区域，其中，所述沉积掩模包括第一掩模和第二掩模，所述第一掩模形成有供沉积物质通过的第一开口，所述第二掩模与所述第一掩模的一面连接并且形成有与所述第一开口对应的第二开口。此外，所述第一掩模的厚度可形成为厚于所述第二掩模的厚度。此外，所述第一开口的大小可形成为沿着从沉积源朝着沉积物质通过的方向变小。此外，所述第二开口的大小可形成为小于所述第一开口的大小。此外，所述第一开口的表面可以彼此面对的表面弯曲的形式形成，而所述第二开口的表面可以彼此面对的表面平坦的形式形成。此外，所述第二掩模可通过非电解镀层工艺或电解镀层工艺形成。此外，所述第一掩模和所述第二掩模可由不同的物质形成，并且所述第一开口可通过选择性地仅蚀刻所述第一掩模而形成。根据本专利技术的另一方面，提供掩模框架组件制造方法，所述掩模框架组件制造方法包括以下步骤：通过非电解镀层工艺或电解镀层工艺在第一掩模的上面形成具有第二开口的第二掩模；蚀刻所述第一掩模的下面以形成与所述第二开口对应的第一开口；以及将所述第一掩模和所述第二掩模接合到具有开口部和支承部的框架上。此外，形成所述第二掩模的步骤可包括以下步骤：在所述第一掩模的上面形成第一光刻胶图案；用与所述第一掩模不同的物质填充所述第一光刻胶图案之间的空间；以及去除所述第一光刻胶图案。此外，所述第一光刻胶图案可通过光刻工艺来形成。此外，所述第二开口可形成在所述第一光刻胶图案被去除的位置。此外，蚀刻所述第一掩模的步骤可包括以下步骤：在所述第一掩模的下面形成第二光刻胶图案；使用用于蚀刻所述第一掩模的蚀刻剂(Etchant)形成所述第一开口；以及去除所述第二光刻胶图案。此外，所述第二光刻胶图案与所述第二开口可被交替地布置。此外，所述蚀刻剂可仅蚀刻所述第一掩模。此外，在形成所述第一开口的步骤中，可通过调节所喷射的所述蚀刻剂的喷射速度来调节所述第一开口的形状。此外，所述第一开口的大小可沿着从沉积源朝着沉积物质通过的方向变小。此外，所述第二开口的大小可形成为小于所述第一开口的大小。此外，所述第一开口的表面可以彼此面对的表面弯曲的形式形成，所述第二开口的表面可以彼此面对的表面平坦的形式形成。此外，所述第一掩模的厚度可形成为厚于所述第二掩模的厚度。通过下面的附图、权利要求书和专利技术的详细说明，除了上述以外的其他方面、特征、优点将变得明确。根据本专利技术的实施方式，掩模框架组件及其制造方法能够最小化衬底与沉积掩模之间的间隔以精密地将有机发光元件形成在衬底上。附图说明图1是示出根据本专利技术的实施方式的掩模框架组件的立体图。图2是沿图1的Ⅱ-Ⅱ取得的剖视图。图3a至图3c是示出图1的沉积掩模的制造方法的剖视图。图4是示出根据本专利技术的另一实施方式的沉积掩模的剖视图。图5是示出具有图1的掩模框架组件的沉积装置的剖视图。图6是示出使用图5中示出的沉积装置制造的有机发光显示器件的视图。具体实施方式本专利技术可以实施多种变型并且可以具有多种实施方式，并且旨在附图中示出特定实施方式并对其进行详细说明。通过参照结合附图详细说明的实施方式，本专利技术的效果和特征以及实现其的方法将变得明确。然而，本专利技术并不限于下面所公开的实施方式，而是可以多种形态实现。在下面的实施方式中，“第一”、“第二”等的措辞并不具有限定的含义，而是以将一个构成要素与其他构成要素区分开的目的使用。此外，除非文中另有明确指示，否则单数的表述包括复数的表述。此外，“包括”或“具有”等的措辞是指说明书中所述记载的特征或构成要素的存在，而不是提前排除一个以上的其他特征或构成要素的附加可能性。此外，为了说明的便利，附图中构成要素的大小可以被夸大或被缩小。例如，为了说明的便利，附图中所示的各构件的大小和厚度被任意示出，因此本专利技术并不一定限定于图中所示。此外，当能够以不同的方式实现某些实施方式时，特定的工艺可以按照与所说明的顺序不同的顺序执行。例如，连续说明的两个工艺可以实质上同时执行，也可以按照与所说明的顺序相反的顺序进行。下面，将参照附图对本专利技术的实施方式进行详细说明，并且在参照附图进行说明时，将对相同或对应的构成要素赋予相同的附图标记，并且将省略对其的重复描述。图1是示出根据本专利技术的实施方式的掩模框架组件10的立体图，图2是沿图1的Ⅱ-Ⅱ取得的剖视图。