一种高导电率雾下绝缘子污闪电压的修正方法技术

本发明专利技术提供了一种高导电率雾下绝缘子污闪电压的修正方法，该方法包括，测量绝缘子表面的实际等值盐密ρESDD；根据人工污秽法绝缘子闪络试验测量绝缘子的污闪电压U，进一步根据绝缘子的形状和污秽程度以及试验测得的污闪电压拟合出经典污闪电压函数；根据经典污闪电压函数推出绝缘子在相应雾水电导率下的计算等值盐密ρESDD；根据计算等值盐密ρESDD和实际等值盐密ρESDD推出附加盐密系数K；根据附加盐密系数K得出修正后的污闪电压函数，再进一步预测绝缘子的污闪电压。本发明专利技术引入附加盐密系数K，使原有计算公式能够反映出雾水电导率和绝缘子表面污秽对绝缘子闪络电压的共同影响作用，使计算值更加准确，更加贴近实际。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电压试验
，特别涉及一种高导电率雾下绝缘子污闪电压的修正方法。
技术介绍
随着我国经济的快速发展，工业化进程的不断加快，大量工业废弃物对环境造成了不可估量的破坏。化石燃料燃烧排放出的废气对大气的污染尤为明显，使近年来雾霾的情况愈加严重，京津冀、长三角和珠三角均出现持续的雾霾天气。由雾霾引起的电网雾闪停电事故也已严重威胁到电力系统安全运行和人民的生产生活，而在电网闪络事故中，绝缘子闪络事故占了相放大的比例。由于绝缘子表面积污甚至潮湿，造成绝缘子表面发生局部放电并产生电弧，放电的不断发展，最终将导致闪络。因此，计算绝缘子表面的闪络电压，准确掌握绝缘子所能承受的电压裕度，充分考虑环境因素对绝缘子闪络电压的影响，对防止绝缘子闪络，对保护电力系统安全运行，保障人民生活具有重要意义。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种高导电率雾下绝缘子污闪电压的修正方法，引入附加盐密系数，从而反映出雾水电导率和绝缘子表面污秽对绝缘子闪络电压的共同影响作用，使绝缘子污闪电压的测量结果更精确。本专利技术提供的技术方案为：高导电率雾下绝缘子污闪电压的修正方法，包括如下步骤：步骤一、对绝缘子涂污并获取绝缘子表面的实际等值盐密ρESDD；步骤二、根据人工污秽法绝缘子闪络试验测量绝缘子的污闪电压U；步骤三、根据绝缘子的形状和污秽程度以及试验测得的污闪电压拟合出经典污闪电压函数。 U = A × ρ E S D D - a , ]]>其中A为与绝缘子形状和污秽程度有关的系数，a为表征ρESDD对污闪电压影响的特征指数；步骤四、测量雾水电导率下的污闪电压U′，并代入 U ′ = A × ρ E S D D ′ - a , ]]>得到绝缘子在相应雾水电导率下的计算等值盐密ρ′ESDD；步骤五、根据计算等值盐密ρ′ESDD和实际等值盐密ρESDD，推出附加盐密系数步骤六、计算修正后的相应雾水电导率下的污闪电压函数为：U″＝A×(K·ρ″ESDD)-a，其中，ρ″ESDD为绝缘子表面的实际等值盐密测量值。优选的是，步骤一中，根据绝缘子的实际表面积确定相应配置污秽溶液时所需硅藻土和NaCl的量，并配制出相应等值盐密ρESDD的污秽溶液，均匀涂在绝缘子表面，待干燥后绝缘子表面等值盐密即为ρESDD。本专利技术的有益效果体现在以下方面：本专利技术引入附加盐密系数K，使原有计算公式能够反映出雾水电导率和绝缘子表面污秽对绝缘子闪络电压的共同影响作用，使计算值更加准确，更加贴近实际。附图说明图1为本专利技术所述的高导电率雾下绝缘子污闪电压的修正方法的流程图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。本专利技术提供了一种高导电率雾下绝缘子污闪电压的修正方法，包括如下步骤：步骤一S110：获取绝缘子表面的实际等值盐密ρESDD。在本步骤中，根据人工污秽的方法，在对绝缘子涂污前，根据绝缘子的实际表面积确定相应配置污秽溶液时所需硅藻土和NaCl的量，并配制出相应等值盐密ρESDD的污秽溶液，均匀涂在绝缘子表面，待干燥后绝缘子表面等值盐密即为ρESDD。步骤二S120：根据人工污秽法绝缘子闪络试验测量绝缘子的污闪电压U。步骤三S130：根据绝缘子的形状和污秽程度以及试验测得的污闪电压拟合出经典污闪电压函数。在本步骤中，经典的污闪电压计算函数模型为其中A为与绝缘子形状和污秽程度有关的系数，a为表征ρESDD对污闪电压影响的特征指数。将实验测得的污闪电压U和相应的等值盐密ρESDD代入计算函数模型，根据指数多项式拟合得出经典污闪电压计算公式，即得到A和a的值。步骤四S140：根据经典污闪电压函数推出绝缘子在相应雾水电导率下的计算等值盐密ρ′ESDD。在本步骤中，由于经典的污闪电压计算公式是以清洁雾为基础的，因此在清洁雾的条件下保持a不变，将相应雾水电导率下的污闪电压代入经典计算公式得出相应雾水电导率下的计算等值盐密ρ′ESDD。步骤五S150：根据计算等值盐密ρ′ESDD和实际等值盐密ρESDD推出附加盐密系数K，令附加盐密系数步骤六S160：在得到附加盐密系数K后，得出修正后的相应雾水电导率下的污闪电压函数为：U″＝A×(K·ρ″ESDD)-a。即测量出绝缘子表面的实际等值盐密测量值ρ″ESDD后，即可使用上述公式，得到修正后的相应雾水电导率下的污闪电压U″。根据上式，能够反映出雾水电导率和绝缘子表面污秽对绝缘子闪络电压的共同影响作用，能够更为准确的计算出绝缘子的闪络电压。如表1所示，在特定盐密和雾水电导率下的三片XP10-160型绝缘子污闪电压的(kV)实验数据。表1通过指数多项式拟合对污闪电压实验数据迭代求出与绝缘子形状和污秽程度相关的系数A以及盐密指数a，拟合出经典计算公式其中不同雾水电导率下的常数A和盐密特征指数a的值表2所示。表2例如ρESDD为0.10mg/cm2，以0.0018S/m雾水电导率为基准时，其U为48.231kV，此时a＝0.3254，而当雾水电导率升至为0.275S/m时，其U则降为40.775kV，a＝0.2932。经典的公式是以清洁雾为试验条件下得出的，为方便与经典研究成果进行比较，在0.0018S/m雾水电导率下，可以保持ρESDD对污闪电压影响特征指数a＝0.3254不变的情况下，根据得出计算值ρ′ESDD为0.1713mg/cm2，可知等值盐密的计算值与实际值之比即修正系数K为1.713。因此，在0.0018S/m雾水电导率下，修正后的污闪电压函数为：U″＝A×(1.713·ρ″ESDD)-a。尽管本专利技术的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用。它完全可以被适用于各种适合本专利技术的领域。对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改。因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本专利技术并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高导电率雾下绝缘子污闪电压的修正方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、对绝缘子涂污并获取绝缘子表面的实际等值盐密ρESDD；步骤二、根据人工污秽法绝缘子闪络试验测量绝缘子的污闪电压U；步骤三、根据绝缘子的形状和污秽程度以及试验测得的污闪电压拟合出经典污闪电压函数。U=A×ρESDD-a,]]>其中A为与绝缘子形状和污秽程度有关的系数，a为表征ρESDD对污闪电压影响的特征指数；步骤四、测量雾水电导率下的污闪电压U′，并代入U′=A×ρESDD′-a,]]>得到绝缘子在相应雾水电导率下的计算等值盐密ρ′ESDD；步骤五、根据计算等值盐密ρ′ESDD和实际等值盐密ρESDD，推出附加盐密系数步骤六、计算修正后的相应雾水电导率下的污闪电压函数为：U＝A×(K·ρESDD)‑a，其中，ρESDD为绝缘子表面的实际等值盐密测量值。

【技术特征摘要】
1.一种高导电率雾下绝缘子污闪电压的修正方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、对绝缘子涂污并获取绝缘子表面的实际等值盐密ρESDD；步骤二、根据人工污秽法绝缘子闪络试验测量绝缘子的污闪电压U；步骤三、根据绝缘子的形状和污秽程度以及试验测得的污闪电压拟合出经典污闪电压函数。 U = A × ρ E S D D - a , ]]>其中A为与绝缘子形状和污秽程度有关的系数，a为表征ρESDD对污闪电压影响的特征指数；步骤四、测量雾水电导率下的污闪电压U′，并代入 U ′ = A × ...

【专利技术属性】
技术研发人员：耿江海，钟正，刘云鹏，郭沁，张凯元，
申请(专利权)人：华北电力大学保定，
类型：发明
国别省市：河北;13