一种薄膜晶体管及其制作方法、以及阵列基板技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管及其制作方法、及阵列基板，其中所述制作方法包括在基板上依次形成第一栅极和第二栅极、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层和第三栅极、第三绝缘层以及源极和漏极，从而制作出薄膜晶体管，其中该薄膜晶体管包括由第一栅极与其上方的源极和漏极构成的单栅子薄膜晶体管和由第二栅极与其上方的源极、漏极和第三栅极构成的双栅子薄膜晶体管。本发明专利技术的制作方法可以同时制作含有单栅和双栅两种类型的薄膜晶体管，且具有制作工艺成熟稳定、制作过程简单、成本低等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示器
，特别是涉及一种薄膜晶体管、及其制作方法、以及应用该薄膜晶体管的阵列基板。
技术介绍
有机发光二极管显示器，简称OLED显示器，由于其具备自发光、不需要背光源、对比度高和视角宽等优点而倍受关注。有源矩阵有机发光二极管显示器(Active-matrix organic light emitting diode,简称AMOLED)是有机发光二极管显示器中的一种，有源矩阵有机发光二极管显示器一般包括基板、薄膜晶体管和有机发光二极管本体，每个像素包括至少一个开关薄膜晶体管和至少一个驱动薄膜晶体管，其中，开关薄膜晶体管用于控制数据信号的进入，驱动薄膜晶体管用于控制通过有机发光二极管的电流，通过有机发光二极管的电流不同，其发光亮度就不同。然而，在现有的制作开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管的方法中，往往制作的开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管为同一种类型，例如均为单栅类型，但是现有方法制作出的驱动薄膜晶体管在受到电压、光照等应力作用时，会使得其电压阈值发生较大的偏移，导致流过有机发光二极管的电流与预期的电流不同，进而使得显示器的亮度达不到要求，严重影响显示效果。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种薄膜晶体管及其制作方法和应用该薄膜晶体管的阵列基板，以解决上述技术问题。本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法，其包括：在基板上形成第一栅极、第二栅极和第一绝缘层，其中所述第一栅极与第二栅极绝缘隔开，所述第一绝缘层覆盖整个所述第一栅极和部分第二栅极；在所述第一绝缘层上形成半导体层，并在所述第二栅极上方的半导体层上形成第二绝缘层和第三栅极，其中，所述第三栅极置于所述第二绝缘层上；在所述半导体层上形成第三绝缘层，其中，所述第三绝缘层覆盖部分所述第一栅极上方的半导体层，使所述第一栅极上方的半导体层部分暴露；所述第三绝缘层覆盖所述第二绝缘层和第三栅极，在所述第二绝缘层和第三栅极两侧的所述第三绝缘层上设有两个开口，使对应所述两个开口的半导体层暴露；在所述暴露的半导体层上形成漏极和源极，其中，所述第一栅极上方的源极或漏极与所述第二栅极连接。在本专利技术所述的薄膜晶体管的制作方法中，在所述薄膜晶体管上形成第四绝缘层，所述第四绝缘层平坦化所述薄膜晶体管。在本专利技术所述的薄膜晶体管的制作方法中，在所述第二栅极中，未被所述第一绝缘层覆盖的第二栅极靠近所述第一栅极。在本专利技术所述的薄膜晶体管的制作方法中，所述第二绝缘层覆盖部分所述第二栅极上方的半导体层。在本专利技术所述的薄膜晶体管的制作方法中，所述在基板上形成第一栅极、第二栅极具体包括：采用气相沉积法和刻蚀工艺在基板上形成第一栅极和第二栅极。在本专利技术所述的薄膜晶体管的制作方法中，所述第一栅极、第二栅极的材质包括铝、钼、铜和/或银。本专利技术还提供一种薄膜晶体管，其包括：一基板；第一栅极和第二栅极，设置在所述基板上，且所述第一栅极与第二栅极绝缘隔开；第一绝缘层，设置在所述基板上，用于覆盖整个所述第一栅极和部分第二栅极；半导体层，设置在所述第一绝缘层上；第二绝缘层，设置在所述第二栅极上方的半导体层上；第三栅极，设置在第二绝缘层上；第三绝缘层，设置在所述半导体层上，且覆盖部分所述第一栅极上方的半导体层，使所述第一栅极上方的半导体层部分暴露；所述第三绝缘层覆盖所述第二绝缘层和第三栅极，在所述第二绝缘层和第三栅极两侧的所述第三绝缘层上设有两个开口，使对应所述两个开口的半导体层暴露；漏极和源极，设置在所述暴露的半导体层上，且所述第一栅极上方的源极或漏极与所述第二栅极连接；其中，所述第一栅极与其上方的源极和漏极形成一单栅子薄膜晶体管，所述第二栅极以及其上方的源极和漏极、第三栅极形成一双栅子薄膜晶体管。在本专利技术所述的薄膜晶体管中，所述薄膜晶体管还包括第四绝缘层，所述第四绝缘层置于所述薄膜晶体管上，用于平坦化所述薄膜晶体管。在本专利技术所述的薄膜晶体管中，所述第一栅极、第二栅极的材质包括铝、钼、铜和/或银。本专利技术又提供一种阵列基板，其包括上述任意一种薄膜晶体管。相较于现有的薄膜晶体管制作方法，本专利技术提供的薄膜晶体管制作方法通过在基板上依次形成第一栅极和第二栅极、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层和第三栅极、第三绝缘层以及源极和漏极，从而制作出薄膜晶体管，其中该薄膜晶体管包括由第一栅极与其上方的源极和漏极构成的单栅子薄膜晶体管和由第二栅极与其上方的源极、漏极和第三栅极构成的双栅子薄膜晶体管。