定位结构及硅片加工设备制造技术

公开了一种定位结构及硅片加工设备，主要解决现有技术中存在的定位结构通用性差的问题。该定位结构包括：载物台；真空通路，用于将待定位件吸附于所述载物台表面，所述真空通路包括相互隔开设置的至少两个真空通路单元；连接通路，将所述真空通路单元之间连通；以及，开关件，用于将所述连接通路切断或接通，以改变所述真空通路的吸附区域。本发明专利技术提供的定位结构具有至少两个真空通路单元，真空通路单元之间经连接通路连通，通过开关件可将连接通路切断和接通，从而改变真空通路的吸附区域，进而可对不同尺寸的待定位件进行定位，通用性强。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及定位
，具体涉及一种定位结构及硅片加工设备。
技术介绍
在硅片加工设备例如减薄机上需要设置对硅片定位的定位结构，以便对硅片进行磨削等加工。现有的定位结构包括载物台和真空通路，真空通路将硅片吸附于载物台表面。载物台经螺钉安装于减薄机的底座上。如图1中所示，载物台包括本体11’以及设置于本体11’上的微孔陶瓷12’，在本体11’表面上开设有凹槽2’，由凹槽2’形成真空通路，本体11’中部具有与凹槽2’连通的抽真空孔25’，微孔陶瓷12’将凹槽2’覆盖，在微孔陶瓷12’的外周包绕有隔离件14’，从而，硅片放置于微孔陶瓷12’上，抽真空孔25’连接抽真空装置，将硅片吸附于微孔陶瓷12’上。由于需要硅片的尺寸与微孔陶瓷12’的尺寸相同，因此，现有的定位结构只能加工一种尺寸的硅片，当需要加工的硅片尺寸改变时，相应的定位结构也需要进行更换。更换过程为：关闭真空->卸下载物台的螺钉->打开返吹气2分钟->用螺杆分别插入位于载物台侧面四个孔，往上抬->拆下载物台->清洁旧载物台背面和安装底座->清洁新载物台背面->润滑密封圈->对应螺丝孔位装入新载物台->对角固定螺钉->打开真空->打开返吹->清洁载物台->大修整载物台->初始化设备->定位设备->完成。更换过程复杂，至少需要2小时的时间，严重影响生产效率。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种可对不同尺寸的待定位件进行定位的定位结构。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：一种定位结构，包括：载物台；真空通路，用于将待定位件吸附于所述载物台表面，所述真空通路包括相互隔开设置的至少两个真空通路单元；连接通路，将所述真空通路单元之间连通；以及，开关件，用于将所述连接通路切断或接通，以改变所述真空通路的吸附区域。优选地，所述载物台包括本体以及设置于所述本体上的微孔陶瓷，所述真空通路将待定位件吸附于所述微孔陶瓷表面；所述微孔陶瓷包括分别与至少两个所述真空通路单元位置对应的至少两个微孔陶瓷单元；还包括第一隔离件和第二隔离件，所述第一隔离件设置于相邻所述微孔陶瓷单元之间，所述第二隔离件包绕于所述微孔陶瓷的外周。优选地，所述至少两个真空通路单元包括中心通路单元以及位于所述中心通路单元外周的至少一条周部通路单元。优选地，所述本体表面设置有第一凹槽，所述第一凹槽形成所述中心通路单元；在所述本体表面上，第一凹槽的外周沿径向向外依次设置至少一条第二凹槽，每条所述第二凹槽形成一条所述周部通路单元。优选地，所述本体设置有与所述第一凹槽连通的抽真空孔，所述抽真空孔用于与抽真空装置连接。优选地，所述连接通路包括设置于所述本体内的第一连接通路单元，所述第一连接通路单元将靠近所述第一凹槽的第二凹槽与所述抽真空孔连通。优选地，所述连通通路还包括设置于所述本体内的第二连接通路单元，所述第二连接通路单元将相邻第二凹槽连通，或者，所述第二连接通路单元分别将除去靠近所述第一凹槽的第二凹槽之外的第二凹槽与所述抽真空孔连通。优选地，所述至少两个微孔陶瓷单元包括中心微孔陶瓷单元以及位于所述中心微孔陶瓷单元外周的至少一个周部微孔陶瓷单元；所述中心微孔陶瓷单元为圆形，所述中心通路单元用于将5英寸的所述待定位件吸附于所述中心微孔陶瓷单元表面。优选地，所述至少一个周部微孔陶瓷单元包括与所述中心微孔陶瓷单元相邻的第一周部微孔陶瓷单元，所述第一周部微孔陶瓷单元为与所述中心微孔陶瓷单元同心设置的圆环形，所述至少一条周部通路单元包括与所述中心通路单元相邻的第一周部通路单元，所述第一周部通路单元及所述中心通路单元用于将6英寸的所述待定位件吸附于所述第一周部微孔陶瓷单元及所述中心微孔陶瓷单元表面。优选地，所述本体内设置有通道，所述通道依次将所述第二凹槽与所述抽真空孔连通；所述开关件设置于所述通道内，所述开关件上靠近所述抽真空孔的一端开设有第一连通孔，所述开关件的侧壁上开设有第二连通孔，所述第一连通孔与所述第二连通孔连通；当所述第二连通孔与所述第二凹槽接通时，所述连通通路接通，当所述第二连通孔与所述第二凹槽错开时，所述连通通孔切断。优选地，所述开关件呈圆柱状，通过转动所述开关件实现所述连通通路的接通和切断。本专利技术还提供了一种硅片加工设备，采用如上所述的定位结构，无需更换定位结构即可对不同尺寸的硅片进行加工，大大提高了生产效率。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：一种硅片加工设备，采用如上所述的定位结构对硅片进行定位。