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一种高致密性压电陶瓷材料的制备方法技术

技术编号:14143433 阅读:85 留言:0更新日期:2016-12-10 19:32
本发明专利技术公开了一种高致密性压电陶瓷材料的制备方法,属于压电陶瓷材料制备技术领域。本发明专利技术利用废弃硅酸盐玻璃球磨后,与碳酸钾、碳酸钠等混合研磨,再球磨过滤得滤饼,干燥后经二次煅烧制得高致密性压电陶瓷材料。本发明专利技术的有益效果是:本发明专利技术制备步骤简单,充分利用废弃硅酸盐玻璃制备压电陶瓷材料,有效解决了其居里温度较低、工作温区较窄、矫顽场较高问题,实现了资源可循环利用;所得产品致密性高,压电性能高,介电损耗降低为0.4~0.7%。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高致密性压电陶瓷材料的制备方法,属于压电陶瓷材料制备

技术介绍
压电陶瓷是一种能够将机械能和电能互相转换的信息功能陶瓷材料-压电效应,压电陶瓷除具有压电性外,还具有介电性、弹性等,已被广泛应用于医学成像、声传感器、声换能器、超声马达等。压电陶瓷利用其材料在机械应力作用下,引起内部正负电荷中心相对位移而发生极化,导致材料两端表面出现符号相反的束缚电荷即压电效应而制作,具有敏感的特性,压电陶瓷主要用于制造超声换能器、水声换能器、电声换能器、陶瓷滤波器、陶瓷变压器、陶瓷鉴频器、高压发生器、红外探测器、声表面波器件、电光器件、引燃引爆装置和压电陀螺等,除了用于高科技领域,它更多的是在日常生活中为人们服务,为人们创造更美好的生活而努力。目前大规模使用的压电陶瓷材料主要是性能优异的以锆钛酸铅(PZT)为基的二元系及多元系陶瓷,但是PbO(或Pb3O4)含量约占其原料总量的70%左右,PbO有毒、高温下具有挥发性,在材料的制备过程中不仅危害环境,使产品一致性和重复性降低,导致陶瓷性能下降。BT基无铅压电陶瓷,由于其居里温度较低、工作温区较窄、矫顽场较高,在室温附近存在斜方晶系和四方晶系相变,导致材料致密性差。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题:针对目前压电陶瓷材料,由于其居里温度较低、工作温区较窄、矫顽场较高,导致材料致密性差的弊端,提供了一种利用废弃硅酸盐玻璃球磨后,与碳酸钾、碳酸钠等混合研磨,再球磨过滤得滤饼,干燥后经二次煅烧制得高致密性压电陶瓷材料的方法。本专利技术制备步骤简单,充分利用废弃硅酸盐玻璃制备压电陶瓷材料,有效解决了其居里温度较低、工作温区较窄、矫顽场较高问题,所得产品致密性高。为解决上述技术问题,本专利技术采用如下所述的技术方案是:(1)收集废弃硅酸盐玻璃,将其洗净后自然晾干,再在液压破碎机下破碎,随后将破碎颗粒置于球磨装置中,待球磨1~2h后,收集球磨粉末并过75~80目筛,制备得玻璃粉末;(2)按重量份数计,分别称量25~30份上述制备的玻璃粉末、10~15份碳酸钾、10~15份碳酸钠、5~10份氧化铝、3~5份碳酸钠、1~2份氢氧化钾和65~70份无水乙醇置于研钵中,研磨1~2h后,制备得预研磨浆料;(3)将上述制备的预研磨浆料置于聚四氟乙烯球磨罐中,在450~500r/min下球磨3~5h,随后收集球磨浆液,过滤并收集滤饼,将滤饼置于65~80℃下干燥6~8h;(4)将上述干燥滤饼置于石墨坩埚中,再将石墨坩埚置于管式炉中,在780~880℃下煅烧2~3h,待煅烧完成后,静置冷却至室温,随后对管式炉中通氢气排除空气,再在氢气气氛下,以10℃/min速率程序升温至1180~1200℃,保温煅烧1~2h,待煅烧完成后,静置冷却至室温,即可制备得一种高致密性压电陶瓷材料。本专利技术制得的高致密性压电陶瓷材料居里温度为356~368℃,介电损耗为0.4~0.7%,相对介电常数为1350~1460,机械品质因数为580~860,纵向压电应变常数为256~269PC·N-1,横向压电应变常数为-156~-36PC·N-1。本专利技术与其他方法相比,有益技术效果是:(1)本专利技术制备步骤简单,充分利用废弃硅酸盐玻璃制备压电陶瓷材料,有效解决了其居里温度较低、工作温区较窄、矫顽场较高问题,实现了资源可循环利用;(2)所得产品致密性高,压电性能高,介电损耗降低为0.4~0.7%。具体实施方式首先收集废弃硅酸盐玻璃,将其洗净后自然晾干,再在液压破碎机下破碎,随后将破碎颗粒置于球磨装置中,待球磨1~2h后,收集球磨粉末并过75~80目筛,制备得玻璃粉末;然后按重量份数计,分别称量25~30份上述制备的玻璃粉末、10~15份碳酸钾、10~15份碳酸钠、5~10份氧化铝、3~5份碳酸钠、1~2份氢氧化钾和65~70份无水乙醇置于研钵中,研磨1~2h后,制备得预研磨浆料;再将上述制备的预研磨浆料置于聚四氟乙烯球磨罐中,在450~500r/min下球磨3~5h,随后收集球磨浆液,过滤并收集滤饼,将滤饼置于65~80℃下干燥6~8h;最后将上述干燥滤饼置于石墨坩埚中,再将石墨坩埚置于管式炉中,在780~880℃下煅烧2~3h,待煅烧完成后,静置冷却至室温,随后对管式炉中通氢气排除空气,再在氢气气氛下,以10℃/min速率程序升温至1180~1200℃,保温煅烧1~2h,待煅烧完成后,静置冷却至室温,即可制备得一种高致密性压电陶瓷材料。实例1首先收集废弃硅酸盐玻璃,将其洗净后自然晾干,再在液压破碎机下破碎,随后将破碎颗粒置于球磨装置中,待球磨1h后,收集球磨粉末并过75目筛,制备得玻璃粉末;然后按重量份数计,分别称量25份上述制备的玻璃粉末、10份碳酸钾、10份碳酸钠、5份氧化铝、3份碳酸钠、1份氢氧化钾和65份无水乙醇置于研钵中,研磨1h后,制备得预研磨浆料;再将上述制备的预研磨浆料置于聚四氟乙烯球磨罐中,在450r/min下球磨3h,随后收集球磨浆液,过滤并收集滤饼,将滤饼置于65℃下干燥6h;最后将上述干燥滤饼置于石墨坩埚中,再将石墨坩埚置于管式炉中,在780℃下煅烧2h,待煅烧完成后,静置冷却至室温,随后对管式炉中通氢气排除空气,再在氢气气氛下,以10℃/min速率程序升温至1180℃,保温煅烧1h,待煅烧完成后,静置冷却至室温,即可制备得一种高致密性压电陶瓷材料。本专利技术制备步骤简单,充分利用废弃硅酸盐玻璃制备压电陶瓷材料,有效解决了其居里温度较低、工作温区较窄、矫顽场较高问题,实现了资源可循环利用;所得产品致密性高,压电性能高,介电损耗降低;制得的高致密性压电陶瓷材料居里温度为356℃,介电损耗为0.4%,相对介电常数为1350,机械品质因数为580,纵向压电应变常数为256PC·N-1,横向压电应变常数为-156PC·N-1。实例2首先收集废弃硅酸盐玻璃,将其洗净后自然晾干,再在液压破碎机下破碎,随后将破碎颗粒置于球磨装置中,待球磨2h后,收集球磨粉末并过78目筛,制备得玻璃粉末;然后按重量份数计,分别称量28份上述制备的玻璃粉末、13份碳酸钾、13份碳酸钠、8份氧化铝、4份碳酸钠、2份氢氧化钾和68份无水乙醇置于研钵中,研磨1~2h后,制备得预研磨浆料;再将上述制备的预研磨浆料置于聚四氟乙烯球磨罐中,在475r/min下球磨4h,随后收集球磨浆液,过滤并收集滤饼,将滤饼置于72℃下干燥7h;最后将上述干燥滤饼置于石墨坩埚中,再将石墨坩埚置于管式炉中,在830℃下煅烧3h,待煅烧完成后,静置冷却至室温,随后对管式炉中通氢气排除空气,再在氢气气氛下,以10℃/min速率程序升温至1590℃,保温煅烧2h,待煅烧完成后,静置冷却至室温,即可制备得一种高致密性压电陶瓷材料。本专利技术制备步骤简单,充分利用废弃硅酸盐玻璃制备压电陶瓷材料,有效解决了其居里温度较低、工作温区较窄、矫顽场较高问题,实现了资源可循环利用;所得产品致密性高,压电性能高,介电损耗降低;制得的高致密性压电陶瓷材料居里温度为362℃,介电损耗为0.6%,相对介电常数为1405,机械品质因数为720,纵向压电应变常数为263PC·N-1,横向压电应变常数为-96PC·N-1。实例3首先收集废弃硅酸盐玻璃,将其洗净后自本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高致密性压电陶瓷材料的制备方法,其特征在于具体制备步骤为:(1)收集废弃硅酸盐玻璃,将其洗净后自然晾干,再在液压破碎机下破碎,随后将破碎颗粒置于球磨装置中,待球磨1~2h后,收集球磨粉末并过75~80目筛,制备得玻璃粉末;(2)按重量份数计,分别称量25~30份上述制备的玻璃粉末、10~15份碳酸钾、10~15份碳酸钠、5~10份氧化铝、3~5份碳酸钠、1~2份氢氧化钾和65~70份无水乙醇置于研钵中,研磨1~2h后,制备得预研磨浆料;(3)将上述制备的预研磨浆料置于聚四氟乙烯球磨罐中,在450~500r/min下球磨3~5h,随后收集球磨浆液,过滤并收集滤饼,将滤饼置于65~80℃下干燥6~8h;(4)将上述干燥滤饼置于石墨坩埚中,再将石墨坩埚置于管式炉中,在780~880℃下煅烧2~3h,待煅烧完成后,静置冷却至室温,随后对管式炉中通氢气排除空气,再在氢气气氛下,以10℃/min速率程序升温至1180~1200℃,保温煅烧1~2h,待煅烧完成后,静置冷却至室温,即可制备得一种高致密性压电陶瓷材料。

【技术特征摘要】
1.一种高致密性压电陶瓷材料的制备方法,其特征在于具体制备步骤为:(1)收集废弃硅酸盐玻璃,将其洗净后自然晾干,再在液压破碎机下破碎,随后将破碎颗粒置于球磨装置中,待球磨1~2h后,收集球磨粉末并过75~80目筛,制备得玻璃粉末;(2)按重量份数计,分别称量25~30份上述制备的玻璃粉末、10~15份碳酸钾、10~15份碳酸钠、5~10份氧化铝、3~5份碳酸钠、1~2份氢氧化钾和65~70份无水乙醇置于研钵中,研磨1~2h后,制备得预研磨浆料;(3)将上述制...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴迪盛海丰高玉刚
申请(专利权)人:吴迪
类型:发明
国别省市:江苏;32

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