参照图1和图2，掩模框架组件10可包括沉积掩模100和供沉积掩模100安装的框架200。沉积掩模100可具有沉积区域101和形成于沉积区域101外侧的边缘部102。沉积区域101可具有沉积用图案。沉积区域101布置成与框架200的开口部205相对应，以使得通过开口部205的沉积物质能够通过沉积用图案并沉积到衬底上。沉积区域101被示出为具有以多个点(DOT)形状形成的掩模图案。然而，本专利技术并不限于此，并且本领域的技术人员应理解，能够实施各种变形例。即，沉积区域101中可具有维持前面被开放的状态的掩模图案、或者具有狭缝形状的掩模图案。图1中示出的沉积用图案的数量、布置位置或形状仅仅为一种示例，本专利技术并不限于此。沉积掩模100可由单张形态的一个大型部件形成并接合到框架200上。此外，可由多个条状分割掩模形成以分散沉积掩模100的自身重量。然而，为了说明的便利，下文中将主要对由条状分割掩模形成的情况进行说明。沉积掩模100可包括下表面与框架200连接的第一掩模110和与第一掩模110的上表面连接的第二掩模120。第一掩模110可具有多个第一开口111和形成于第一开口111之间的第一肋112。第一开口111可形成为使其开口的大小沿着第一掩模110高度
方向增加。具体地，第一开口111具有供沉积物质流入的流入部和与第二开口121连接的流出部。第一开口111的大小随着从上述流入部移至上述流出部而变小，以能够容易地收集沉积物质(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩模框架组件，包括：框架，具有开口部和围绕所述开口部的支承部；以及沉积掩模，包括位于与所述开口部对应的位置处的沉积区域，其中，所述沉积掩模包括：第一掩模，形成有供沉积物质通过的第一开口；以及第二掩模，与所述第一掩模的一面连接，并且形成有与所述第一开口对应的第二开口。

【技术特征摘要】
2014.11.21 KR 10-2014-01638151.一种掩模框架组件，包括：框架，具有开口部和围绕所述开口部的支承部；以及沉积掩模，包括位于与所述开口部对应的位置处的沉积区域，其中，所述沉积掩模包括：第一掩模，形成有供沉积物质通过的第一开口；以及第二掩模，与所述第一掩模的一面连接，并且形成有与所述第一开口对应的第二开口。2.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述第一掩模的厚度形成为厚于所述第二掩模的厚度。3.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述第一开口的大小沿着从沉积源朝着沉积物质通过的方向变小。4.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述第二开口的大小小于所述第一开口的大小。5.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述第一开口的表面以彼此面对的表面弯曲的形式形成，所述第二开口的表面以彼此面对的表面平坦的形式形成。6.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述第二掩模通过非电解镀层工艺或电解镀层工艺形成。7.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述第一掩模和所述第二掩模由不同的物质形成，所述第一开口通过选择性地仅蚀刻所述第一掩模而形成。8.一种掩模框架组件制造方法，包括以下步骤：通过非电解镀层工艺或电解镀层工艺在第一掩模的上面形成具有第二开口的第二掩模；蚀刻所述第一掩模的下面以形成与所述第二开口对应的第一开口；以及将所述第一掩模和所述第二掩模接合到具有开口部和支承部的框架上。9.如权利要求8所述的掩模框架组件制造方法，其中，形成所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：全志妍，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR