本发明专利技术公开一种制备片状SmS‑CrS2层间不匹配化合物的方法:将一定量分析纯CrCl6·H2O和SmCl6·H2O以1:0.5~6的摩尔比溶于适量水中,搅拌1h,加入氨水,搅拌,将混合物加入高压斧中水热反应,反应温度为80‑200℃,反应时间为6h‑48h,将所得产物抽滤分离,得到产物A;按质量比将产物A:硫代乙酰胺=1:5‑40的混合物研磨混合,在管式炉中以氩气为保护气,在500~1000℃下保温1~5h进行硫化处理,将所得产物用去离子水洗涤直到溶液PH=6.8~7.2,用真空抽滤,并在烘箱中60℃干燥5h,得到片状SmS‑CrS2层间不匹配化合物。片状SmS‑CrS2层间不匹配化合物有效提高SmS的光催化性能。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及化合物制备领域,特别涉及一种制备SmS-CrS2层间不匹配化合物的方法。
技术介绍
SmS是一种低禁带宽度的半导体材料,在光催化领域及太阳能电池领域具有较大的应用潜能,但其自身存在电导率差的问题,使其性能的发挥受到了影响。实有必要改善SmS的光催化性能,使其具有更加广阔的应用前景。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种制备片状SmS-CrS2层间不匹配化合物的方法,其设备要求低、工艺简单、操作简便且容易控制,所制备的片状SmS-CrS2层间不匹配化合物使其光催化性能进一步提升。为了达到上述目的,本专利技术采用以下技术方案:一种制备片状SmS-CrS2层间不匹配化合物的方法,包括以下步骤:1)将分析纯CrCl6·H2O和SmCl6·H2O以1∶0.5~6的摩尔比溶于水中,搅拌均匀形成混合物,混合物中加入氨水并搅拌均匀;2)将加入氨水后的混合物加入高压斧中水热反应,得到产物A;3)按质量比将产物A:硫代乙酰胺=1∶5-40的混合物研磨混合,在管式炉中以氩气为保护气,进行硫化处理;4)将所得产物用去离子水洗涤直到溶液PH=6.8~7.2,用真空抽滤,并在烘箱中干燥,得到片状SmS-CrS2层间不匹配化合物。进一步的,步骤1)中每50mL水加入0.5mmolCrCl6·H2O和5-10mL氨水。进一步的,步骤2)中反应温度为80-200℃,反应时间为6h-48h。进一步的,步骤3)中硫化处理的温度为500~1000℃,保温时间为1~5h。进一步的,步骤4)中干燥温度为60℃,时间为5h。相对于现有技术,本专利技术具有以下有益效果:本专利技术以CrCl6·H2O和SmCl6·H2O为原料,制备出片状SmS-CrS2层间不匹配化合物,该反应的原料易得且成本低,工艺设备简单,以水作为反应溶剂,安全性好,可行性强,所以非常经济、实用,具有很好的工业化前景。SmS是一种低禁带宽度的半导体材料,非层状结构的材料,随着石墨烯这类具有二维结构材料在光催化能量存储,催化反应等领域及太阳能电池领域具有较大的应用潜能,但其自身存在电导率差的问题,使其性能的发挥受到展示出了影响。良好的应用前景,研究合成出具有二维结构材料成为了研究的热点。CrS2是一种导电性较好层状结构的材料,合成本专利技术在CrS2层上面生长出了具有层状结构SmS。SmS-CrS2层间不匹配化合物将极大的改善SmS的导电性能,同时是一种SmS和CrS2可在层间形成异质结将使SmS的光催化性能进一步提升,因此,合成SmS-CrS2层间不匹配化合物在光催化技术中将有在晶体c轴方向上按O-T-O-T的方式排列的,该材料将在化学催化和热电领域有着巨大的应用前景潜力。附图说明图1是本专利技术实施例2所制备出片状SmS-CrS2层间不匹配化合物的SEM图;图2是本专利技术实施例2所制备出片状SmS-CrS2层间不匹配化合物沿片厚方向的HRSEM图;图3是本专利技术实施例2所制备出片状SmS-CrS2层间不匹配化合物沿片平面内的HRSEM图;图4是本专利技术实施例2所制备出片状SmS-CrS2层间不匹配化合物可见光降解罗丹明B光降解图。具体实施方式实施例1一种制备片状SmS-CrS2层间不匹配化合物的方法,包括以下步骤:1)将一定量分析纯CrCl6·H2O和SmCl6·H2O以1∶0.5的摩尔比溶于50mL水中,搅拌1h,混合物中加入10ml氨水,搅拌30min;其中,CrCl6·H2O为0.5mmol。2)将混合物加入高压斧中水热反应,反应温度为200℃,反应时间为6h,将所得产物抽滤分离,得到产物A;3)按质量比将产物A:硫代乙酰胺=1∶5的混合物研磨混合,在管式炉中以氩气为保护气,在800℃下保温1h进行硫化处理;4)将所得产物用去离子水洗涤直到溶液PH=7.0,用真空抽滤,并在烘箱中60℃干燥5h,得到片状SmS-CrS2层间不匹配化合物。实施例2一种制备片状SmS-CrS2层间不匹配化合物的方法,包括以下步骤:1)将一定量分析纯CrCl6·H2O和SmCl6·H2O以1∶1的摩尔比溶于50mL水中,搅拌1h,混合物中加入10ml氨水,搅拌30min;其中,CrCl6·H2O为0.5mmol。2)将混合物加入高压斧中水热反应,反应温度为140℃,反应时间为48h,将所得产物抽滤分离,得到产物A;3)按质量比将产物A:硫代乙酰胺=1∶10的混合物研磨混合,在管式炉中以氩气为保护气,在900℃下保温2h进行硫化处理;4)将所得产物用去离子水洗涤直到溶液PH=7.0,用真空抽滤,并在烘箱中60℃干燥5h,得到片状SmS-CrS2层间不匹配化合物。实施例3一种制备片状SmS-CrS2层间不匹配化合物的方法,包括以下步骤:1)将一定量分析纯CrCl6·H2O和SmCl6·H2O以1∶3的摩尔比溶于50mL水中,搅拌1h,混合物中加入8ml氨水,搅拌30min;其中,CrCl6·H2O为0.5mmol。2)将混合物加入高压斧中水热反应,反应温度为80℃,反应时间为24h,将所得产物抽滤分离,得到产物A;3)按质量比将产物A:硫代乙酰胺=1∶40的混合物研磨混合,在管式炉中以氩气为保护气,在500℃下保温4h进行硫化处理;4)将所得产物用去离子水洗涤直到溶液PH=6.8,用真空抽滤,并在烘箱中60℃干燥5h,得到片状SmS-CrS2层间不匹配化合物。实施例4一种制备片状SmS-CrS2层间不匹配化合物的方法,包括以下步骤:1)将一定量分析纯CrCl6·H2O和SmCl6·H2O以1∶6的摩尔比溶于50mL水中,搅拌1h,混合物中加入5ml氨水,搅拌30min;其中,CrCl6·H2O为0.5mmol。2)将混合物加入高压斧中水热反应,反应温度为120℃,反应时间为12h,将所得产物抽滤分离,得到产物A;3)按质量比将产物A:硫代乙酰胺=1∶20的混合物研磨混合,在管式炉中以氩气为保护气,在1000℃下保温5h进行硫化处理;4)将所得产物用去离子水洗涤直到溶液PH=7.2,用真空抽滤,并在烘箱中60℃干燥5h,得到片状SmS-CrS2层间不匹配化合物。图1是本专利技术按实施例2所制备片状SmS-CrS2层间不匹配化合物SEM图,从图中可以看出为产物为具有片状结构的SmS-CrS2层间不匹配化合物。图2为本专利技术按实施例2所制备片状SmS-CrS2层间不匹配化合物沿片厚方向的HRSEM图,从图中可以看到SmS和CrS2按顺序有序排列。图3为本专利技术按实施例2所制备片状SmS-CrS2层间不匹配化合物沿片平面内的HRSEM图,经测量晶格条纹发现,d=0.306nm,对应CrS2的(020),d=0.345nm对应SmS的(111)晶面,结合图1、2说明合成了SmS-CrS2层间不匹配化合物。图4为片状SmS-CrS2层不匹配化合物在1000W氙灯为光源降解罗丹明B的光降解图,从图中我们可以看出在光照时间为90min时,SmS-CrS2层不匹配化合物对罗丹明B降解达到了44%,而纯相的SmS降解了33%,说明片状SmS-CrS2层不匹配化合物可以改善SmS的光催化性能。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种制备片状SmS‑CrS2层间不匹配化合物的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将分析纯CrCl6·H2O和SmCl6·H2O以1:0.5~6的摩尔比溶于水中,搅拌均匀形成混合物,混合物中加入氨水并搅拌均匀;2)将加入氨水后的混合物加入高压斧中水热反应,得到产物A;3)按质量比将产物A:硫代乙酰胺=1:5‑40的混合物研磨混合,在管式炉中以氩气为保护气,进行硫化处理;4)将所得产物用去离子水洗涤直到溶液PH=6.8~7.2,用真空抽滤,并在烘箱中干燥,得到片状SmS‑CrS2层间不匹配化合物。
【技术特征摘要】
1.一种制备片状SmS-CrS2层间不匹配化合物的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将分析纯CrCl6·H2O和SmCl6·H2O以1:0.5~6的摩尔比溶于水中,搅拌均匀形成混合物,混合物中加入氨水并搅拌均匀;2)将加入氨水后的混合物加入高压斧中水热反应,得到产物A;3)按质量比将产物A:硫代乙酰胺=1:5-40的混合物研磨混合,在管式炉中以氩气为保护气,进行硫化处理;4)将所得产物用去离子水洗涤直到溶液PH=6.8~7.2,用真空抽滤,并在烘箱中干燥,得到片状SmS-CrS2层间不匹配化合物。2.根据权利要求1所述的一种制备片状SmS-C...
【专利技术属性】
技术研发人员:殷立雄,张浩,刘长青,黄剑锋,孔新刚,张东东,柴思敏,张蓓,陈琛,
申请(专利权)人:陕西科技大学,
类型:发明
国别省市:陕西;61
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