该制作方法可以同时制作含有单栅和双栅两种类型的薄膜晶体管，且具有制作工艺成熟稳定、制作过程简单、成本低等优点。本专利技术提供的薄膜晶体管和应用该薄膜晶体管的阵列基板，由于该薄膜晶体管采用本专利技术提供的制作方法制作，当该薄膜晶体管应用于有源矩阵有机发光二极管显示器中时，可有效地调节驱动薄膜晶体管的电压偏移量，避免因电压偏移量较大而引起显示器的亮度与预期值不同等问题，有效改善显示器的显示效果。附图说明图1为本专利技术优选实施例中薄膜晶体管的制作方法的流程图；图2为本优选实施例中制作完第一栅极和第二栅极后的结构示意图；图3为本优选实施例中制作完第一绝缘层后的结构示意图；图4为本优选实施例中制作完半导体层后的结构示意图；图5为本优选实施例中制作完第二绝缘层和第三栅极后的结构示意图；图6为本优选实施例中制作完第三绝缘层后的结构示意图；图7为本优选实施例中制作完源极与漏极后的结构示意图；图8为本优选实施例中制作完第四绝缘层后的结构示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。请参照图1，图1为本专利技术优选实施例中薄膜晶体管的制作方法的流程图。本优选实施例中的薄膜晶体管的制作方法包括：步骤S101：在基板上形成第一栅极、第二栅极和第一绝缘层，其中所述第一栅极与第二栅极绝缘隔开，所述第一绝缘层覆盖整个所述第一栅极和部分第二栅极；步骤S102：在所述第一绝缘层上形成半导体层，并在所述第二栅极上方的半导体层上形成第二绝缘层和第三栅极，其中，所述第三栅极置于所述第二绝缘层上；步骤S103：在所述半导体层上形成第三绝缘层，其中，所述第三绝缘层覆盖部分所述第一栅极上方的半导体层，使所述第一栅极上方的半导体层部分暴露；所述第三绝缘层覆盖所述第二绝缘层和第三栅极，在所述第二绝缘层和第三栅极两侧的所述第三绝缘层上设有两个开口，使对应所述两个开口的半导体层暴露；步骤S104：在所述暴露的半导体层上形成漏极和源极，其中，所述第一栅极上方的源极或漏极与所述第二栅极连接。下面将结合图1至图8详细地说明本优选实施例中薄膜晶体管的制作方法。在步骤S101中，请参见图2，图2为本优选实施例中制作完第一栅极和第二栅极后的结构示意图。在基板10上通过气相沉积法形成一金属层，再通过刻蚀工艺形成如图2所示的第一栅极21和第二栅极22，其中第一栅极21和第二栅极22绝缘隔开。在本优选实施例中，基板10采用玻璃基板，当然也可以采用石英基板，在此不做具体限制。第一栅极21和第二栅极22的材质包括钼、铝、铜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成第一栅极、第二栅极和第一绝缘层，其中所述第一栅极与第二栅极绝缘隔开，所述第一绝缘层覆盖整个所述第一栅极和部分第二栅极；在所述第一绝缘层上形成半导体层，并在所述第二栅极上方的半导体层上形成第二绝缘层和第三栅极，其中，所述第三栅极置于所述第二绝缘层上；在所述半导体层上形成第三绝缘层，其中，所述第三绝缘层覆盖部分所述第一栅极上方的半导体层，使所述第一栅极上方的半导体层部分暴露；所述第三绝缘层覆盖所述第二绝缘层和第三栅极，在所述第二绝缘层和第三栅极两侧的所述第三绝缘层上设有两个开口，使对应所述两个开口的半导体层暴露；在所述暴露的半导体层上形成漏极和源极，其中，所述第一栅极上方的源极或漏极与所述第二栅极连接。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成第一栅极、第二栅极和第一绝缘层，其中所述第一栅极与第二栅极绝缘隔开，所述第一绝缘层覆盖整个所述第一栅极和部分第二栅极；在所述第一绝缘层上形成半导体层，并在所述第二栅极上方的半导体层上形成第二绝缘层和第三栅极，其中，所述第三栅极置于所述第二绝缘层上；在所述半导体层上形成第三绝缘层，其中，所述第三绝缘层覆盖部分所述第一栅极上方的半导体层，使所述第一栅极上方的半导体层部分暴露；所述第三绝缘层覆盖所述第二绝缘层和第三栅极，在所述第二绝缘层和第三栅极两侧的所述第三绝缘层上设有两个开口，使对应所述两个开口的半导体层暴露；在所述暴露的半导体层上形成漏极和源极，其中，所述第一栅极上方的源极或漏极与所述第二栅极连接。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述薄膜晶体管上形成第四绝缘层，所述第四绝缘层平坦化所述薄膜晶体管。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述第二栅极中，未被所述第一绝缘层覆盖的第二栅极靠近所述第一栅极。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第二绝缘层覆盖部分所述第二栅极上方的半导体层。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在基板上形成第一栅极、第二栅极具体包括：采用气相沉积法和刻蚀工艺在基板上形成第一栅极和第二栅极。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：张合静，蒙艳红，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42