包括应力诱导层的集成电路（IC）器件制造技术

提供了集成电路器件。器件可以包括从衬底突出的第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域，并且第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域可以在其间限定凹陷。器件还可以包括在凹陷下部部分中的隔离层。隔离层可以包括沿着第一鳍形沟道区域的侧部延伸的第一应力衬里、沿着第二鳍形沟道区域的侧部延伸的第二应力衬里以及在第一应力衬里与第一鳍形沟道区域的侧部之间并且在第二应力衬里与第二鳍形沟道区域的侧部之间的绝缘衬里。器件可以进一步包括第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域的上部部分的表面上的栅极绝缘层以及在栅极绝缘层上的栅极电极层。

【技术实现步骤摘要】
对相关申请的交叉引用本申请要求2015年5月28日在韩国专利局提交的韩国专利申请第10-2015-0075372号的优先权，该申请的公开内容通过引用整体合并于此。
本专利技术概念涉及集成电路(IC)器件，并且更具体地，涉及包括鳍式场效应晶体管的IC器件。
技术介绍
随着电子技术的发展，集成电路器件被快速地缩减规模。最近，由于集成电路器件需要快速地和精确地进行操作，已经进行各种研究来优化集成电路器件中的晶体管的结构。
技术实现思路
本专利技术概念提供了一种能够独立地提高不同导电类型的沟道区域中的载流子迁移率的集成电路(IC)器件。一种集成电路器件可以包括在垂直方向上从衬底突出的第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域。第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域可以在其间限定凹陷。器件还可以包括在凹陷的深度方向上在凹陷下部部分中的隔离层。该隔离层可以包括沿着第一鳍形沟道区域的侧部延伸的第一应力衬里(liner)、沿着第二鳍形沟道区域的侧部延伸的第二应力衬里以及在第一应力衬里与第一鳍形沟道区域的侧部之间并且在第二应力衬里与第二鳍形沟道区域的侧部之间的绝缘衬里。器件可以进一步包括沿着被隔离层暴露的第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域的上部部分的表面延伸的栅极绝缘层以及在栅极绝缘层上的栅极电极层。根据各种实施例，第一应力衬里和第二应力衬里可以连接在凹陷中，并且可以包括一体(unitary)的结构。根据各种实施例，第一应力衬里和第二应力衬里中的每个可以包括第一材料，而绝缘衬里可以包括与第一材料不同的第二材料。在各种实施例中，隔离层可以包括在第一应力衬里和第二应力衬里上的绝缘层，并且绝缘层可以包括与第一材料不同的第三材料。根据各种实施例，被隔离层暴露的第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域的上部部分可以各自包括侧壁，该侧壁具有坡度的改变。在各种实施例中，栅极绝缘层可以接触第一应力衬里和第二应力衬里的最上表面。根据各种实施例，器件可以进一步包括在第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域与栅极绝缘层之间的界面层。在各种实施例中，第一鳍形沟道区域的侧部可以包括与第一鳍形沟道区域的第二侧相对的第一鳍形沟道区域的第一侧。隔离层可以包括在第一鳍形沟道区域的第一侧上的第一隔离层，并且第一隔离层可以包括沿着第一鳍形沟道区域的第一侧延伸的第三应力衬里以及在第三应力衬里与第一鳍形沟道区域的第一侧之间的第一绝缘衬里。器件可以进一步包括在第一鳍形沟道区域的第二侧上的第二隔离层，并且第二隔离层可以包括沿着第一鳍形沟道区域的第二侧延伸的第四应力衬里以及在第四应力衬里与第一鳍形沟道区域的第二侧之间的第二绝缘衬里。第一鳍形沟道区域的最上部分与第一隔离层的最下部分之间的第一垂直距离可以小于第一鳍形沟道区域的最上部分与第二隔离层的最下部分之间的第二垂直距离。根据各种实施例，第一鳍形沟道区域的侧部可以包括与第一鳍形沟道区域的第二侧相对的第一鳍形沟道区域的第一侧。隔离层可以包括在第一鳍形沟道区域的第一侧上的第一隔离层，并且第一隔离层可以包括沿着第一鳍形沟道区域的第一侧延伸的第三应力衬里以及在第三应力衬里与第一鳍形沟道区域的第一侧之间的第一绝缘衬里。器件可以进一步包括在第一鳍形沟道区域的第二侧上的第二隔离层。第二隔离层可以包括沿着第一鳍形沟道区域的第二侧延伸的第四应力衬里以及在第四应力衬里与第一鳍形沟道区域的第二侧之间的第二绝缘衬里。器件还可以包括连接到第二隔离层的侧部的器件隔离层。第二隔离层可以在第一鳍形沟道区域与器件隔离层之间，并且第一鳍形沟道区域的最上部分与第一隔离层的最下部分之间的第一垂直距离可以小于第一鳍形沟道区域的最上部分与器件隔离层的最 下部分之间的第二垂直距离。一种集成电路器件可以包括在垂直方向上从衬底突出的第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域。第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域可以在其间限定凹陷。器件还可以包括在凹陷的深度方向上在凹陷的下部部分中的隔离层。该隔离层可以包括在凹陷的下部部分的表面上共形地(conformally)延伸的绝缘衬里、在绝缘衬里上的绝缘层以及在绝缘衬里与绝缘层之间的应力衬里。应力衬里可以包括与绝缘衬里和绝缘层不同的材料。器件可以进一步包括沿着被隔离层暴露的第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域的上部部分的表面延伸的栅极绝缘层以及在栅极绝缘层上的栅极电极层。根据各种实施例，被隔离层暴露的第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域的上部部分可以各自包括侧壁，该侧壁具有坡度的改变。在各种实施例中，栅极绝缘层可以接触绝缘衬里、应力衬里和绝缘层的最上表面。在各种实施例中，凹陷的最下部部分可以具有圆形形状。根据各种实施例，隔离层可以包括在第一鳍形沟道区域的第一侧上的第一隔离层，第一鳍形沟道区域的第一侧与第一鳍形沟道区域的第二侧相对。第一隔离层可以包括在凹陷的下部部分的表面上共形地延伸的第一绝缘衬里、在第一绝缘衬里上的第一绝缘层以及在第一绝缘衬里与第一绝缘层之间的第一应力衬里。第一应力衬里可以包括与第一绝缘衬里和第一绝缘层不同的第一材料。器件可以进一步包括在第一鳍形沟道区域的第二侧上的第二隔离层。第二隔离层可以包括在第一鳍形沟道区域的第二侧上共形地延伸的第二绝缘衬里、在第二绝缘衬里上的第二绝缘层以及在第二绝缘衬里与第二绝缘层之间的第二应力衬里。第二应力衬里可以包括与第二绝缘衬里和第二绝缘层不同的第一材料。第一鳍形沟道区域的最上部分与第一隔离层的最下部分之间的第一垂直距离可以小于第一鳍形沟道区域的最上部分与第二隔离层的最下部分之间的第二垂直距离。在各种实施例中，隔离层可以包括在第一鳍形沟道区域的第一侧上的第一隔离层，第一鳍形沟道区域的第一侧与第一鳍形沟道区域的第二侧相对。第一隔离层可以包括在凹陷的下部部分的表面上共形地延伸的第一绝缘衬里、在第一绝缘衬里上的第一绝缘层以及在第一绝缘衬里与第一绝缘 层之间的第一应力衬里。第一应力衬里可以包括与第一绝缘衬里和第一绝缘层不同的第一材料。器件可以进一步包括在第一鳍形沟道区域的第二侧上的第二隔离层，第二隔离层可以包括在第一鳍形沟道区域的第二侧上共形地延伸的第二绝缘衬里、在第二绝缘衬里上的第二绝缘层以及在第二绝缘衬里与第二绝缘层之间的第二应力衬里。第二应力衬里可以包括与第二绝缘衬里和第二绝缘层不同的第一材料。器件还可以包括连接到第二隔离层的侧部上的器件隔离层。第二隔离层可以在第一鳍形沟道区域与器件隔离层之间，并且第一鳍形沟道区域的最上部分与第一隔离层的最下部分之间的第一垂直距离可以小于第一鳍形沟道区域的最上部分与器件隔离层的最下部分之间的第二垂直距离。根据各种实施例，凹陷的下部表面可以是圆形的，并且器件隔离层的下部表面可以是基本上平坦的。一种集成电路器件可以包括在垂直方向上从衬底突出的鳍形沟道区域、沿着鳍形沟道区域的上部部分的表面延伸的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的栅极电极层以及在鳍形沟道区域的下部部分的侧部上的隔离结构。隔离结构可以包括器件隔离层以及在鳍形沟道区域与器件隔离层之间的隔离层。隔离层可以包括沿着鳍形沟道区域的下部部分的侧部延伸的应力衬里以及在应力衬里与鳍形沟道区域的下部部分的侧部之间的绝缘衬里。鳍形沟道区域的最上部分与应力衬里的最下部分之间的第一垂直距离可以小于鳍形沟道区域的最上部分与器件隔离层的最下部分之间的第二垂直距本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路器件，包括：在垂直方向上从衬底突出的第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域，所述第一鳍形沟道区域和所述第二鳍形沟道区域在其间限定凹陷；在所述凹陷的深度方向上在所述凹陷下部部分中的隔离层，所述隔离层包括沿着所述第一鳍形沟道区域的侧部延伸的第一应力衬里、沿着所述第二鳍形沟道区域的侧部延伸的第二应力衬里以及在所述第一应力衬里与所述第一鳍形沟道区域的侧部之间以及在所述第二应力衬里与所述第二鳍形沟道区域的侧部之间的绝缘衬里；沿着被所述隔离层暴露的所述第一鳍形沟道区域和所述第二鳍形沟道区域的上部部分的表面延伸的栅极绝缘层；以及在所述栅极绝缘层上的栅极电极层。

【技术特征摘要】
2015.05.28 KR 10-2015-0075372;2016.03.22 US 15/0761.一种集成电路器件，包括：在垂直方向上从衬底突出的第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域，所述第一鳍形沟道区域和所述第二鳍形沟道区域在其间限定凹陷；在所述凹陷的深度方向上在所述凹陷下部部分中的隔离层，所述隔离层包括沿着所述第一鳍形沟道区域的侧部延伸的第一应力衬里、沿着所述第二鳍形沟道区域的侧部延伸的第二应力衬里以及在所述第一应力衬里与所述第一鳍形沟道区域的侧部之间以及在所述第二应力衬里与所述第二鳍形沟道区域的侧部之间的绝缘衬里；沿着被所述隔离层暴露的所述第一鳍形沟道区域和所述第二鳍形沟道区域的上部部分的表面延伸的栅极绝缘层；以及在所述栅极绝缘层上的栅极电极层。2.如权利要求1所述的器件，其中，所述第一应力衬里和所述第二应力衬里连接在所述凹陷中并且包括一体结构。3.如权利要求1所述的器件，其中，所述第一应力衬里和所述第二应力衬里中的每个包括第一材料，而所述绝缘衬里包括与所述第一材料不同的第二材料。4.如权利要求3所述的器件，其中，所述隔离层包括在所述第一应力衬里和所述第二应力衬里上的绝缘层，以及其中，所述绝缘层包括与所述第一材料不同的第三材料。5.如权利要求1所述的器件，其中，被所述隔离层暴露的所述第一鳍形沟道区域和所述第二鳍形沟道区域的上部部分各自包括侧壁，所述侧壁具有坡度的改变。6.如权利要求1所述的器件，其中，所述绝缘层接触所述第一应力衬里和所述第二应力衬里的最上表面。7.如权利要求6所述的器件，进一步包括在所述第一鳍形沟道区域和所述第二鳍形沟道区域与所述栅极绝缘层之间的界面层。8.如权利要求1所述的器件，其中，所述第一鳍形沟道区域的侧部包括与第一鳍形沟道区域的第二侧相对的第一鳍形沟道区域的第一侧，其中，所述隔离层包括在所述第一鳍形沟道区域的第一侧上的第一隔
\t离层，并且所述第一隔离层包括沿着所述第一鳍形沟道区域的第一侧延伸的第三应力衬里以及在所述第三应力衬里与所述第一鳍形沟道区域的第一侧之间的第一绝缘衬里，其中，所述器件进一步包括在所述第一鳍形沟道区域的第二侧上的第二隔离层，并且所述第二隔离层包括沿着所述第一鳍形沟道区域的第二侧延伸的第四应力衬里以及在所述第四应力衬里与所述第一鳍形沟道区域的第二侧之间的第二绝缘衬里，以及其中，所述第一鳍形沟道区域的最上部分与所述第一隔离层的最下部分之间的第一垂直距离小于所述第一鳍形沟道区域的最上部分与所述第二隔离层的最下部分之间的第二垂直距离。9.如权利要求1所述的器件，其中，所述第一鳍形沟道区域的侧部包括与第一鳍形沟道区域的第二侧相对的第一鳍形沟道区域的第一侧，其中，所述隔离层包括在所述第一鳍形沟道区域的第一侧上的第一隔离层，并且所述第一隔离层包括沿着所述第一鳍形沟道区域的第一侧延伸的第三应力衬里以及在所述第三应力衬里与所述第一鳍形沟道区域的第一侧之间的第一绝缘衬里；其中，所述器件进一步包括：在所述第一鳍形沟道区域的第二侧上的第二隔离层，其中，所述第二隔离层包括沿着所述第一鳍形沟道区域的第二侧延伸的第四应力衬里以及在所述第四应力衬里与所述第一鳍形沟道区域的第二侧之间的第二绝缘衬里；以及连接到所述第二隔离层的侧部的器件隔离层，其中，所述第二隔离层在所述第一鳍形沟道区域与所述器件隔离层之间，并且所述第一鳍形沟道区域的最上部分与所述第一隔离层的最下部分之间的第一垂直距离小于所述第一鳍形沟道区域的最上部分与所述器件隔离层的最下部分之间的第二垂直距离。10.一种集成电路器件，包括：在垂直方向上从衬底突出的第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域，所述第一鳍形沟道区域和所述第二鳍形沟道区域在其间限定凹陷；在所述凹陷的深度方向上在所述凹陷的下部部分中的隔离层，所述隔离层包括在所述凹陷的下部部分的表面上共形地延伸的绝缘衬里、在所述
\t绝缘衬里上的绝缘层以及在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：成石铉，刘庭均，朴起宽，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR