【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种改进的半导体研磨剂。
技术介绍
在半导体芯片的加工制造过程中，随着采用嵌入式工序(一种费用相当便宜且能在硅芯片上建立更密集的元器件结构的工序)的逐步普及，对芯片中的金属导线进行化学机械研磨抛光亦变得必不可少。现有的研磨剂大部分在研磨的同时会对半导体部件造成腐蚀，降低了研磨体的性能，缩短了半导体的使用时间。因此，半导体的性能有待于进一步改进。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术要解决的问题是，提供一种半导体研磨剂，具有很好的耐磨性和低腐蚀性，同时提高了研磨的效果，具有很好的经济效益。为解决现有技术问题，本专利技术提供的技术方案是，一种改进的半导体研磨剂，其由以下重量份数的原料制成：醋酸钠4-6份，氰尿酸三聚氰胺盐6-10份，过氧化苯甲酰3-8份，碳化钨合金10-16份，改性氧化铝8-12份，石英砂5-7份，丙二醇6-8份，磷酸二氢钙9-12份，季戊四醇7-9份，酒石酸2-4份，硅藻土8-10份，硫酸镁5-7份，硫酸钾1.5-4份，防老剂2份，硼酸钠4-7份，苯甲酸甲酯8-11份，硫酸钡1.3-4.8份，表面活性剂6-12份，丙烯酸酯聚合物2.5-9份，乙酸正丁酯4-11份。本专利技术的有益效果是：本专利技术的半导体研磨剂，具有很好的耐磨性和低腐蚀性，同时提高了研磨的效果，具有很好的经济效益。具体实施方式实施例1一种改进的半导体研磨剂，其由以下重量份数的原料制成：醋酸钠4份，氰尿酸三聚氰胺盐6份，过氧化苯甲酰3份，碳化钨合金10份，改性氧化铝8份，石英砂5份，丙二醇6份，磷酸二氢钙9份，季戊四醇7份，酒石酸2份，硅藻土8份，硫酸镁5份...
【技术保护点】
一种改进的半导体研磨剂，其特征在于：其由以下重量份数的原料制成：醋酸钠4‑6份，氰尿酸三聚氰胺盐6‑10份，过氧化苯甲酰3‑8份，碳化钨合金10‑16份，改性氧化铝8‑12份，石英砂5‑7份，丙二醇6‑8份，磷酸二氢钙9‑12份，季戊四醇7‑9份，酒石酸2‑4份，硅藻土8‑10份，硫酸镁5‑7份，硫酸钾1.5‑4份，防老剂2份，硼酸钠4‑7份，苯甲酸甲酯8‑11份，硫酸钡1.3‑4.8份，表面活性剂6‑12份，丙烯酸酯聚合物2.5‑9份，乙酸正丁酯4‑11份。
【技术特征摘要】
1.一种改进的半导体研磨剂，其特征在于：其由以下重量份数的原料制成：醋酸钠4-6份，氰尿酸三聚氰胺盐6-10份，过氧化苯甲酰3-8份，碳化钨合金10-16份，改性氧化铝8-12份，石英砂5-7份，丙二醇6-8份，磷酸二氢钙9-12份，...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐茂航，
申请(专利权)人：青岛百千川海洋生态科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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