半导体背面用薄膜及其用途制造技术

本发明专利技术提供具有再加工性的半导体背面用薄膜及其用途。一种半导体背面用薄膜，其在热固化前在70℃下对于晶圆的粘接力为7N/10mm以下，25℃下的断裂伸长率为700％以下。半导体背面用薄膜的基于乙醇的溶胀度优选为1重量％以上。半导体背面用薄膜优选包含丙烯酸类树脂。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体背面用薄膜及其用途。
技术介绍
近年来，更进一步要求半导体装置及其封装体的薄型化、小型化。因此，作为半导体装置及其封装体，半导体芯片等半导体元件通过倒装芯片连接而安装(倒装芯片连接)在基板上的倒装芯片型半导体装置得以广泛利用。该倒装芯片连接以半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形态进行固定。这种半导体装置等有时通过保护薄膜保护半导体芯片的背面，防止半导体芯片的损伤等(参照专利文献1～3)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2008-166451号公报专利文献2：日本特开2008-006386号公报专利文献3：日本特开2007-261035号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题制造半导体装置时，半导体背面用薄膜代表而言如下使用。首先，将半导体背面用薄膜粘贴于半导体晶圆的背面(大多是未形成电路的一面)。接着，将该半导体晶圆与半导体背面用薄膜一并切割而形成半导体元件。接着，拾取带半导体背面用薄膜的半导体元件后，使半导体元件倒装芯片连接在基板等被粘物上，根据需要使半导体背面用薄膜发生热固化。由此，能够得到倒装芯片型的半导体装置。此处，半导体背面用薄膜粘贴于半导体晶圆时，有时裹入气泡或者粘贴位置发生偏移。在这种状态下无法直接供于后续工序，因此，需要将半导体背面用薄膜从半导体晶圆剥离并再次将(其它)半导体背面用薄膜粘贴于半导体晶圆的步骤(再加工)。像这样，对半导体背面用薄膜要求能够从半导体晶圆剥离并再利用于半导体晶圆的再加工性，但半导体背面用薄膜通常从持续保护半导体芯片背面的观点出发粘接力变高，尚未考虑到再加工性。本专利技术是鉴于前述问题而进行的，其目的在于，提供具有再加工性的半导体背面用薄膜及其用途。用于解决问题的方案本专利技术人等为了解决现有的问题而进行了研究，结果发现：通过采用下述技术方案，能够提供具有良好再加工性的半导体背面用薄膜，从而完成了本专利技术。即，本专利技术涉及半导体背面用薄膜，其在热固化前在70℃下对于晶圆的粘接力为7N/10mm以下，25℃下的断裂伸长率为700％以下。该半导体背面用薄膜在热固化前在70℃下对于晶圆的粘接力低至7N/10mm以下，从而容易从半导体晶圆剥离。另外，由于25℃下的断裂伸长率为700％以下，从而防止从半导体晶圆剥离时不慎的拉伸、断裂。像这样，该半导体背面用薄膜具有粘接力低且不易拉伸的特性，因此能够发挥良好的再加工性。该半导体背面用薄膜的基于乙醇的溶胀度优选为1重量％以上。该半导体背面用薄膜可利用乙醇而溶胀至上述范围时，对于半导体晶圆的粘接力进一步降低，能够提高易剥离性。该半导体背面用薄膜优选包含丙烯酸类树脂。另外，该半导体背面用薄膜相对于前述丙烯酸类树脂100重量份优选包含50～200重量份的无机填充剂。由此，可适合地控制上述粘接力和断裂伸长率。本专利技术还涉及切割带一体型半导体背面用薄膜，其具备：依次层叠有基材和粘合剂层的切割带、以及在该切割带的粘合剂层上层叠的该半导体背面用薄膜。本专利技术还涉及半导体装置的制造方法，其是使用该切割带一体型半导体背面用薄膜制造半导体装置的方法，该方法包括如下工序：在前述切割带一体型半导体背面用薄膜的半导体背面用薄膜上粘贴半导体晶圆的工序；将切入深度设定为超过前述粘合剂层的前述半导体背面用薄膜侧的表面且未到达前述基材侧的表面的范围而对前述半导体晶圆进行切割，从而形成半导体芯片的工序；将前述半导体芯片与前述半导体背面用薄膜一起从切割带的粘合剂层剥离的工序；以及将前述半导体芯片倒装芯片连接到被粘物上的工序。附图说明图1为示出本专利技术的一个实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜的一个例子的截面示意图。