优选地，所述硅片加工设备为减薄机。本专利技术的有益效果是：本专利技术提供的定位结构具有至少两个真空通路单元，真空通路单元之间经连接通路连通，通过开关件可将连接通路切断和接通，从而改变真空通路的吸附区域，进而可对不同尺寸的待定位件进行定位，通用性强。本专利技术提供的硅片加工设备采用如上所述的定位结构，无需更换定位结构即可对不同尺寸的硅片进行加工，大大提高了生产效率。附图说明通过以下参照附图对本专利技术实施例的描述，本专利技术的上述以及其它目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：图1是现有的定位结构的剖视图；图2是本专利技术一个具体实施例提供的定位结构对第一硅片定位时的剖视图；图3是本专利技术一个具体实施例提供的定位结构对第二硅片定位时的剖视图；图4是本专利技术具体实施例提供的定位结构除去微孔陶瓷、第一隔离件和第二隔离件后的俯视图；图5是本专利技术另一个具体实施例提供的定位结构对第一硅片定位时的剖视图；图6是本专利技术另一个具体实施例提供的定位结构对第二硅片定位时的剖视图；图7是本专利技术另一个具体实施例提供的定位结构对第三硅片定位时的剖视图。图中，11’、本体；12’、微孔陶瓷；2’、凹槽；25’、抽真空孔；14’、隔离件；11、本体；111、缺口；112、安装孔；121、中心微孔陶瓷单元；122、周部微孔陶瓷单元；13、第一隔离件；14、第二隔离件；21、第一环形槽；22、第二环形槽；23、第一连通槽；24、第二连通槽；25、抽真空孔；3、开关件；31、第一连通孔；32、第二连通孔；33、旋钮；4、硅片；5、通道。具体实施方式以下基于实施例对本专利技术进行描述，但是本专利技术并不仅仅限于这些实施例。在下文对本专利技术的细节描述中，详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有这些细节部分的描述也可以完全理解本专利技术。为了避免混淆本专利技术的实质，公知的方法、过程、流程、元件并没有详细叙述。本专利技术提供了一种定位结构，包括：载物台；真空通路，用于将待定位件吸附于载物台表面，真空通路包括相互隔开设置的至少两个真空通路单元；连接通路，将真空通路单元之间连通；以及，开关件，用于将连接通路切断或接通，以改变真空通路的吸附区域。本专利技术提供的定位结构具有至少两个真空通路单元，真空通路单元之间经连接通路连通，通过开关件可将连接通路切断和接通，从而改变真空通路的吸附区域，进而可对不同尺寸的待定位件进行定位，通用性强。下面参照图2至图7说明本专利技术的定位结构应用于吸附硅片的实施例。如图2至4所示，本实施例中的定位结构包括载物台、真空通路、连接通路及开关件3。其中，载物台包括本体11以及设置于本体11上的微孔陶瓷。在进一步的实施例中，真空通路包括中心通路单元以及位于中心通路单元外周的周本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种定位结构，其特征在于，包括：载物台；真空通路，用于将待定位件吸附于所述载物台表面，所述真空通路包括相互隔开设置的至少两个真空通路单元；连接通路，将所述真空通路单元之间连通；以及，开关件，用于将所述连接通路切断或接通，以改变所述真空通路的吸附区域。

【技术特征摘要】
1.一种定位结构，其特征在于，包括：载物台；真空通路，用于将待定位件吸附于所述载物台表面，所述真空通路包括相互隔开设置的至少两个真空通路单元；连接通路，将所述真空通路单元之间连通；以及，开关件，用于将所述连接通路切断或接通，以改变所述真空通路的吸附区域。2.根据权利要求1所述的定位结构，其特征在于，所述载物台包括本体以及设置于所述本体上的微孔陶瓷，所述真空通路将待定位件吸附于所述微孔陶瓷表面；所述微孔陶瓷包括分别与至少两个所述真空通路单元位置对应的至少两个微孔陶瓷单元；还包括第一隔离件和第二隔离件，所述第一隔离件设置于相邻所述微孔陶瓷单元之间，所述第二隔离件包绕于所述微孔陶瓷的外周。3.根据权利要求2所述的定位结构，其特征在于，所述至少两个真空通路单元包括中心通路单元以及位于所述中心通路单元外周的至少一条周部通路单元。4.根据权利要求3所述的定位结构，其特征在于，所述本体表面设置有第一凹槽，所述第一凹槽形成所述中心通路单元；在所述本体表面上，第一凹槽的外周沿径向向外依次设置至少一条第二凹槽，每条所述第二凹槽形成一条所述周部通路单元。5.根据权利要求4所述的定位结构，其特征在于，所述本体设置有与所述第一凹槽连通的抽真空孔，所述抽真空孔用于与抽真空装置连接。6.根据权利要求5所述的定位结构，其特征在于，所述连接通路包括设置于所述本体内的第一连接通路单元，所述第一连接通路单元将靠近所述第一凹槽的第二凹槽与所述抽真空孔连通。7.根据权利要求6所述的定位结构，其特征在于，所述连通通路还包括设置于所述本体内的第二连接通路单元，所述第二连接通路单元将相邻第二凹槽连通，或者，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴航，张新泉，张军，李影，
申请(专利权)人：杭州士兰集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33