一种二次硅钢片配电变压器的识别方法技术

本发明专利技术提供了一种二次硅钢片配电变压器的识别方法，包括检测配电变压器的空载损耗P0；控制配电变压器过励磁运行第一预置时间后检测其空载损耗P0'；依据空载损耗P0'和空载损耗P0判断配电变压器的铁芯是否采用劣质二次硅钢片。与现有技术相比，本发明专利技术提供的一种二次硅钢片配电变压器的识别方法，依据配电变压器过励磁运行前后的空载损耗判断配电变压器的铁芯是否采用劣质二次硅钢片，能够在不拆卸、不破坏配电变压器及其铁芯的情况下识别其是否采用劣质二次硅钢片，显著提高了配电变压器质量抽检的工作效率并降低了抽检成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及变压器铁芯加工
，具体涉及一种二次硅钢片配电变压器的识别方法。
技术介绍
二次硅钢片是指从淘汰的废旧变压器上拆卸下来的取向硅钢片，可以用来重新加工制作配电变压器的铁芯。但是采用劣质二次硅钢片制作的配电变压器具有下述缺点：空载损耗高、抗过激磁能力差、噪声大、不稳定，在运行过程中将产生很大的涡流损耗导致铁芯局部发热，使配电变压器的高低压绕组温升加剧。同时，二次硅钢片具有极低的绝缘电阻易造成铁芯绝缘击穿，最终造成配电变压器因绕组绝缘击穿而烧毁甚至爆炸。目前，可以采用直接法和间接法对配电变压器中硅钢片进行质量抽检，具体是：1、直接法通过接拆卸配电变压器，检测其铁芯中硅钢片的质量，但是这种方法具有较大的经济代价且实际操作时工作繁重。2、间接法依据配电变压器的噪声频谱中高次谐波与基频所占的比例来判断配电变压器铁芯中硅钢片是否含有劣质二次硅钢片：若噪声频谱中高次谐波的所占比例越大则硅钢片的状态越差，该硅钢片的使用年限越长，因此该硅钢片为二次硅钢片或劣质二次硅钢片的可能性越高。但是这种方法要求与待检测配电变压器具有相同容量、相同铁芯结构、相同硅钢片型号的采用新硅钢片制造的配电变压器作为标准对照，实际执行时难度和成本均较大。
技术实现思路
为了克服现有技术的缺陷，本专利技术提供了一种二次硅钢片配电变压器的识别方法。所述识别方法包括：检测配电变压器的空载损耗P0；控制所述配电变压器过励磁运行第一预置时间后检测其空载损耗P′0；依据所述空载损耗P′0和空载损耗P0判断所述配电变压器的铁芯是否采用劣质二次硅钢片。本专利技术进一步提供的优选技术方案为：所述控制配电变压器过励磁运行包括：向所述配电变压器的低压侧施加电压U′1，断开所述配电变压器的高压侧；其中，U′1＝(1.0～1.3)U1，U1为配电变压器的额定电压。本专利技术进一步提供的优选技术方案为：所述控制配电变压器过励磁运行第一预置时间后还包括：将断电后的所述配电变压器静置第二预置时间。本专利技术进一步提供的优选技术方案为：所述第一预置时间为20～50小时；第二预置时间为20～30小时。本专利技术进一步提供的优选技术方案为：所述依据空载损耗P′0和空载损耗P0判断配电变压器的铁芯是否采用劣质二次硅钢片包括：若则所述铁芯采用劣质二次硅钢片；若则所述铁芯未采用劣质二次硅钢片；其中，K为空载损耗比例阈值。本专利技术进一步提供的优选技术方案为：所述空载损耗比例阈值K＝10％。与最接近的现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术提供的一种二次硅钢片配电变压器的识别方法，通过检测配电变压器过励磁运行前后的空载损耗，比较两次空载损耗的值判断配电变压器的铁芯是否采用劣质二次硅钢片，能够在不拆卸、不破坏配电变压器及其铁芯的情况下识别其是否采用劣质二次硅钢片，显著提高了配电变压器质量抽检的工作效率并降低了抽检成本。附图说明图1：本专利技术实施例中一种二次硅钢片配电变压器的识别方法的实施流程示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地说明，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。下面分别结合附图，对本专利技术实施例提供的一种二次硅钢片配电变压器的识别方法进行说明。图1为本专利技术中一种二次硅钢片配电变压器的识别方法的实施流程示意图，如图所示，本实施例中二次硅钢片配电变压器的识别方法包括下述步骤：步骤S101：检测配电变压器的空载损耗P0。步骤S102：控制配电变压器过励磁运行第一预置时间后检测其空载损耗P′0。步骤S103：依据空载损耗P′0和空载损耗P0判断配电变压器的铁芯是否采用劣质二次硅钢片。本实施例中通过检测配电变压器过励磁运行前后的空载损耗，比较两次空载损耗的值判断配电变压器的铁芯是否采用劣质二次硅钢片，能够在不拆卸、不破坏配电变压器及其铁芯的情况下识别其是否采用劣质二次硅钢片，显著提高了配电变压器质量抽检的工作效率并降低了抽检成本。进一步地，本专利技术中控制配电变压器过励磁运行可以采用下述方法实施。向配电变压器的低压侧施加电压U′1，断开配电变压器的高压侧，配电变压器即可以运行在过励磁状态。其中，U′1＝(1.0～1.3)U1，U1为配电变压器的额定电压。进一步地，本专利技术中检测配电变压器的空载损耗P′0还可以采用下述方法实施。(1)控制配电变压器连续过励磁运行第一预置时间。(2)对断电后的配电变压器连续静置第二预置时间。(3)检测静置第二预置时间后的配电变压器的空载损耗P′0。本实施例中第一预置时间可以为20～50小时，第二预置时间可以为20～30小时。进一步地，本专利技术中判断配电变压器的铁芯是否采用劣质二次硅钢片可以采用下述方法实施。依据空载损耗P′0和空载损耗P0判断其铁芯是否采用劣质二次硅钢片，具体为：若则铁芯采用劣质二次硅钢片；若则铁芯未采用劣质二次硅钢片；其中，K为空载损耗比例阈值。本实施例中空载损耗比例阈值K可以为10％。下面按照上述实施方案分别对二次硅钢片和新硅钢片制成的配电变压器进行试验验证。实施例1本实施例中二次硅钢片的厚度为0.35mm，新硅钢片采用35Q135硅钢片，两个配电变压器为结构相同的油浸式配电变压器，其电压等级为10kV、容量为30kVA。按照上述实施方案分别对这两个配电变压器进行试验验证，具体为：(1)检测配电变压器的空载损耗，空载损耗值如表1所示。(2)控制配电变压器过励磁运行24小时且断电静置24小时后检测其空载损耗，空载损耗值如表1所示。其中，控制配电变压器过励磁运行过程中向其低压侧施加电压U′1＝1.25U1。(3)依据上述空载损耗判断配电变压器的铁芯是否采用劣质二次硅钢片，空载损耗比较结果如表1所示。表1通过表1可知由二次硅钢片制成的配电变压器其空载损耗比值为17.2％，大于其空载损耗比例阈值，由新硅钢片制成的配电变压器其空载损耗比值为2.3％，小于其空载损耗比例阈值，从而可以验证本专利技术提出的二次硅钢片配电变压器的识别方法实施可靠。实施例2本实施例中二次硅钢片的厚度为0.30mm，新硅钢片采用30Q120硅钢片，两个配电变压器为结构相同的油浸式配电变压器，其电压等级为10kV、容量为30kVA。按照上述实施方案分别对这两个配电变压器进行试验验证，具体为：(1)检测配电变压器的空载损耗，空载损耗值如表2所示。(2)控制配电变压器过励磁运行36小时且断电静置30小时后检测其空载损耗，空载损耗值如表2所示。其中，控制配电变压器过励磁运行过程中向其低压侧施加电压U′1＝1.15U1。(3)依据上述空载损耗判断配电变压器的铁芯是否采用劣质二次硅钢片，空载损耗比较结果如表2所示。表2通过表2可知由二次硅钢片制成的配电变压器其空载损耗比值为15.5％，大于其空载损耗比例阈值，由新硅钢片制成的配电变压器其空载损耗比值为3.6％，小于其空载损耗比例阈值，从而可以验证本专利技术提出的二次硅钢片配电变压器的识别方法实施可靠。实施例3本实施例中二次硅钢片的厚度为0.27mm，新硅钢片采用27QG095硅钢片，两个配电变压器为结构相同的油浸式配电变压器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二次硅钢片配电变压器的识别方法，其特征在于，所述识别方法包括：检测配电变压器的空载损耗P0；控制所述配电变压器过励磁运行第一预置时间后检测其空载损耗P0'；依据所述空载损耗P0'和空载损耗P0判断所述配电变压器的铁芯是否采用劣质二次硅钢片。

【技术特征摘要】
1.一种二次硅钢片配电变压器的识别方法，其特征在于，所述识别方法包括：检测配电变压器的空载损耗P0；控制所述配电变压器过励磁运行第一预置时间后检测其空载损耗P0'；依据所述空载损耗P0'和空载损耗P0判断所述配电变压器的铁芯是否采用劣质二次硅钢片。2.如权利要求1所述的一种二次硅钢片配电变压器的识别方法，其特征在于，所述控制配电变压器过励磁运行包括：向所述配电变压器的低压侧施加电压U1'，断开所述配电变压器的高压侧；其中，U1'＝(1.0～1.3)U1，U1为配电变压器的额定电压。3.如权利要求1所述的一种二次硅钢片配电变压器的识别方法，其特征在于，所述控制配...

【专利技术属性】
技术研发人员：程灵，马光，杨富尧，吴雪，高洁，刘洋，聂京凯，韩钰，陈新，孔晓峰，李靖，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院，国家电网公司，国网浙江省电力公司，
类型：发明
国别省市：北京;11