图2为：图2的A是示出使用本专利技术的一个实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜制造半导体装置的方法的一个工序的截面示意图；图2的B是示出使用本专利技术的一个实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜制造半导体装置的方法的一个工序的截面示意图；图2的C是示出使用本专利技术的一个实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜制造半导体装置的方法的一个工序的截面示意图；图2的D是示出使用本专利技术的一个实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜制造半导体装置的方法的一个工序的截面示意图。附图标记说明1 切割带一体型半导体背面用薄膜2 半导体背面用薄膜3 切割带31 基材32 粘合剂层33 对应于半导体晶圆的粘贴部分的部分4 半导体晶圆5 半导体芯片51 形成于半导体芯片5的电路面侧的凸块6 被粘物61 粘附在被粘物6的连接焊盘上的接合用的导电材料具体实施方式参照附图对本专利技术的一个实施方式进行说明，但本专利技术不限定于这些例子。另外，本说明书中，图中省略无需说明的部分，另外，为了容易说明，存在放大或缩小等来图示的部分。以下主要针对半导体背面用薄膜层叠于切割带的形态进行说明。图1是示出本实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜的一个例子的截面示意图。其中，在单独的半导体背面用薄膜的形态下也可适合地利用。(切割带一体型半导体背面用薄膜)如图1所示，切割带一体型半导体背面用薄膜1为具备在基材31上设置有粘合剂层32的切割带3和设置在前述粘合剂层上且适合于倒装芯片型半导体的半导体背面用薄膜2的构成。另外，本专利技术的切割带一体型半导体背面用薄膜如图1所示，可以是在切割带3的粘合剂层32上仅在对应于半导体晶圆的粘贴部分的部分33形成有半导体背面用薄膜2的构成，也可以是在粘合剂层32的整面形成有半导体背面用薄膜的构成，另外，还可以是在大于对应于半导体晶圆的粘贴部分的部分33且小于粘合剂层32的整面的部分形成有半导体背面用薄膜的构成。另外，半导体背面用薄膜2的表面(会粘贴到晶圆背面的一侧的表面)可以在直至粘贴于晶圆背面为止的期间被隔离体等保护。(半导体背面用薄膜)半导体背面用薄膜2(参照图1)具有薄膜状的形态。为了保护半导体芯片等半导体元件的背面和提高强度等而适合使用半导体背面用薄膜2。半导体背面用薄膜2通常在其单独存在的形态下、在切割带一体型半导体背面用薄膜的形态下是未固化状态(包括半固化状态)，将半导体背面用薄膜粘贴于半导体晶圆后使其热固化。半导体背面用薄膜对于半导体晶圆的粘接力(70℃、剥离角度为180度、剥离速度为300mm/分钟)优选为7N/10mm以下、更优选为0.5N/10mm～6.5N/10mm的范围、进一步优选为1.0N/10mm～6.0N/10mm的范围。通过使粘接力为上述范围，能够保持其对于半导体晶圆的粘接性，并且提高再加工性。半导体背面用薄膜的25℃下的断裂伸长率优选为700％以下、更优选为50％以上且600％以下、进一步优选为100％以上且500％以下。通过使断裂伸长率为上述范围，能够防止从半导体晶圆剥离半导体背面用薄膜时不慎的拉伸、断裂，进一步提高再加工性。半导体背面用薄膜的基于乙醇的溶胀度优选为1重量％以上、更优选为1.5重量％以上、进一步优选为2.0重量％以上。另外，溶胀度优选为100重量％以下、更优选为50重量％以下。由此，从半导体晶圆剥离半导体背面用薄膜时能够利用乙醇使半导体背面用薄膜发生溶胀，因此能够进一步提高再加工性。<溶胀度的测定方法>从半导体背面用薄膜取样约0.1g并精密称量(试样的重量)，将该样品用网状片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体背面用薄膜，其在热固化前在70℃下对于晶圆的粘接力为7N/10mm以下，25℃下的断裂伸长率为700％以下。

【技术特征摘要】
2015.06.01 JP 2015-1114421.一种半导体背面用薄膜，其在热固化前在70℃下对于晶圆的粘接力为7N/10mm以下，25℃下的断裂伸长率为700％以下。2.根据权利要求1所述的半导体背面用薄膜，其中，基于乙醇的溶胀度为1重量％以上。3.根据权利要求1或2所述的半导体背面用薄膜，其包含丙烯酸类树脂。4.根据权利要求3所述的半导体背面用薄膜，其中，相对于所述丙烯酸类树脂100重量份，包含50～200重量份的无机填充剂。5.一种切割带一体型半导体背面用薄膜，其具备：依次层叠有基材和粘合剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：高本尚英，木村龙一，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP